OEM/ODM چین چین سیک ډیزل پارټیکولیټ فلټر د انجن ایستلو DPF لپاره

لنډ تفصیل:


  • د منشاء ځای:چین
  • کرسټال جوړښت:د FCCβ پړاو
  • کثافت:3.21 g/cm
  • سختۍ:2500 ویکرز
  • د غلو اندازه:2~10μm
  • کیمیاوي پاکوالی:99.99995%
  • د تودوخې ظرفیت:640J·kg-1·K-1
  • د تودوخې درجه:2700℃
  • فیلیکسیکل ځواک:415 MPa (RT 4-Point)
  • د ځوان ماډل:430 Gpa (4pt بینډ، 1300℃)
  • د تودوخې پراخول (CTE):4.5 10-6K-1
  • حرارتي چلښت:300 (W/MK)
  • د محصول تفصیل

    د محصول ټګ

    زموږ د مخکښ ټیکنالوژۍ سره په ورته وخت کې زموږ د نوښت ، متقابلې همکارۍ ، ګټو او پرمختګ روحیه سره ، موږ به د OEM/ODM چین چین سیک ډیزل پارټیکولټ فلټر لپاره د انجن اخراج DPF لپاره ستاسو د معزز شرکت سره یو له بل سره یو هوسا راتلونکي جوړ کړو ، او دلته ډیر بهرني نږدې ملګري هم شتون لري چې د لید لید لپاره راغلي ، یا موږ ته د دوی لپاره د نورو توکو پیرودلو لپاره رابلل. تاسو به ډیر ښه راغلاست وایئ چې چین ته راشئ ، زموږ ښار ته او زموږ د تولید تاسیساتو ته!
    زموږ د مخکښ ټیکنالوژۍ سره په ورته وخت کې زموږ د نوښت ، متقابل همکارۍ ، ګټو او پرمختګ روحیه ، موږ به ستاسو د درناوي شرکت سره یو له بل سره یو هوسا راتلونکي جوړ کړو.سرامیک شاتو, د چین کتلست، نن ورځ ، موږ د متحده ایالاتو ، روسیې ، هسپانیې ، ایټالیا ، سینګاپور ، مالیزیا ، تایلینډ ، پولنډ ، ایران او عراق په شمول د ټولې نړۍ څخه پیرودونکي لرو. زموږ د شرکت ماموریت د لوړ کیفیت محصولات په غوره قیمت سره چمتو کول دي. موږ ستاسو سره سوداګرۍ کولو ته سترګې په لار یو.
    د محصول تفصیل

    زموږ شرکت د ګرافیت ، سیرامیک او نورو موادو په سطحه د CVD میتود لخوا د SiC کوټینګ پروسې خدمات چمتو کوي ، ترڅو ځانګړي ګازونه چې کاربن او سیلیکون لري په لوړه تودوخه کې عکس العمل ښیې ترڅو د لوړ پاکوالي SiC مالیکولونه ترلاسه کړي ، د لیپت شوي موادو په سطحه زیرمه شوي مالیکولونه ، د SIC محافظتي پرت جوړول.

    اصلي ځانګړتیاوې:

    1. د لوړ حرارت اکسیډریشن مقاومت:

    د اکسیډریشن مقاومت لاهم خورا ښه دی کله چې د تودوخې درجه د 1600 C په اندازه لوړه وي.

    2. لوړ پاکوالی: د لوړې تودوخې کلورینیشن حالت کې د کیمیاوي بخارونو د زیرمو لخوا رامینځته شوی.

    3. د تخریب مقاومت: لوړ سختی، کمپیکٹ سطح، ښه ذرات.

    4. د ککړتیا مقاومت: تیزاب، الکولي، مالګه او عضوي ریجنټونه.

    د CVD-SIC کوټینګ اصلي مشخصات

    د SiC-CVD ملکیتونه

    کرسټال جوړښت د FCC β مرحله
    کثافت g/cm ³ 3.21
    سختۍ د ویکرز سختۍ ۲۵۰۰
    د غلو اندازه μm 2~10
    کیمیاوي پاکوالی % 99.99995
    د تودوخې ظرفیت J·kg-1 ·K-1 ۶۴۰
    Sublimation د حرارت درجه 2700
    د فیلیکسور ځواک MPa (RT 4 ټکی) ۴۱۵
    د ځوان ماډل Gpa (4pt bend، 1300℃) ۴۳۰
    د تودوخې پراختیا (CTE) 10-6K-1 4.5
    حرارتي چالکتیا (W/mK) ۳۰۰

    1 2 3 4 5 6 7 ۸ ۹


  • مخکینی:
  • بل:

  • د WhatsApp آنلاین چیٹ!