SiC ਕੋਟਿੰਗ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ MOCVD ਵੇਫਰ ਕੈਰੀਅਰ, SiC Epitaxy ਲਈ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਸਪੇਟਰ,
ਕਾਰਬਨ ਸਪਲਾਈ ਸੁਸੇਪਟਰ, ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਸੈਪਟਰ, ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਟਰੇ, SiC Epitaxy, Wafer susceptors,

CVD-SiC ਕੋਟਿੰਗ ਵਿੱਚ ਸਥਿਰ ਭੌਤਿਕ ਅਤੇ ਰਸਾਇਣਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕਸਾਰ ਬਣਤਰ, ਸੰਖੇਪ ਸਮੱਗਰੀ, ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ, ਐਸਿਡ ਅਤੇ ਅਲਕਲੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਜੈਵਿਕ ਰੀਐਜੈਂਟ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ।

ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਗ੍ਰੈਫਾਈਟ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ, ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ 400C 'ਤੇ ਆਕਸੀਡਾਈਜ਼ ਕਰਨਾ ਸ਼ੁਰੂ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਆਕਸੀਕਰਨ ਕਾਰਨ ਪਾਊਡਰ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਹੋਵੇਗਾ, ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਪੈਰੀਫਿਰਲ ਯੰਤਰਾਂ ਅਤੇ ਵੈਕਿਊਮ ਚੈਂਬਰਾਂ ਲਈ ਵਾਤਾਵਰਣ ਪ੍ਰਦੂਸ਼ਣ, ਅਤੇ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਵਾਤਾਵਰਣ ਦੀਆਂ ਅਸ਼ੁੱਧੀਆਂ ਵਧਦੀਆਂ ਹਨ।

ਹਾਲਾਂਕਿ, SiC ਕੋਟਿੰਗ 1600 ਡਿਗਰੀ 'ਤੇ ਭੌਤਿਕ ਅਤੇ ਰਸਾਇਣਕ ਸਥਿਰਤਾ ਨੂੰ ਬਰਕਰਾਰ ਰੱਖ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਇਹ ਆਧੁਨਿਕ ਉਦਯੋਗ, ਖਾਸ ਕਰਕੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਦਯੋਗ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।

ਸਾਡੀ ਕੰਪਨੀ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ, ਵਸਰਾਵਿਕਸ ਅਤੇ ਹੋਰ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਸੀਵੀਡੀ ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ SiC ਕੋਟਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਸੇਵਾਵਾਂ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਜੋ ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਕਾਰਬਨ ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਵਾਲੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਗੈਸਾਂ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ SiC ਅਣੂ, ਕੋਟਿਡ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਸਤਹ 'ਤੇ ਜਮ੍ਹਾ ਅਣੂ, SIC ਸੁਰੱਖਿਆ ਪਰਤ ਬਣਾਉਣਾ. ਬਣਾਈ ਗਈ SIC ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਬੇਸ ਨਾਲ ਮਜ਼ਬੂਤੀ ਨਾਲ ਜੁੜੀ ਹੋਈ ਹੈ, ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਬੇਸ ਨੂੰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ ਨੂੰ ਸੰਖੇਪ, ਪੋਰੋਸਿਟੀ-ਮੁਕਤ, ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।

ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ:

ਮੁੱਖ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ:

1. ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ:

ਜਦੋਂ ਤਾਪਮਾਨ 1700 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ ਤੱਕ ਉੱਚਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਤਾਂ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਜੇ ਵੀ ਬਹੁਤ ਵਧੀਆ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।

2. ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ: ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਕਲੋਰੀਨੇਸ਼ਨ ਸਥਿਤੀ ਦੇ ਤਹਿਤ ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾ ਦੁਆਰਾ ਕੀਤੀ ਗਈ।

3. ਕਟੌਤੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ: ਉੱਚ ਕਠੋਰਤਾ, ਸੰਖੇਪ ਸਤਹ, ਵਧੀਆ ਕਣ.

4. ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ: ਐਸਿਡ, ਖਾਰੀ, ਨਮਕ ਅਤੇ ਜੈਵਿਕ ਰੀਐਜੈਂਟਸ।

CVD-SIC ਕੋਟਿੰਗਾਂ ਦੀਆਂ ਮੁੱਖ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ:

ਸਪਲਾਈ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ:

10000 ਟੁਕੜਾ/ਪੀਸ ਪ੍ਰਤੀ ਮਹੀਨਾ
ਪੈਕੇਜਿੰਗ ਅਤੇ ਡਿਲਿਵਰੀ:
ਪੈਕਿੰਗ: ਮਿਆਰੀ ਅਤੇ ਮਜ਼ਬੂਤ ​​ਪੈਕਿੰਗ
ਪੌਲੀ ਬੈਗ + ਬਾਕਸ + ਡੱਬਾ + ਪੈਲੇਟ
ਪੋਰਟ:
ਨਿੰਗਬੋ/ਸ਼ੇਨਜ਼ੇਨ/ਸ਼ੰਘਾਈ
ਮੇਰੀ ਅਗਵਾਈ ਕਰੋ: