Remo Cantilever SiC avançado para processamento de wafer

Breve descrição:

A pá cantilever avançada de SiC para processamento de wafer lançada pela vet-china usa materiais SiC de alta tecnologia para melhorar a eficiência e a precisão do processamento de wafer. A pá cantilever da Vet-china apresenta excelente resistência ao calor e à corrosão, garantindo desempenho estável no manuseio de wafers em ambientes de fabricação adversos, tornando-a a escolha ideal para melhorar o rendimento da produção.

Envie um e-mail para nós Baixe como PDF

Detalhes do produto

Etiquetas de produto

O AvançadoRemo Cantilever SiCpara processamento de wafer criado pela vet-china oferece uma excelente solução para fabricação de semicondutores. Esta pá cantilever é feita de material SiC (carboneto de silício) e sua alta dureza e resistência ao calor permitem manter excelente desempenho em ambientes corrosivos e de alta temperatura. O design do Cantilever Paddle permite que o wafer seja apoiado de forma confiável durante o processamento, reduzindo o risco de fragmentação e danos.

Remo Cantilever SiCé um componente especializado usado em equipamentos de fabricação de semicondutores, como forno de oxidação, forno de difusão e forno de recozimento, o principal uso é para carga e descarga de wafers, suporte e transporte de wafers durante processos de alta temperatura.

Estruturas comunsdeSiCcanti-alavancapenigma: uma estrutura cantilever, fixada em uma extremidade e livre na outra, normalmente tem um design plano e semelhante a uma pá.

A VET Energy usa materiais de carboneto de silício recristalizado de alta pureza para garantir a qualidade.

Propriedades físicas do carboneto de silício recristalizado
Propriedade	Valor típico
Temperatura de trabalho (°C)	1600°C (com oxigênio), 1700°C (redução do ambiente)
Conteúdo SiC	> 99,96%
Conteúdo Si grátis	<0,1%
Densidade aparente	2,60-2,70g/cm³
Porosidade aparente	<16%
Força de compressão	> 600MPa
Resistência à flexão a frio	80-90MPa (20°C)
Resistência à flexão a quente	90-100MPa (1400°C)
Expansão térmica @1500°C	4,70 10^-6/°C
Condutividade térmica @1200°C	23W/m•K
Módulo elástico	240 GPa
Resistência ao choque térmico	Extremamente bom