Powłokę SiC można przygotować metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD), transformacji prekursorów, natryskiwania plazmowego itp. Powłoka przygotowana metodą CHEMICZNEGO osadzania z fazy gazowej jest jednolita i zwarta oraz ma dobre możliwości projektowania. Stosowanie trichlosilanu metylu. (CHzSiCl3, MTS) jako źródło krzemu, powłoka SiC przygotowana metodą CVD jest stosunkowo dojrzałą metodą aplikacji tej powłoki.
Powłoka SiC i grafit mają dobrą kompatybilność chemiczną, różnica współczynnika rozszerzalności cieplnej między nimi jest niewielka, zastosowanie powłoki SiC może skutecznie poprawić odporność na zużycie i odporność na utlenianie materiału grafitowego. Wśród nich duży wpływ na reakcję mają stosunek stechiometryczny, temperatura reakcji, gaz rozcieńczający, gaz zanieczyszczający i inne warunki.
Czas publikacji: 14 września 2022 r