The incredibly rich projects management experiences and a person to 1 service model make the substantial important of organization communication and our easy understanding of your expectations for Professional China China Sic Boat Carry Silicon Wafers Into The High Temperature Diffusion Coating Furnace Tube, Our ultimate goal is always. د لوړ برانډ په توګه درجه بندي کول او زموږ په ساحه کې د مخکښ په توګه رهبري کول. موږ ډاډه یو چې د وسیلې رامینځته کولو کې زموږ ګټور تجربه به د پیرودونکي باور ترلاسه کړي ، تاسو سره د اوږدې مودې لپاره همکاري او همکاري کول غواړئ!
د نه منلو وړ بډایه پروژې ادارې تجربې او د 1 خدماتو ماډل ته یو شخص د سازمان اړیکو خورا مهم اهمیت او ستاسو د هیلو په اړه زموږ اسانه پوهه رامینځته کوي.چین د سیلیکون ویفرونه لیږدوي, پولی کریسټالی سیلیکون ویفر، زموږ د محصولاتو لپاره ستاسو هر ډول پوښتنو او اندیښنو ته ښه راغلاست. موږ په نږدې راتلونکي کې ستاسو سره د اوږدې مودې سوداګریزې اړیکې رامینځته کولو ته سترګې په لار یو. نن ورځ موږ سره اړیکه ونیسئ. موږ ستاسو د اړتیاو سره سم لومړی سوداګریز شریک یو!
محصولDلیکل
د سیلیکون کاربایډ ویفر بوټ په پراخه کچه د لوړ تودوخې د خپریدو پروسې کې د ویفر هولډر په توګه کارول کیږي.
ګټې:
د لوړ حرارت مقاومت:په 1800 ℃ کې نورمال کارول
لوړ حرارتي چالکتیا:د ګرافیت موادو سره مساوي
لوړ سختی:سختی یوازې د الماس، بوران نایترایډ څخه وروسته دویم دی
د سنګر مقاومت:قوي اسید او الکلي دې ته هیڅ زنګ نه لري ، د زنګ مقاومت د ټنګسټن کاربایډ او ایلومینا څخه غوره دی
لږ وزن:ټیټ کثافت، المونیم ته نږدې
نه خرابوالی: د تودوخې توسعې ټیټ کثافات
د تودوخې شاک مقاومت:دا کولی شي د تودوخې تیز بدلونونو سره مقاومت وکړي، د تودوخې شاک مقاومت وکړي، او ثابت فعالیت لري
د SiC فزیکي ملکیتونه
| ملکیت | ارزښت | طریقه |
| کثافت | 3.21 g/cc | د سینک فلوټ او ابعاد |
| ځانګړې تودوخه | 0.66 J/g °K | نبض شوی لیزر فلش |
| انعطاف ځواک | 450 MPa560 MPa | 4 نقطه موڑ، RT4 نقطه موړ، 1300 ° |
| د فریکچر سختۍ | 2.94 MPa m1/2 | Microindentation |
| سختۍ | ۲۸۰۰ | ویکر، 500 ګرامه بار |
| د لوچک موډلس د ځوان موډول | 450 GPa430 GPa | 4 pt کنډک، RT4 pt بینډ، 1300 °C |
| د غلو اندازه | 2 – 10 µm | SEM |
د SiC حرارتي ملکیتونه
| د تودوخې چلښت | 250 W/m °K | د لیزر فلش طریقه، RT |
| د تودوخې پراختیا (CTE) | 4.5 x 10-6 °K | د کوټې تودوخه تر 950 °C پورې، د سیلیکا ډیلاټومیټر |
