ਖ਼ਬਰਾਂ

ਬਾਲਣ ਸੈੱਲ ਝਿੱਲੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ, ਕਸਟਮਾਈਜ਼ਡ MEA -1
22-09-21 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਇੱਕ ਝਿੱਲੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਅਸੈਂਬਲੀ (MEA) ਇੱਕ ਅਸੈਂਬਲਡ ਸਟੈਕ ਹੈ: ਪ੍ਰੋਟੋਨ ਐਕਸਚੇਂਜ ਮੇਮਬ੍ਰੇਨ (PEM) ਕੈਟਾਲਿਸਟ ਗੈਸ ਡਿਫਿਊਜ਼ਨ ਲੇਅਰ (GDL) ਝਿੱਲੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਅਸੈਂਬਲੀ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ: ਮੋਟਾਈ 50 μm। ਆਕਾਰ 5 cm2, 16 cm2, 25 cm2, 50 cm2 ਜਾਂ 100 cm2 ਸਰਗਰਮ ਸਤਹ ਖੇਤਰ। ਉਤਪ੍ਰੇਰਕ ਲੋਡਿੰਗ ਐਨੋਡ = 0.5 ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਪਾਵਰ ਟੂਲਸ/ਬੋਟਸ/ਬਾਈਕ/ਸਕੂਟਰਾਂ ਲਈ ਨਵੀਨਤਮ ਇਨੋਵੇਸ਼ਨ ਕਸਟਮ ਫਿਊਲ ਸੈੱਲ MEA
22-09-21 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਇੱਕ ਝਿੱਲੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਅਸੈਂਬਲੀ (MEA) ਇੱਕ ਅਸੈਂਬਲਡ ਸਟੈਕ ਹੈ: ਪ੍ਰੋਟੋਨ ਐਕਸਚੇਂਜ ਮੇਮਬ੍ਰੇਨ (PEM) ਕੈਟਾਲਿਸਟ ਗੈਸ ਡਿਫਿਊਜ਼ਨ ਲੇਅਰ (GDL) ਝਿੱਲੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਅਸੈਂਬਲੀ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ: ਮੋਟਾਈ 50 μm। ਆਕਾਰ 5 cm2, 16 cm2, 25 cm2, 50 cm2 ਜਾਂ 100 cm2 ਸਰਗਰਮ ਸਤਹ ਖੇਤਰ। ਉਤਪ੍ਰੇਰਕ ਲੋਡਿੰਗ ਐਨੋਡ = 0.5 ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਹਾਈਡ੍ਰੋਜਨ ਊਰਜਾ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਦ੍ਰਿਸ਼ ਨਾਲ ਜਾਣ-ਪਛਾਣ
22-09-17 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ

ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਆਟੋਮੈਟਿਕ ਰਿਐਕਟਰ ਉਤਪਾਦਨ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ
22-09-17 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਨਿੰਗਬੋ ਵੀਈਟੀ ਐਨਰਜੀ ਟੈਕਨਾਲੋਜੀ ਕੰ., ਲਿਮਟਿਡ ਚੀਨ ਵਿੱਚ ਸਥਾਪਿਤ ਇੱਕ ਉੱਚ-ਤਕਨੀਕੀ ਉੱਦਮ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਉੱਨਤ ਸਮੱਗਰੀ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਅਤੇ ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਉਤਪਾਦਾਂ 'ਤੇ ਧਿਆਨ ਕੇਂਦਰਤ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਅਸੀਂ ਆਪਣੀ ਫੈਕਟਰੀ ਅਤੇ ਵਿਕਰੀ ਟੀਮ ਦੇ ਨਾਲ ਪੇਸ਼ੇਵਰ ਨਿਰਮਾਤਾ ਅਤੇ ਸਪਲਾਇਰ ਹਾਂ.
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਦੋ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਵੈਕਿਊਮ ਪੰਪ ਅਮਰੀਕਾ ਭੇਜੇ ਗਏ ਸਨ
22-09-14 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ

ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਗ੍ਰੈਫਾਈਟ ਨੂੰ ਵੀਅਤਨਾਮ ਭੇਜਿਆ ਗਿਆ ਸੀ
22-09-14 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ

ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
SiC ਆਕਸੀਕਰਨ - ਰੋਧਕ ਪਰਤ CVD ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੁਆਰਾ ਗ੍ਰੈਫਾਈਟ ਸਤਹ 'ਤੇ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ
22-09-14 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
SiC ਕੋਟਿੰਗ ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾ (CVD), ਪੂਰਵ-ਅਨੁਮਾਨ ਪਰਿਵਰਤਨ, ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਛਿੜਕਾਅ, ਆਦਿ ਦੁਆਰਾ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾ ਦੁਆਰਾ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ ਗਈ ਪਰਤ ਇਕਸਾਰ ਅਤੇ ਸੰਖੇਪ ਹੈ, ਅਤੇ ਚੰਗੀ ਡਿਜ਼ਾਈਨਯੋਗਤਾ ਹੈ। ਮਿਥਾਇਲ ਟ੍ਰਾਈਕਲੋਸੀਲੇਨ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨਾ। (CHzSiCl3, MTS) ਸਿਲੀਕਾਨ ਸਰੋਤ ਵਜੋਂ, SiC ਕੋਟਿੰਗ ਤਿਆਰ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਬਣਤਰ
22-08-30 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਪੌਲੀਮੋਰਫ ਦੀਆਂ ਤਿੰਨ ਮੁੱਖ ਕਿਸਮਾਂ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਦੇ ਲਗਭਗ 250 ਕ੍ਰਿਸਟਲਿਨ ਰੂਪ ਹਨ। ਕਿਉਂਕਿ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਵਿੱਚ ਸਮਾਨ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ ਦੇ ਨਾਲ ਸਮਰੂਪ ਪੌਲੀਟਾਈਪਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਲੜੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਸਿਲਿਕਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਵਿੱਚ ਸਮਰੂਪ ਪੌਲੀਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਨ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ। ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ (ਮੋਸਾਨਾਈਟ)...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
SiC ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ ਦੀ ਖੋਜ ਸਥਿਤੀ
22-08-23 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਉੱਚ ਵੋਲਟੇਜ, ਉੱਚ ਸ਼ਕਤੀ, ਉੱਚ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਅਤੇ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦਾ ਪਿੱਛਾ ਕਰਨ ਵਾਲੇ S1C ਵੱਖਰੇ ਉਪਕਰਣਾਂ ਤੋਂ ਵੱਖ, SiC ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ ਦਾ ਖੋਜ ਟੀਚਾ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਬੁੱਧੀਮਾਨ ਪਾਵਰ ICs ਨਿਯੰਤਰਣ ਸਰਕਟ ਲਈ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਵਾਲਾ ਡਿਜੀਟਲ ਸਰਕਟ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨਾ ਹੈ। ਜਿਵੇਂ ਕਿ SiC ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ ਲਈ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ