Now we have lots of superb staff members users excellent at Internet marketing, QC, and working with kinds of troublesome dilemma within manufacturing method for Reliable Supplier China High Temperature Resistant Waist Silicon Carbide Graphite Crucible, Sincerely hope we are growing up together with our customers. په ټوله نړۍ کې
اوس موږ د انټرنېټ بازارموندنې، QC کې خورا ښه کارمندان لرو، او د تولید په طریقه کې د ډول ډول ستونزو ستونزې سره کار کوو.د چین crucible, ګرافائٹ کروسیبلنن ورځ، موږ د متحده ایالاتو، روسیې، هسپانیې، ایټالیا، سنګاپور، مالیزیا، تایلینډ، پولنډ، ایران او عراق په ګډون د ټولې نړۍ څخه پیرودونکي لرو. زموږ د شرکت ماموریت دا دی چې د لوړ کیفیت سوداګریز توکي په غوره قیمت سره وړاندې کړي. موږ ستاسو سره سوداګرۍ کولو ته سترګې په لار یو.
کاربن / کاربن مرکبات(له دې وروسته د "C/C یا CFC") یو ډول مرکب مواد دی چې د کاربن پر بنسټ والړ دی او د کاربن فایبر او د هغې د محصولاتو (کاربن فایبر پریفارم) لخوا تقویه کیږي. دا دواړه د کاربن inertia او د کاربن فایبر لوړ قوت لري. دا ښه میخانیکي ځانګړتیاوې لري، د تودوخې مقاومت، د کنډک مقاومت، د رګونو ډنډ کولو او د تودوخې او بریښنا چلونکي ځانګړتیاوې
CVD-SiCکوټ د یونیفورم جوړښت، کمپیکٹ مواد، د تودوخې لوړ مقاومت، د اکسیډریشن مقاومت، لوړ پاکوالی، تیزاب او الکالی مقاومت او عضوي ریجنټ ځانګړتیاوې لري، د ثابت فزیکي او کیمیاوي ملکیتونو سره.
د لوړ پاکوالي ګرافائٹ موادو سره پرتله کول، ګرافائٹ په 400C کې اکسیډیز پیل کوي، کوم چې د اکسیډریشن له امله د پوډر د ضایع کیدو لامل کیږي، په پایله کې د پردیو وسایلو او ویکیوم چیمبرونو ته د چاپیریال ککړتیا سبب کیږي، او د لوړ پاک چاپیریال ناپاکۍ زیاتوي.
په هرصورت، د SiC کوټ کولی شي په 1600 درجو کې فزیکي او کیمیاوي ثبات وساتي، دا په پراخه توګه په عصري صنعت کې کارول کیږي، په ځانګړې توګه د سیمیکمډکټر صنعت کې.
زموږ شرکت د ګرافیت ، سیرامیک او نورو موادو په سطحه د CVD میتود لخوا د SiC کوټینګ پروسې خدمات چمتو کوي ، ترڅو ځانګړي ګازونه چې کاربن او سیلیکون لري په لوړه تودوخه کې عکس العمل ښیې ترڅو د لوړ پاکوالي SiC مالیکولونه ترلاسه کړي ، د لیپت شوي موادو په سطحه زیرمه شوي مالیکولونه ، د SIC محافظتي پرت جوړول. جوړ شوی SIC د ګرافائٹ بیس سره په کلکه تړل شوی، د ګرافیت بیس ته ځانګړي ځانګړتیاوې ورکوي، په دې توګه د ګرافیت کمپیکٹ سطحه، د پورسیت څخه پاک، د لوړ حرارت مقاومت، د اوریدو مقاومت او د اکسیډریشن مقاومت.
اصلي ځانګړتیاوې:
1. د لوړ حرارت اکسیډریشن مقاومت:
د اکسیډریشن مقاومت لاهم خورا ښه دی کله چې د تودوخې درجه د 1600 C په اندازه لوړه وي.
2. لوړ پاکوالی: د لوړې تودوخې کلورینیشن حالت کې د کیمیاوي بخارونو د زیرمو لخوا رامینځته شوی.
3. د تخریب مقاومت: لوړ سختی، کمپیکٹ سطح، ښه ذرات.
4. د ککړتیا مقاومت: تیزاب، الکولي، مالګه او عضوي ریجنټونه.
د CVD-SIC کوټینګ اصلي مشخصات:
| SiC-CVD | ||
| کثافت | (g/cc)
| 3.21 |
| انعطاف ځواک | (Mpa)
| ۴۷۰ |
| د تودوخې پراخول | (10-6/K) | 4
|
| حرارتي چالکتیا | (W/mK) | ۳۰۰
|
