پرمختللیSiC Cantilever پیډلد ویفر پروسس کولو لپاره چې د ویټ چین لخوا رامینځته شوی د سیمیکمډکټر تولید لپاره عالي حل چمتو کوي. دا کینټیلیور پیډل د SiC (سیلیکون کاربایډ) موادو څخه جوړ شوی ، او د دې لوړ سختۍ او تودوخې مقاومت دا وړتیا ورکوي چې په لوړه تودوخې او ککړ چاپیریال کې غوره فعالیت وساتي. د کینټیلیور پیډل ډیزاین ویفر ته اجازه ورکوي چې د پروسس کولو پرمهال د اعتبار وړ ملاتړ وکړي ، د ټوټې کیدو او زیان خطر کموي.
SiC Cantilever پیډلیوه ځانګړې برخه ده چې د سیمیکمډکټر تولید تجهیزاتو کې کارول کیږي لکه د اکسیډیشن فرنس ، ډیفیوژن فرنس ، او انیل کولو فرنس ، اصلي کارول د ویفر بار کولو او کښته کولو لپاره دي ، د لوړې تودوخې پروسې په جریان کې د ویفرونو ملاتړ او لیږد کوي.
عام جوړښتونهدSiCcانټي لیورpاضافه: د کینټیلیور جوړښت، په یوه پای کې ټاکل شوی او په بل کې وړیا، معمولا یو فلیټ او پیډل په څیر ډیزاین لري.
د VET انرژي د کیفیت تضمین کولو لپاره د لوړ پاکوالي بیا کریسټال شوي سیلیکون کاربایډ توکي کاروي.
| د بیا تنظیم شوي سیلیکون کاربایډ فزیکي ملکیتونه | |
| ملکیت | عادي ارزښت |
| د کار د حرارت درجه (°C) | 1600°C (د اکسیجن سره)، 1700°C (د چاپیریال کمول) |
| د SiC منځپانګه | > 99.96٪ |
| وړیا سی مواد | <0.1٪ |
| بلک کثافت | 2.60-2.70 g/cm3 |
| ښکاره porosity | < 16٪ |
| د کمپریشن ځواک | > 600MPa |
| د یخ وهلو ځواک | 80-90 MPa (20°C) |
| د تودوخې ځړولو ځواک | 90-100 MPa (1400 °C) |
| د تودوخې پراختیا @ 1500 ° C | 4.70 10-6/°C |
| حرارتي چالکتیا @1200°C | 23W/m•K |
| لچک لرونکي ماډل | 240 GPa |
| د تودوخې شاک مقاومت | ډیر ښه |
د ویفر پروسس کولو لپاره د VET انرژي پرمختللي SiC کینټیلیور پیډل ګټې په لاندې ډول دي:
- د لوړې تودوخې ثبات: د 1600 ° C څخه پورته چاپیریال کې د کارولو وړ؛
- ټیټ حرارتي توسع کوونکی: ابعادي ثبات ساتي ، د ویفر جنګی خطر کموي؛
- لوړ پاکوالی: د فلزي ککړتیا کم خطر؛
- کیمیاوي بې ثباتي: د ککړتیا مقاومت، د مختلف ګاز چاپیریال لپاره مناسب؛
- لوړ ځواک او سختۍ: د اغوستلو مقاومت، اوږد خدمت ژوند؛
- ښه حرارتي چالکتیا: د ویفر یونیفورم تودوخې کې مرسته کوي.
