Grafite Semicondutor

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Os requisitos da indústria de semicondutores para materiais de grafite são particularmente altos, o tamanho de partícula fina de grafite tem alta precisão, resistência a altas temperaturas, alta resistência, pequenas perdas e outras vantagens, como: molde de produtos de grafite sinterizado.Como os equipamentos de grafite utilizados na indústria de semicondutores (incluindo aquecedores e suas matrizes sinterizadas) são obrigados a suportar repetidos processos de aquecimento e resfriamento, a fim de prolongar a vida útil dos equipamentos de grafite, geralmente é necessário que os materiais de grafite utilizados tenham desempenho estável e função de impacto resistente ao calor.

01 Acessórios de grafite para crescimento de cristais semicondutores

Todos os processos usados ​​para cultivar cristais semicondutores operam sob alta temperatura e ambiente corrosivo. A zona quente do forno de crescimento de cristal é geralmente equipada com componentes de grafite de alta pureza resistentes ao calor e à corrosão, como aquecedor, cadinho, cilindro de isolamento, cilindro guia, eletrodo, suporte de cadinho, porca de eletrodo, etc.

Podemos fabricar todas as peças de grafite de dispositivos de produção de cristal, que podem ser fornecidas individualmente ou em conjuntos, ou peças de grafite customizadas de diversos tamanhos de acordo com a necessidade do cliente. O tamanho dos produtos pode ser medido no local e o teor de cinzas dos produtos acabados pode ser menordo que 5 ppm.

 

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02 Acessórios de grafite para epitaxia semicondutora

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O processo epitaxial refere-se ao crescimento de uma camada de material de cristal único com o mesmo arranjo de rede que o substrato no substrato de cristal único. No processo epitaxial, o wafer é carregado no disco de grafite. O desempenho e a qualidade do disco de grafite desempenham um papel vital na qualidade da camada epitaxial do wafer. No campo da produção epitaxial, são necessários muitos grafite de ultra-alta pureza e base de grafite de alta pureza com revestimento SIC.

A base de grafite da nossa empresa para epitaxia semicondutora tem uma ampla gama de aplicações, pode corresponder à maioria dos equipamentos comumente usados ​​na indústria e possui alta pureza, revestimento uniforme, excelente vida útil e alta resistência química e estabilidade térmica.

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03 Acessórios de grafite para implantação iônica

A implantação iônica refere-se ao processo de acelerar o feixe de plasma de boro, fósforo e arsênico a uma certa energia e, em seguida, injetá-lo na camada superficial do material wafer para alterar as propriedades do material da camada superficial. Os componentes do dispositivo de implantação iônica devem ser feitos de materiais de alta pureza com excelente resistência ao calor, condutividade térmica, menor corrosão causada pelo feixe de íons e baixo teor de impurezas. O grafite de alta pureza atende aos requisitos da aplicação e pode ser usado para tubos de vôo, várias fendas, eletrodos, tampas de eletrodos, conduítes, terminadores de feixe, etc.

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Podemos não apenas fornecer cobertura de blindagem de grafite para várias máquinas de implantação iônica, mas também fornecer eletrodos de grafite de alta pureza e fontes de íons com alta resistência à corrosão de várias especificações. Modelos aplicáveis: Eaton, Azcelis, Quatum, Varian, Nissin, AMAT, LAM e outros equipamentos. Além disso, também podemos fornecer produtos de cerâmica, tungstênio, molibdênio, alumínio e peças revestidas.

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04 Materiais de isolamento de grafite e outros

Os materiais de isolamento térmico usados ​​em equipamentos de produção de semicondutores incluem feltro duro de grafite, feltro macio, folha de grafite, papel de grafite e corda de grafite.

Todas as nossas matérias-primas são grafite importado, que pode ser cortado de acordo com o tamanho específico da necessidade do cliente ou vendido inteiro.

A bandeja carbono-carbono é usada como suporte para revestimento de filme no processo de produção de células solares de silício monocristalino e de silício policristalino. O princípio de funcionamento é: inserir o chip de silício na bandeja CFC e enviá-lo para o tubo do forno para processar o revestimento do filme.

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