خبرونه

د تیلو سیل جھلی الکتروډ، دودیز MEA -1
د منتظم لخوا په 22-09-21
د جھلی الیکټروډ اسمبلۍ (MEA) یو راټول شوی سټیک دی: د پروټون تبادلې جھلی (PEM) کتلست ګاز خپریدو پرت (GDL) د جھلی الیکټروډ اسمبلی مشخصات: ضخامت 50 μm. اندازه 5 cm2، 16 cm2، 25 cm2، 50 cm2 یا 100 cm2 فعال سطحي ساحې. Catalyst Loading anode = 0.5 ...
نور ولولئ
د بریښنا وسیلو / کښتیو / بایسکلونو / سکوټرونو لپاره د وروستي نوښت دودیز تیلو سیل MEA
د منتظم لخوا په 22-09-21
د جھلی الیکټروډ اسمبلۍ (MEA) یو راټول شوی سټیک دی: د پروټون تبادلې جھلی (PEM) کتلست ګاز خپریدو پرت (GDL) د جھلی الیکټروډ اسمبلی مشخصات: ضخامت 50 μm. اندازه 5 cm2، 16 cm2، 25 cm2، 50 cm2 یا 100 cm2 فعال سطحي ساحې. Catalyst Loading anode = 0.5 ...
نور ولولئ
د هایدروجن انرژي ټیکنالوژۍ غوښتنلیک سناریو پیژندنه
د منتظم لخوا په 22-09-17

نور ولولئ
د اتوماتیک ریکټور تولید پروسه
د منتظم لخوا په 22-09-17
د نینګبو VET انرژي ټیکنالوژۍ شرکت ، لمیټډ په چین کې رامینځته شوی د لوړ ټیکنالوژۍ تصدۍ دی چې د پرمختللي موادو ټیکنالوژۍ او اتومات محصولاتو تمرکز کوي. موږ د خپل فابریکې او پلور ټیم سره مسلکي جوړونکي او عرضه کوونکي یو.
نور ولولئ
دوه بریښنایی ویکیوم پمپونه امریکا ته واستول شول
د منتظم لخوا په 22-09-14

نور ولولئ
د ګرافیت احساس ویتنام ته لیږدول شوی
د منتظم لخوا په 22-09-14

نور ولولئ
SiC اکسیډیشن - مقاومت لرونکی پوښ د CVD پروسې لخوا د ګرافیت په سطحه چمتو شوی و
د منتظم لخوا په 22-09-14
د SiC کوټینګ د کیمیاوي بخاراتو د زیرمو (CVD)، مخکینۍ بدلون، پلازما سپری کولو او داسې نورو په واسطه چمتو کیدی شي. د کیمیاوي بخار د زیرمو لخوا چمتو شوی کوټ یونیفورم او کمپیکٹ دی، او ښه ډیزاین وړتیا لري. د میتیل ټریکلوسیلین کارول. (CHzSiCl3، MTS) د سیلیکون سرچینې په توګه، د SiC کوټینګ چمتو کول ...
نور ولولئ
د سیلیکون کاربایډ جوړښت
د منتظم لخوا په 22-08-30
د سیلیکون کاربایډ پولیمورف درې اصلي ډولونه د سیلیکون کاربایډ شاوخوا 250 کرسټال ډولونه شتون لري. ځکه چې سیلیکون کاربایډ د ورته کرسټال جوړښت سره یوشان پولی ډولونه لري، سیلیکون کاربایډ د همجنس پالی کریسټالین ځانګړتیاوې لري. سیلیکون کاربایډ (موسانیټ) ...
نور ولولئ
د SiC مدغم سرکټ د څیړنې حالت
د منتظم لخوا په 22-08-23
د S1C مجرد وسیلو څخه توپیر چې د لوړ ولتاژ ، لوړ بریښنا ، لوړ فریکونسۍ او د تودوخې لوړ ځانګړتیاوې تعقیبوي ، د SiC مدغم سرکټ د څیړنې هدف اساسا د هوښیار بریښنا ICs کنټرول سرکټ لپاره د لوړې تودوخې ډیجیټل سرکټ ترلاسه کول دي. لکه څنګه چې د دې لپاره د SiC مدغم سرکټ ...
نور ولولئ