Pá cantilever rbsic/sisic de carboneto de silício de boa qualidade usada na indústria solar fotovoltaica

Boa qualidade Pá cantilever de carboneto de silício RBSIC/SISIC usada na indústria solar fotovoltaica Imagem em destaque

Breve descrição:

As vantagens especiais de nossos susceptores de grafite revestidos com SiC incluem pureza extremamente alta, revestimento homogêneo e excelente vida útil. Eles também possuem alta resistência química e propriedades de estabilidade térmica.

Mantemos tolerâncias muito estreitas na aplicação do revestimento SiC, utilizando usinagem de alta precisão para garantir um perfil susceptor uniforme. Também produzimos materiais com propriedades ideais de resistência elétrica para uso em sistemas aquecidos indutivamente. Todos os componentes acabados vêm com um certificado de pureza e conformidade dimensional.

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Ferramentas bem administradas, equipe especializada em lucros e produtos e serviços pós-venda muito melhores; Também temos sido um cônjuge e filhos principais unificados, cada pessoa se apega ao benefício da empresa “unificação, dedicação, tolerância” para pá cantilever RBSIC / SISIC de carboneto de silício de boa qualidade usada na indústria solar fotovoltaica. companheiros de negócios e esperamos operar com vocês no curto ou longo prazo!
Ferramentas bem administradas, equipe especializada em lucros e produtos e serviços pós-venda muito melhores; Também temos sido um cônjuge e filhos principais unificados, cada pessoa segue o benefício da empresa “unificação, dedicação, tolerância” paraCerâmica refratária da China e forno de cerâmica, Para atender às necessidades de clientes individuais para um serviço cada vez mais perfeito e produtos de qualidade estáveis. Damos as boas-vindas aos clientes de todo o mundo para nos visitar, com a nossa cooperação multifacetada, e desenvolver em conjunto novos mercados, criar um futuro brilhante!

Revestimento/revestido de SiC de substrato de grafite para semicondutores

Os susceptores seguram e aquecem wafers semicondutores durante o processamento térmico. Um susceptor é feito de um material que absorve energia por indução, condução e/ou radiação e aquece o wafer. Sua resistência ao choque térmico, condutividade térmica e pureza são essenciais para o processamento térmico rápido (RTP). Grafite revestida com carboneto de silício, carboneto de silício (SiC) e silício (Si) são comumente usados para susceptores, dependendo do ambiente térmico e químico específico. Material ultrapuro PureSiC® CVD SiC e ClearCarbon™ que oferece estabilidade térmica superior, resistência à corrosão e durabilidade.

Descrição do produto

O revestimento SiC do substrato de grafite para aplicações semicondutoras produz uma peça com pureza superior e resistência à atmosfera oxidante.
CVD SiC ou CVI SiC é aplicado ao grafite de peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças muito grandes.

Revestimento/revestido de SiC de substrato de grafite para semicondutores

A cerâmica técnica é uma escolha natural para aplicações de processamento térmico de semicondutores, incluindo RTP (Rapid Thermal Processing), Epi (Epitaxial), difusão, oxidação e recozimento. A CoorsTek fornece componentes de materiais avançados projetados especificamente para resistir a choques térmicos com desempenho de alta pureza, resistente e repetível para altas temperaturas

Características:
· Excelente resistência ao choque térmico
· Excelente resistência ao choque físico
· Excelente resistência química
· Pureza Super Alta
· Disponibilidade em formato complexo
· Utilizável sob atmosfera oxidante

aplicativo:

Um wafer precisa passar por diversas etapas antes de estar pronto para uso em dispositivos eletrônicos. Um processo importante é a epitaxia de silício, na qual os wafers são transportados em susceptores de grafite. As propriedades e a qualidade dos susceptores têm um efeito crucial na qualidade da camada epitaxial do wafer.

Propriedades típicas do material base de grafite:

Densidade Aparente:	1,85g/cm3
Resistividade Elétrica:	11 μΩm
Força Flexural:	49MPa (500kgf/cm2)
Dureza Shore:	58
Cinzas:	<5 ppm
Condutividade Térmica:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)