ਬੇਸ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀਆਂ ਖਾਸ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ:
| ਸਪੱਸ਼ਟ ਘਣਤਾ: | 1.85 g/cm3 |
| ਬਿਜਲੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ: | 11 μΩm |
| ਲਚਕਦਾਰ ਤਾਕਤ: | 49 MPa (500kgf/cm2) |
| ਕਿਨਾਰੇ ਦੀ ਕਠੋਰਤਾ: | 58 |
| ਐਸ਼: | <5ppm |
| ਥਰਮਲ ਕੰਡਕਟੀਵਿਟੀ: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
ਅਸੀਂ ਸਾਰੇ ਮੌਜੂਦਾ ਐਪੀਟੈਕਸੀ ਰਿਐਕਟਰਾਂ ਲਈ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਸੁਸਪੈਕਟਰ ਅਤੇ ਗ੍ਰੈਫਾਈਟ ਕੰਪੋਨੈਂਟਸ ਸਪਲਾਈ ਕਰਦੇ ਹਾਂ। ਸਾਡੇ ਉਤਪਾਦਾਂ ਵਿੱਚ ਐਲਪੀਈ ਯੂਨਿਟਾਂ ਲਈ ਬੈਰਲ ਸਸੈਪਟਰ, ਐਲਪੀਈ, ਸੀਐਸਡੀ, ਅਤੇ ਜੇਮਿਨੀ ਯੂਨਿਟਾਂ ਲਈ ਪੈਨਕੇਕ ਸਸੈਪਟਰ, ਅਤੇ ਅਪਲਾਈਡ ਅਤੇ ਏਐਸਐਮ ਯੂਨਿਟਾਂ ਲਈ ਸਿੰਗਲ-ਵੇਫਰ ਸਸੈਪਟਰ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ।
ਪ੍ਰਮੁੱਖ OEMs, ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਮੁਹਾਰਤ ਅਤੇ ਨਿਰਮਾਣ ਦੀ ਜਾਣਕਾਰੀ ਨਾਲ ਮਜ਼ਬੂਤ ਸਾਂਝੇਦਾਰੀ ਨੂੰ ਜੋੜ ਕੇ, ਵੈਟ ਤੁਹਾਡੀ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਦੀ ਪੇਸ਼ਕਸ਼ ਕਰਦਾ ਹੈ।
VET ਊਰਜਾ ਹੈ ਦੀCVD ਕੋਟਿੰਗ ਦੇ ਨਾਲ ਕਸਟਮਾਈਜ਼ਡ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਉਤਪਾਦਾਂ ਦਾ ਅਸਲ ਨਿਰਮਾਤਾ,ਸਪਲਾਈ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈਵੱਖ-ਵੱਖਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਅਤੇ ਫੋਟੋਵੋਲਟੇਇਕ ਉਦਯੋਗ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਹਿੱਸੇ. Our ਤਕਨੀਕੀ ਟੀਮ ਚੋਟੀ ਦੇ ਘਰੇਲੂ ਖੋਜ ਸੰਸਥਾਵਾਂ ਤੋਂ ਆਉਂਦੀ ਹੈ, ਵਧੇਰੇ ਪੇਸ਼ੇਵਰ ਸਮੱਗਰੀ ਹੱਲ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈਤੁਹਾਡੇ ਲਈ.
Fਸਾਡੇ ਉਤਪਾਦਾਂ ਦਾ ਭੋਜਨ:
1. 1700 ਤੱਕ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ℃.
2. ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਅਤੇਥਰਮਲ ਇਕਸਾਰਤਾ
3. ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ: ਐਸਿਡ, ਖਾਰੀ, ਨਮਕ ਅਤੇ ਜੈਵਿਕ ਰੀਐਜੈਂਟਸ.
4. ਉੱਚ ਕਠੋਰਤਾ, ਸੰਖੇਪ ਸਤਹ, ਜੁਰਮਾਨਾ ਕਣ.
5. ਲੰਬੀ ਸੇਵਾ ਜੀਵਨ ਅਤੇ ਵਧੇਰੇ ਟਿਕਾਊ
| ਸੀਵੀਡੀ SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC ਦੀਆਂ ਬੁਨਿਆਦੀ ਭੌਤਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂਪਰਤ | |
| 性质 / ਜਾਇਦਾਦ | 典型数值 / ਖਾਸ ਮੁੱਲ |
| 晶体结构 / ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ | FCC β ਪੜਾਅ多晶, 主要为 (111) 取向 |
| 密度 / ਘਣਤਾ | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / ਕਠੋਰਤਾ | 2500 维氏硬度（500g ਲੋਡ） |
| 晶粒大小 / ਅਨਾਜ ਦਾ ਆਕਾਰ | 2~10μm |
| 纯度 / ਰਸਾਇਣਕ ਸ਼ੁੱਧਤਾ | 99.99995% |
| 热容 / ਗਰਮੀ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ | 640 J·kg-1· ਕੇ-1 |
| 升华温度 / ਉੱਤਮਤਾ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ | 2700℃ |
| 抗弯强度 / flexural ਤਾਕਤ | 415 MPa RT 4-ਪੁਆਇੰਟ |
| 杨氏模量 / ਯੰਗ ਦਾ ਮਾਡਿਊਲਸ | 430 Gpa 4pt ਮੋੜ, 1300℃ |
| 导热系数 / ਥਰਮਾlਸੰਚਾਲਕਤਾ | 300W·m-1· ਕੇ-1 |
| 热膨胀系数 / ਥਰਮਲ ਵਿਸਥਾਰ (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
ਸਾਡੀ ਫੈਕਟਰੀ ਦਾ ਦੌਰਾ ਕਰਨ ਲਈ ਤੁਹਾਡਾ ਨਿੱਘਾ ਸੁਆਗਤ ਹੈ, ਆਓ ਹੋਰ ਚਰਚਾ ਕਰੀਏ!
