نیلي / شنه LED Epitaxy

لنډ تفصیل:

د منشاء ځای:چین

کرسټال جوړښت:د FCCβ پړاو

کثافت:3.21 g/cm؛

سختۍ:2500 ویکرز؛

د غلو اندازه:2~10μm؛

کیمیاوي پاکوالی:99.99995٪;

د تودوخې ظرفیت:640J·kg-1·K-1;

د تودوخې درجه:2700℃؛

فیلیکسي ځواک:415 MPa (RT 4-Point);

د ځوان ماډل:430 Gpa (4pt بینډ، 1300℃)؛

د تودوخې پراخول (CTE):4.5 10-6K-1;

حرارتي چلښت:300 (W/MK);

موږ ته بریښنالیک واستوئ د PDF په توګه ډاونلوډ کړئ

د محصول تفصیل

د محصول ټګ

د محصول تفصیل

زموږ شرکت د ګرافیت ، سیرامیک او نورو موادو په سطحه د CVD میتود لخوا د SiC کوټینګ پروسې خدمات چمتو کوي ، ترڅو ځانګړي ګازونه چې کاربن او سیلیکون لري په لوړه تودوخه کې عکس العمل ښیې ترڅو د لوړ پاکوالي SiC مالیکولونه ترلاسه کړي ، د لیپت شوي موادو په سطحه زیرمه شوي مالیکولونه ، د SIC محافظتي پرت جوړول.

اصلي ځانګړتیاوې:

1. د لوړ حرارت اکسیډریشن مقاومت:

د اکسیډریشن مقاومت لاهم خورا ښه دی کله چې د تودوخې درجه د 1600 C په اندازه لوړه وي.

2. لوړ پاکوالی: د لوړې تودوخې کلورینیشن حالت کې د کیمیاوي بخارونو د زیرمو لخوا رامینځته شوی.

3. د تخریب مقاومت: لوړ سختی، کمپیکٹ سطح، ښه ذرات.

4. د ککړتیا مقاومت: تیزاب، الکولي، مالګه او عضوي ریجنټونه.

د CVD-SIC کوټینګ اصلي مشخصات

د SiC-CVD ملکیتونه
کرسټال جوړښت	د FCC β مرحله
کثافت	g/cm ³	3.21
سختۍ	د ویکرز سختۍ	۲۵۰۰
د غلو اندازه	μm	2~10
کیمیاوي پاکوالی	%	99.99995
د تودوخې ظرفیت	J·kg-1 ·K-1	۶۴۰
Sublimation د حرارت درجه	℃	2700
د فیلیکسور ځواک	MPa (RT 4 ټکی)	415
د ځوان ماډل	Gpa (4pt بینډ، 1300℃)	۴۳۰
د تودوخې پراختیا (CTE)	10-6K-1	4.5
حرارتي چالکتیا	(W/mK)	۳۰۰