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O revestimento CVD-SiC possui características de estrutura uniforme, material compacto, resistência a altas temperaturas, resistência à oxidação, alta pureza, resistência a ácidos e álcalis e reagentes orgânicos, com propriedades físicas e químicas estáveis.

Em comparação com materiais de grafite de alta pureza, a grafite começa a oxidar a 400C, o que causará uma perda de pó devido à oxidação, resultando em poluição ambiental para dispositivos periféricos e câmaras de vácuo, e aumentando as impurezas do ambiente de alta pureza.

No entanto, o revestimento de SiC pode manter a estabilidade física e química a 1600 graus. É amplamente utilizado na indústria moderna, especialmente na indústria de semicondutores.

Nossa empresa fornece serviços de processo de revestimento de SiC pelo método CVD na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais, para que gases especiais contendo carbono e silício reajam em alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superfície dos materiais revestidos, formando camada protetora SIC. O SIC formado está firmemente ligado à base de grafite, conferindo à base de grafite propriedades especiais, tornando assim a superfície da grafite compacta, livre de porosidade, resistência a altas temperaturas, resistência à corrosão e resistência à oxidação.

Aplicativo:

Principais características:

1. Resistência à oxidação em alta temperatura:

a resistência à oxidação ainda é muito boa quando a temperatura chega a 1700 C.

2. Alta pureza: feita por deposição química de vapor sob condições de cloração de alta temperatura.

3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.

4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.

Principais especificações dos revestimentos CVD-SIC:

Capacidade de fornecimento:

10.000 peças/peças por mês
Embalagem e entrega:
Embalagem: embalagem padrão e forte
Saco poli + caixa + caixa + palete
Porta:
Ningbo/Shenzhen/Xangai
Tempo de espera: