ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਯੰਤਰ ਆਧੁਨਿਕ ਉਦਯੋਗਿਕ ਮਸ਼ੀਨ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦਾ ਕੋਰ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਕੰਪਿਊਟਰਾਂ, ਖਪਤਕਾਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ, ਨੈਟਵਰਕ ਸੰਚਾਰ, ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਅਤੇ ਕੋਰ ਦੇ ਹੋਰ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਦਯੋਗ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਚਾਰ ਬੁਨਿਆਦੀ ਹਿੱਸਿਆਂ ਦਾ ਬਣਿਆ ਹੁੰਦਾ ਹੈ: ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ, ਆਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਉਪਕਰਣ, ਡਿਸਕਰੀਟ ਡਿਵਾਈਸ, ਸੈਂਸਰ, ਜੋ ਕਿ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟਾਂ ਦੇ 80% ਤੋਂ ਵੱਧ ਲਈ ਖਾਤਾ ਹੈ, ਅਕਸਰ ਅਤੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਅਤੇ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ ਬਰਾਬਰ।
ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ, ਉਤਪਾਦ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਚਾਰ ਸ਼੍ਰੇਣੀਆਂ ਵਿੱਚ ਵੰਡਿਆ ਗਿਆ ਹੈ: ਮਾਈਕ੍ਰੋਪ੍ਰੋਸੈਸਰ, ਮੈਮੋਰੀ, ਤਰਕ ਯੰਤਰ, ਸਿਮੂਲੇਟਰ ਹਿੱਸੇ. ਹਾਲਾਂਕਿ, ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਦੇ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਖੇਤਰ ਦੇ ਲਗਾਤਾਰ ਵਿਸਥਾਰ ਦੇ ਨਾਲ, ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਮੌਕਿਆਂ ਲਈ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰਾਂ ਨੂੰ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ, ਮਜ਼ਬੂਤ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ, ਉੱਚ ਸ਼ਕਤੀ ਅਤੇ ਹੋਰ ਵਾਤਾਵਰਣਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨ ਦੇ ਯੋਗ ਹੋਣ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਨੁਕਸਾਨ ਨਾ ਕਰੋ, ਪਹਿਲੀ ਅਤੇ ਦੂਜੀ ਪੀੜ੍ਹੀ. ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਸ਼ਕਤੀਹੀਣ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਇਸ ਲਈ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਤੀਜੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਹੋਂਦ ਵਿੱਚ ਆਈ।
ਵਰਤਮਾਨ ਵਿੱਚ, ਵਿਆਪਕ ਬੈਂਡ ਗੈਪ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਦੁਆਰਾ ਦਰਸਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ(SiC), ਗੈਲਿਅਮ ਨਾਈਟਰਾਈਡ (GaN), ਜ਼ਿੰਕ ਆਕਸਾਈਡ (ZnO), ਹੀਰਾ, ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਨਾਈਟਰਾਈਡ (AlN) ਵਧੇਰੇ ਫਾਇਦਿਆਂ ਦੇ ਨਾਲ ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਮਾਰਕੀਟ 'ਤੇ ਕਬਜ਼ਾ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਸਮੂਹਿਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਤੀਜੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਵਜੋਂ ਜਾਣਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਇੱਕ ਵਿਸ਼ਾਲ ਬੈਂਡ ਗੈਪ ਚੌੜਾਈ ਦੇ ਨਾਲ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਤੀਜੀ ਪੀੜ੍ਹੀ, ਬ੍ਰੇਕਡਾਊਨ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ, ਥਰਮਲ ਕੰਡਕਟੀਵਿਟੀ, ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸੰਤ੍ਰਿਪਤ ਦਰ ਅਤੇ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦਾ ਵਿਰੋਧ ਕਰਨ ਦੀ ਉੱਚ ਸਮਰੱਥਾ, ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ, ਉੱਚ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ, ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਪ੍ਰਤੀ ਵਿਰੋਧ ਅਤੇ ਉੱਚ ਸ਼ਕਤੀ ਵਾਲੇ ਯੰਤਰਾਂ ਨੂੰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਵਧੇਰੇ ਢੁਕਵਾਂ। , ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਾਈਡ ਬੈਂਡਗੈਪ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਵਜੋਂ ਜਾਣੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ (ਵਰਜਿਤ ਬੈਂਡ ਚੌੜਾਈ 2.2 eV ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੈ), ਜਿਸ ਨੂੰ ਉੱਚ ਵੀ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ. ਤੀਜੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਅਤੇ ਡਿਵਾਈਸਾਂ 'ਤੇ ਮੌਜੂਦਾ ਖੋਜ ਤੋਂ, ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਅਤੇ ਗੈਲਿਅਮ ਨਾਈਟਰਾਈਡ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਵਧੇਰੇ ਪਰਿਪੱਕ ਹਨ, ਅਤੇਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਤਕਨਾਲੋਜੀਸਭ ਤੋਂ ਵੱਧ ਪਰਿਪੱਕ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਜ਼ਿੰਕ ਆਕਸਾਈਡ, ਹੀਰਾ, ਐਲੂਮੀਨੀਅਮ ਨਾਈਟਰਾਈਡ ਅਤੇ ਹੋਰ ਸਮੱਗਰੀਆਂ 'ਤੇ ਖੋਜ ਅਜੇ ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਪੜਾਅ 'ਤੇ ਹੈ।
ਸਮੱਗਰੀ ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ:
ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡਵਸਰਾਵਿਕ ਬਾਲ ਬੇਅਰਿੰਗਸ, ਵਾਲਵ, ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ, ਗਾਇਰੋਜ਼, ਮਾਪਣ ਵਾਲੇ ਯੰਤਰਾਂ, ਏਰੋਸਪੇਸ ਅਤੇ ਹੋਰ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਉਦਯੋਗਿਕ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਅਟੱਲ ਸਮੱਗਰੀ ਬਣ ਗਈ ਹੈ।
SiC ਇੱਕ ਕਿਸਮ ਦੀ ਕੁਦਰਤੀ ਸੁਪਰਲੈਟਿਕਸ ਅਤੇ ਇੱਕ ਆਮ ਸਮਰੂਪ ਪੌਲੀਟਾਈਪ ਹੈ। ਸੀ ਅਤੇ ਸੀ ਡਾਇਟੋਮਿਕ ਲੇਅਰਾਂ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਪੈਕਿੰਗ ਕ੍ਰਮ ਵਿੱਚ ਅੰਤਰ ਦੇ ਕਾਰਨ 200 ਤੋਂ ਵੱਧ (ਮੌਜੂਦਾ ਸਮੇਂ ਵਿੱਚ ਜਾਣੇ ਜਾਂਦੇ) ਹੋਮੋਟਾਈਪਿਕ ਪੌਲੀਟਾਈਪਿਕ ਪਰਿਵਾਰ ਹਨ, ਜੋ ਕਿ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰਾਂ ਵੱਲ ਅਗਵਾਈ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਲਈ, SiC ਲਾਈਟ ਐਮੀਟਿੰਗ ਡਾਇਓਡ (LED) ਸਬਸਟਰੇਟ ਸਮੱਗਰੀ, ਉੱਚ ਸ਼ਕਤੀ ਵਾਲੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਨਵੀਂ ਪੀੜ੍ਹੀ ਲਈ ਬਹੁਤ ਢੁਕਵਾਂ ਹੈ।
ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ | |
ਭੌਤਿਕ ਜਾਇਦਾਦ | ਉੱਚ ਕਠੋਰਤਾ (3000kg/mm), ਰੂਬੀ ਕੱਟ ਸਕਦਾ ਹੈ |
ਉੱਚ ਪਹਿਨਣ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਹੀਰੇ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਦੂਜਾ | |
ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ Si ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ 3 ਗੁਣਾ ਵੱਧ ਹੈ ਅਤੇ GaAs ਨਾਲੋਂ 8~10 ਗੁਣਾ ਵੱਧ ਹੈ। | |
SiC ਦੀ ਥਰਮਲ ਸਥਿਰਤਾ ਉੱਚ ਹੈ ਅਤੇ ਵਾਯੂਮੰਡਲ ਦੇ ਦਬਾਅ 'ਤੇ ਪਿਘਲਣਾ ਅਸੰਭਵ ਹੈ | |
ਉੱਚ-ਸ਼ਕਤੀ ਵਾਲੇ ਯੰਤਰਾਂ ਲਈ ਚੰਗੀ ਤਾਪ ਖਰਾਬੀ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਬਹੁਤ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹੈ | |
ਰਸਾਇਣਕ ਸੰਪਤੀ | ਬਹੁਤ ਮਜ਼ਬੂਤ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਕਮਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਲਗਭਗ ਕਿਸੇ ਵੀ ਜਾਣੇ ਜਾਂਦੇ ਖੋਰ ਏਜੰਟ ਪ੍ਰਤੀ ਰੋਧਕ |
SiC ਸਤਹ ਆਸਾਨੀ ਨਾਲ SiO, ਪਤਲੀ ਪਰਤ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਆਕਸੀਡਾਈਜ਼ ਹੋ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਇਸਦੇ ਅਗਲੇ ਆਕਸੀਕਰਨ ਨੂੰ ਰੋਕ ਸਕਦੀ ਹੈ, 1700℃ ਤੋਂ ਉੱਪਰ, ਆਕਸਾਈਡ ਫਿਲਮ ਪਿਘਲ ਜਾਂਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਆਕਸੀਡਾਈਜ਼ ਹੁੰਦੀ ਹੈ | |
4H-SIC ਅਤੇ 6H-SIC ਦਾ ਬੈਂਡਗੈਪ Si ਨਾਲੋਂ ਲਗਭਗ 3 ਗੁਣਾ ਅਤੇ GaAs ਨਾਲੋਂ 2 ਗੁਣਾ ਹੈ: ਬ੍ਰੇਕਡਾਊਨ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਤੀਬਰਤਾ Si ਤੋਂ ਵੱਧ ਤੀਬਰਤਾ ਦਾ ਇੱਕ ਕ੍ਰਮ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਡ੍ਰਾਈਫਟ ਵੇਗ ਸੰਤ੍ਰਿਪਤ ਹੈ ਢਾਈ ਗੁਣਾ ਸੀ. 4H-SIC ਦਾ ਬੈਂਡਗੈਪ 6H-SIC ਨਾਲੋਂ ਚੌੜਾ ਹੈ |
ਪੋਸਟ ਟਾਈਮ: ਅਗਸਤ-01-2022