د SiC کوټینګ ګرافیت MOCVD Wafer کیریر، د SiC Epitaxy لپاره د ګرافیت سوسیپټرونه،
د کاربن اکمالات سوسیپټرونه، د ګرافیت سوسیپټرونه، د ګرافیت ټری، SiC Epitaxy، Wafer Susceptors,
د CVD-SiC کوټینګ د یونیفورم جوړښت ځانګړتیاوې لري، کمپیکٹ مواد، د تودوخې لوړ مقاومت، د اکسیډریشن مقاومت، لوړ پاکوالی، اسید او الکلي مقاومت او عضوي ریجنټ، د ثابت فزیکي او کیمیاوي ملکیتونو سره.
د لوړ پاکوالي ګرافائٹ موادو سره پرتله کول، ګرافائٹ په 400C کې اکسیډیز پیل کوي، کوم چې د اکسیډریشن له امله د پوډر د ضایع کیدو لامل کیږي، په پایله کې د پردیو وسایلو او ویکیوم چیمبرونو ته د چاپیریال ککړتیا سبب کیږي، او د لوړ پاک چاپیریال ناپاکۍ زیاتوي.
په هرصورت، د SiC کوټ کولی شي په 1600 درجو کې فزیکي او کیمیاوي ثبات وساتي، دا په پراخه توګه په عصري صنعت کې کارول کیږي، په ځانګړې توګه د سیمیکمډکټر صنعت کې.
زموږ شرکت د ګرافیت ، سیرامیک او نورو موادو په سطحه د CVD میتود لخوا د SiC کوټینګ پروسې خدمات چمتو کوي ، ترڅو ځانګړي ګازونه چې کاربن او سیلیکون لري په لوړه تودوخه کې عکس العمل ښیې ترڅو د لوړ پاکوالي SiC مالیکولونه ترلاسه کړي ، د لیپت شوي موادو په سطحه زیرمه شوي مالیکولونه ، د SIC محافظتي پرت جوړول. جوړ شوی SIC د ګرافائٹ بیس سره په کلکه تړل شوی، د ګرافیت بیس ته ځانګړي ځانګړتیاوې ورکوي، په دې توګه د ګرافیت کمپیکٹ سطحه، د پورسیت څخه پاک، د لوړ حرارت مقاومت، د اوریدو مقاومت او د اکسیډریشن مقاومت.
غوښتنلیک:
اصلي ځانګړتیاوې:
1. د لوړ حرارت اکسیډریشن مقاومت:
د اکسیډریشن مقاومت لاهم خورا ښه دی کله چې د تودوخې درجه تر 1700 C لوړه وي.
2. لوړ پاکوالی: د لوړې تودوخې کلورینیشن حالت کې د کیمیاوي بخارونو د زیرمو لخوا رامینځته شوی.
3. د تخریب مقاومت: لوړ سختی، کمپیکٹ سطح، ښه ذرات.
4. د ککړتیا مقاومت: تیزاب، الکولي، مالګه او عضوي ریجنټونه.
د CVD-SIC کوټینګ اصلي مشخصات:
SiC-CVD | ||
کثافت | (g/cc)
| 3.21 |
انعطاف ځواک | (Mpa)
| ۴۷۰ |
د تودوخې پراخول | (10-6/K) | 4
|
حرارتي چالکتیا | (W/mK) | ۳۰۰ |
د رسولو وړتیا:
په میاشت کې 10000 ټوټه / ټوټې
بسته بندي او تحویلي:
بسته بندي: معیاري او قوي بسته بندي
پولی کڅوړه + بکس + کارتن + تخته
بندر:
نینګبو/شینزین/شانګهای
مخکښ وخت:
مقدار (ټوکې) | ۱ – ۱۰۰۰ | >1000 |
Est. وخت (ورځې) | 15 | خبرې اترې وشي |