د اتموسفیر فشار لاندې د سینټر شوي سیلیکون کاربایډ موادو جوړښت او ملکیتونه

عصري C, N, B او نور غیر آکسایډ لوړ ټیک ریفریکٹري خام مواد ، د اتموسفیر فشار سینټر شوي سیلیکون کاربایډ پراخه ، اقتصادي دی ، ویل کیدی شي ایمري یا انعکاس شګه وي. خالص سیلیکون کاربایډ بې رنګ شفاف کرسټال دی. نو د سیلیکون کاربایډ مادي جوړښت او ځانګړتیاوې څه دي؟

سیلیکون کاربایډ د اتموسفیر فشار لاندې

د اتموسفیر فشار سیلیکون کاربایډ مواد جوړښت:

د اتموسفیر فشار سینټر شوي سیلیکون کاربایډ چې په صنعت کې کارول کیږي د ناپاکۍ ډول او مینځپانګې له مخې روښانه ژیړ ، شین ، نیلي او تور دی ، او پاکتیا توپیر لري او شفافیت توپیر لري. د سیلیکون کاربایډ کرسټال جوړښت په شپږو کلمو یا د الماس شکل پلوتونیم او کیوبیک پلوتونیم-sic ویشل شوی. پلوتونیم-sic په کرسټال جوړښت کې د کاربن او سیلیکون اتومونو د مختلف سټکینګ ترتیب له امله مختلف اختراع کوي ، او له 70 څخه ډیر ډولونه موندل شوي. beta-SIC د 2100 څخه پورته الفا-SIC ته بدلوي. د سیلیکون کاربایډ صنعتي پروسه د لوړ کیفیت کوارټز شګو او پټرولیم کوک سره په مقاومتي بټۍ کې تصفیه کیږي. اصلاح شوي سیلیکون کاربایډ بلاکونه کرش شوي ، د تیزاب بیس پاکول ، مقناطیسي جلا کول ، سکرینینګ یا د اوبو انتخاب د مختلف ذرو اندازې محصولاتو تولید لپاره.

د اتموسفیر فشار سیلیکون کاربایډ مواد ځانګړتیاوې:

د سیلیکون کاربایډ ښه کیمیاوي ثبات، حرارتي چالکتیا، د تودوخې توسعې ضمیمه، د لباس مقاومت لري، نو د خړوبولو سربیره، ډیری کارونې شتون لري: د مثال په توګه، د سیلیکون کاربایډ پوډر د توربین امپیلر یا سلنډر بلاک داخلي دیوال کې پوښل شوی. یوه ځانګړې پروسه، کوم چې کولی شي د اغوستلو مقاومت ته وده ورکړي او د 1 څخه تر 2 ځله ژوند اوږد کړي. د تودوخې په وړاندې مقاومت لرونکي، کوچنۍ اندازې، سپک وزن، د لوړې درجې ریفریکٹري موادو لوړ ځواک څخه جوړ شوی، د انرژي موثریت خورا ښه دی. د ټیټ درجې سیلیکون کاربایډ (د 85٪ SiC په شمول) د فولادو جوړولو سرعت زیاتولو او د فولاد کیفیت ښه کولو لپاره په اسانۍ سره د کیمیاوي جوړښت کنټرول لپاره خورا ښه ډیاکسیډیزر دی. برسېره پردې، د اتموسفیر فشار sintered سیلیکون کاربایډ هم په پراخه کچه د سیلیکون کاربن راډونو بریښنایی برخو په جوړولو کې کارول کیږي.

سیلیکون کاربایډ خورا سخت دی. د مورس سختۍ 9.5 دی، د نړۍ د سخت الماس (10) څخه وروسته دویم، یو سیمیکمډکټر دی چې د غوره حرارتي چالکتیا سره، کولی شي په لوړه تودوخه کې د اکسیډریشن مقاومت وکړي. سیلیکون کاربایډ لږترلږه 70 کرسټال ډولونه لري. پلوتونیم سیلیکون کاربایډ یو عام isomer دی چې د 2000 څخه پورته تودوخې کې رامینځته کیږي او د هیکساگونل کرسټال جوړښت لري (ورتزائټ ته ورته). سیلیکون کاربایډ د اتموسفیر فشار لاندې

د سیلیکون کاربایډ کارول په سیمیکمډکټر صنعت کې

د سیلیکون کاربایډ سیمیکمډکټر صنعت سلسله په عمده ډول د سیلیکون کاربایډ لوړ پاکوالي پاؤډر ، واحد کرسټال سبسټریټ ، ایپیټیکسیل شیټ ، د بریښنا برخې ، د ماډل بسته کولو او ترمینل غوښتنلیکونه شامل دي.

1. واحد کرسټال سبسټریټ واحد کرسټال سبسټریټ د سیمی کنډکټر مالتړ کونکي مواد ، چلونکي مواد او اپیټیکسیل وده سبسټریټ دی. په اوس وخت کې، د SiC واحد کرسټال د ودې میتودونو کې د فزیکي بخار لیږد میتود (PVT میتود)، د مایع پړاو میتود (LPE میتود)، او د لوړې تودوخې کیمیاوي بخار ذخیره کولو میتود (HTCVD میتود) شامل دي. سیلیکون کاربایډ د اتموسفیر فشار لاندې

2. Epitaxial sheet Silicon carbide epitaxial sheet، د سیلیکون کاربایډ شیټ، واحد کرسټال فلم (epitaxial layer) د سبسټریټ کرسټال په څیر ورته سمت سره چې د سیلیکون کاربایډ سبسټریټ لپاره ځانګړي اړتیاوې لري. په عملي غوښتنلیکونو کې، د پراخ بانډ ګیپ سیمیکمډکټر وسیلې نږدې ټول په ایپیټیکسیل پرت کې تولید شوي ، او د سیلیکون چپ پخپله یوازې د سبسټریټ په توګه کارول کیږي ، پشمول د GaN epitaxial پرت سبسټریټ.

3. د لوړ پاکوالي سیلیکون کاربایډ پوډر د لوړ پاک سیلیکون کاربایډ پوډر د PVT میتود لخوا د سیلیکون کاربایډ واحد کرسټال د ودې لپاره خام مواد دی ، او د محصول پاکوالی مستقیم د سیلیکون کاربایډ واحد کرسټال د ودې کیفیت او بریښنایی ځانګړتیاو باندې اغیزه کوي.

4. د بریښنا وسیله د سیلیکون کاربایډ موادو څخه جوړه شوې پراخه بډ بریښنا ده، کوم چې د لوړې تودوخې، لوړ فریکونسۍ او لوړ موثریت ځانګړتیاوې لري. د وسیلې د عملیاتي بڼې له مخې، د SiC بریښنا رسولو وسیله په عمده توګه د بریښنا ډایډ او د بریښنا سویچ ټیوب شامل دي.

5. ټرمینل د دریم نسل سیمی کنډکټر غوښتنلیکونو کې، د سیلیکون کاربایډ سیمیکمډکټرونه ګټه لري چې د ګالیم نایټریډ سیمیکمډکټرونو بشپړونکي وي. د لوړ تبادلې موثریت ، ټیټ تودوخې ځانګړتیاو ، لږ وزن او د SiC وسیلو نورو ګټو له امله ، د لاندې سټریم صنعت غوښتنه دوام لري ، او د SiO2 وسیلو ځای په ځای کولو رجحان شتون لري.