O AvançadoRemo Cantilever SiCpara processamento de wafer criado pela vet-china oferece uma excelente solução para fabricação de semicondutores. Esta pá cantilever é feita de material SiC (carboneto de silício) e sua alta dureza e resistência ao calor permitem manter excelente desempenho em ambientes corrosivos e de alta temperatura. O design do Cantilever Paddle permite que o wafer seja apoiado de forma confiável durante o processamento, reduzindo o risco de fragmentação e danos.
Remo Cantilever SiCé um componente especializado usado em equipamentos de fabricação de semicondutores, como forno de oxidação, forno de difusão e forno de recozimento, o principal uso é para carga e descarga de wafers, suporte e transporte de wafers durante processos de alta temperatura.
Estruturas comunsdeSiCcanti-alavancapenigma: uma estrutura cantilever, fixada em uma extremidade e livre na outra, normalmente tem um design plano e semelhante a uma pá.
A VET Energy usa materiais de carboneto de silício recristalizado de alta pureza para garantir a qualidade.
Propriedades físicas do carboneto de silício recristalizado | |
Propriedade | Valor típico |
Temperatura de trabalho (°C) | 1600°C (com oxigênio), 1700°C (redução do ambiente) |
Conteúdo SiC | > 99,96% |
Conteúdo Si grátis | <0,1% |
Densidade aparente | 2,60-2,70g/cm3 |
Porosidade aparente | <16% |
Força de compressão | > 600MPa |
Resistência à flexão a frio | 80-90MPa (20°C) |
Resistência à flexão a quente | 90-100MPa (1400°C) |
Expansão térmica @1500°C | 4,70 10-6/°C |
Condutividade térmica @1200°C | 23W/m•K |
Módulo elástico | 240 GPa |
Resistência ao choque térmico | Extremamente bom |
As vantagens do Advanced SiC Cantilever Paddle da VET Energy para processamento de wafer são:
-Estabilidade em altas temperaturas: utilizável em ambientes acima de 1600°C;
-Baixo coeficiente de expansão térmica: mantém a estabilidade dimensional, reduzindo o risco de empenamento do wafer;
-Alta pureza: menor risco de contaminação por metais;
-Inércia química: resistente à corrosão, adequada para diversos ambientes gasosos;
-Alta resistência e dureza: Resistente ao desgaste, longa vida útil;
-Boa condutividade térmica: auxilia no aquecimento uniforme do wafer.