د SiC کوټینګ د کیمیاوي بخاراتو د زیرمو (CVD)، مخکینۍ بدلون، پلازما سپری کولو او داسې نورو په واسطه چمتو کیدی شي. د کیمیاوي بخار د زیرمو لخوا چمتو شوی کوټ یونیفورم او کمپیکٹ دی، او ښه ډیزاین وړتیا لري. د میتیل ټریکلوسیلین کارول. (CHzSiCl3, MTS) د سیلیکون سرچینې په توګه، د CVD میتود لخوا چمتو شوی SiC کوټینګ د دې کوټینګ پلي کولو لپاره نسبتا بالغ میتود دی.
د SiC کوټ او ګرافیت ښه کیمیاوي مطابقت لري، د دوی تر مینځ د تودوخې پراختیا کوفینټ توپیر کوچنی دی، د SiC کوټینګ کارول کولی شي په مؤثره توګه د ګرافیت موادو د پوښ مقاومت او اکسیډریشن مقاومت ته وده ورکړي. د دوی په منځ کې، د stoichiometric تناسب، د عکس العمل د حرارت درجه، د ککړتیا ګاز، ناپاک ګاز او نور شرایط په عکس العمل باندې خورا اغیز لري.
د پوسټ وخت: سپتمبر 14-2022