ଆମେ ଜାଣୁ ଯେ ଯଦି ଆମେ ଟପ୍ ଯୋଗାଣକାରୀ ଗ୍ରେ ବ୍ଲାକ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସିକ୍ କାର୍ବୋରୁଣ୍ଡମ୍ ଚାଇନା ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା ପାଇଁ ଆମର ମିଳିତ ମୂଲ୍ୟ ପ୍ରତିଯୋଗୀତା ଏବଂ ଗୁଣାତ୍ମକ ଲାଭ ପାଇଁ ଗ୍ୟାରେଣ୍ଟି ଦେଇପାରିବା ତେବେ ଆମେ କେବଳ ଆଗକୁ ବ, ଼ୁ, ଆମ ସହିତ କଥା ହେବା ପାଇଁ ଆମେ ବିଭିନ୍ନ ବର୍ଗର ନୂତନ ଏବଂ ପୂର୍ବ ଗ୍ରାହକମାନଙ୍କୁ ସ୍ୱାଗତ କରୁ | ଭବିଷ୍ୟତର ସଂଗଠନ ସମ୍ପର୍କ ଏବଂ ପାରସ୍ପରିକ ସଫଳତା ହାସଲ କରନ୍ତୁ!
ଆମେ ଜାଣୁ ଯେ ଆମେ କେବଳ ଆଗକୁ ବ if ଼ିବା ଯଦି ଆମେ ଆମର ମିଳିତ ମୂଲ୍ୟ ପ୍ରତିଯୋଗିତା ଏବଂ ଗୁଣବତ୍ତା ପାଇଁ ଏକ ସମୟରେ ଲାଭଦାୟକ ଗ୍ୟାରେଣ୍ଟି ଦେଇପାରିବା |ଚାଇନା ଆବରଣ ସାମଗ୍ରୀ |, ଟାଇଟାନିୟମ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ |, ଆମର କମ୍ପାନୀ “ନବସୃଜନ, ସ harmony ହାର୍ଦ୍ଦ୍ୟ, ଦଳ କାର୍ଯ୍ୟ ଏବଂ ଅଂଶୀଦାର, ପଥ, ପ୍ରଗତିଶୀଳ ପ୍ରଗତି” ର ଆତ୍ମାକୁ ସମର୍ଥନ କରେ | ଆମକୁ ଏକ ସୁଯୋଗ ଦିଅ ଏବଂ ଆମେ ଆମର ସାମର୍ଥ୍ୟ ପ୍ରମାଣ କରିବାକୁ ଯାଉଛୁ | ତୁମର ଦୟାଳୁ ସାହାଯ୍ୟରେ, ଆମେ ବିଶ୍ୱାସ କରୁ ଯେ ଆମେ ତୁମ ସହିତ ଏକ ଉଜ୍ଜ୍ୱଳ ଭବିଷ୍ୟତ ସୃଷ୍ଟି କରିପାରିବା |
କାର୍ବନ / କାର୍ବନ କମ୍ପୋଜିଟ୍ |(ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ “C / C କିମ୍ବା CFC ”) ଏକ ପ୍ରକାର ମିଶ୍ରିତ ସାମଗ୍ରୀ ଯାହା କାର୍ବନ ଉପରେ ଆଧାରିତ ଏବଂ କାର୍ବନ ଫାଇବର ଏବଂ ଏହାର ଉତ୍ପାଦ (କାର୍ବନ ଫାଇବର ପ୍ରିଫର୍ମ) ଦ୍ୱାରା ସଶକ୍ତ | ଏଥିରେ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳର ନିଷ୍କ୍ରିୟତା ଏବଂ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳର ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଅଛି | ଏହାର ଭଲ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ, ଉତ୍ତାପ ପ୍ରତିରୋଧ, କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ, ଘର୍ଷଣ ଡ଼ମ୍ପିଂ ଏବଂ ତାପଜ ଏବଂ ବ electrical ଦୁତିକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଅଛି |
CVD-SiCସ୍ଥିର ଶାରୀରିକ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ଗୁଣ ସହିତ ଆବରଣର ସମାନ ଗଠନ, କମ୍ପାକ୍ଟ ସାମଗ୍ରୀ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ, ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ, ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା, ଏସିଡ୍ ଏବଂ କ୍ଷାର ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଜ organic ବ ପୁନ ag ର ଗୁଣ ରହିଛି |
ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ସହିତ ତୁଳନା କଲେ, ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ 400C ରେ ଅକ୍ସିଡାଇଜ୍ ହେବା ଆରମ୍ଭ କରେ, ଯାହା ଅକ୍ସିଡେସନ୍ କାରଣରୁ ପାଉଡର ନଷ୍ଟ ହୋଇଯାଏ, ଫଳସ୍ୱରୂପ ପେରିଫେରାଲ୍ ଡିଭାଇସ୍ ଏବଂ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଚାମ୍ବରରେ ପରିବେଶ ପ୍ରଦୂଷଣ ହୁଏ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧ ପରିବେଶର ଅପରିଷ୍କାରତା ବ increase େ |
ତଥାପି, SiC ଆବରଣ 1600 ଡିଗ୍ରୀରେ ଶାରୀରିକ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ସ୍ଥିରତା ବଜାୟ ରଖିପାରେ, ଏହା ଆଧୁନିକ ଶିଳ୍ପରେ ବିଶେଷ ଭାବରେ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ଆମ କମ୍ପାନୀ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍, ସେରାମିକ୍ସ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀର ପୃଷ୍ଠରେ CVD ପଦ୍ଧତି ଦ୍ Si ାରା SiC ଆବରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସେବା ଯୋଗାଇଥାଏ, ଯାହା ଦ୍ carbon ାରା କାର୍ବନ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ଧାରଣ କରିଥିବା ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ଗ୍ୟାସ୍ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ହୋଇ ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା SiC ଅଣୁ, ଆବୃତ ସାମଗ୍ରୀର ପୃଷ୍ଠରେ ଜମା ହୋଇଥିବା ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ, SIC ପ୍ରତିରକ୍ଷା ସ୍ତର ଗଠନ | ଗଠିତ ସିଆରସିସି ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବେସ୍ ସହିତ ଦୃ ly ଭାବରେ ବନ୍ଧା ହୋଇଛି, ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବେସ୍କୁ ବିଶେଷ ଗୁଣ ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ, ଏହିପରି ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ କମ୍ପାକ୍ଟ, ପୋରୋସିଟିମୁକ୍ତ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ, କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧକ |
ମୁଖ୍ୟ ବ features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ:
ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ:
ଯେତେବେଳେ ତାପମାତ୍ରା 1600 C ରୁ ଅଧିକ ଥାଏ ସେତେବେଳେ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ବହୁତ ଭଲ |
ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା: ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା କ୍ଲୋରିନେସନ୍ ଅବସ୍ଥାରେ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ଦ୍ୱାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ |
3। କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ: ଉଚ୍ଚ କଠିନତା, କମ୍ପାକ୍ଟ ଭୂପୃଷ୍ଠ, ସୂକ୍ଷ୍ମ କଣିକା |
ଜର ପ୍ରତିରୋଧ: ଏସିଡ୍, କ୍ଷାର, ଲୁଣ ଏବଂ ଜ organic ବ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା |
CVD-SIC ଆବରଣର ମୁଖ୍ୟ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ:
| SiC-CVD | ||
| ଘନତା | (g / cc)
| 3.21 |
| ନମନୀୟ ଶକ୍ତି | | (Mpa)
| 470 |
| ତାପଜ ବିସ୍ତାର | | (10-6 / K) | 4
|
| ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି | | (W / mK) | 300
|
