VET ଏନର୍ଜି ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (ସିସି) ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ୱେଫର୍ ହେଉଛି ଏକ ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ପ୍ରଶସ୍ତ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଯାହା ଉଚ୍ଚ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ, ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ସହିତ | ନୂତନ ପି generation ଼ିର ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଏହା ଏକ ଆଦର୍ଶ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ | VET ଶକ୍ତି ଉନ୍ନତ MOCVD ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବ୍ୟବହାର କରି SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ SiC ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ବ grow ାଇଥାଏ, ୱେଫରର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ସ୍ଥିରତାକୁ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ |
ଆମର ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (ସିସି) ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ୱାଫର୍ ସି ୱେଫର୍, ସିସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, ସୋଇ ୱାଫର୍, ଏବଂ ସିଏନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସହିତ ବିଭିନ୍ନ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ସହିତ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ସୁସଙ୍ଗତତା ପ୍ରଦାନ କରେ | ଏହାର ଦୃ ust ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ସହିତ, ଏହା ଉନ୍ନତ ପ୍ରକ୍ରିୟାଗୁଡ଼ିକୁ ସମର୍ଥନ କରେ ଯେପରିକି ଏପି ୱେଫର୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଏବଂ ଗାଲିୟମ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ Ga2O3 ଏବଂ AlN ୱାଫର୍ ଭଳି ସାମଗ୍ରୀ ସହିତ ଏକୀକରଣ, ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାରେ ବହୁମୁଖୀ ବ୍ୟବହାର ନିଶ୍ଚିତ କରେ | ଶିଳ୍ପ-ମାନକ କ୍ୟାସେଟ୍ ହ୍ୟାଣ୍ଡଲିଂ ସିଷ୍ଟମ୍ ସହିତ ସୁସଙ୍ଗତ ହେବା ପାଇଁ ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇଛି, ଏହା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଗଠନ ପରିବେଶରେ ଦକ୍ଷ ଏବଂ ଶୃଙ୍ଖଳିତ କାର୍ଯ୍ୟକୁ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ |
VET ଏନର୍ଜିର ଉତ୍ପାଦ ଲାଇନ କେବଳ ସିସି ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ୱାଫର୍ ମଧ୍ୟରେ ସୀମିତ ନୁହେଁ | ଆମେ ମଧ୍ୟ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଯୋଗାଇଥାଉ, ଯେପରିକି ସି ୱାଫର୍, ସିସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, ସୋଇ ୱାଫର୍, ସିଏନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, ଏପି ୱାଫର୍ ଇତ୍ୟାଦି | ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଭବିଷ୍ୟତର ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଶିଳ୍ପର ଚାହିଦା ପୂରଣ କରିବାକୁ ୱାଫର୍ |
ୱାଫେରିଙ୍ଗ ବିଶେଷତା |
* n-Pm = n-type Pm-Grade, n-Ps = n-type Ps-Grade, Sl = Semi-lnsulating
| ଆଇଟମ୍ | | 8-ଇଞ୍ଚ | | 6-ଇଞ୍ଚ | | 4-ଇଞ୍ଚ | | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| ଧନୁ (GF3YFCD) - ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ମୂଲ୍ୟ | | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| ୱାର୍ପ (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV (SBIR) -10mmx10mm | | <2μm | ||||
| ୱାଫର୍ ଏଜ୍ | | ବେଭେଲିଂ | ||||
ସୁରଫ୍ ସମାପ୍ତ
* n-Pm = n-type Pm-Grade, n-Ps = n-type Ps-Grade, Sl = Semi-lnsulating
| ଆଇଟମ୍ | | 8-ଇଞ୍ଚ | | 6-ଇଞ୍ଚ | | 4-ଇଞ୍ଚ | | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| ପୃଷ୍ଠଭୂମି ସମାପ୍ତ | ଡବଲ୍ ସାଇଡ୍ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ପୋଲାଣ୍ଡ, ସି- ଫେସ୍ CMP | | ||||
| SurfaceRoughness | | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | | |||
| ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ | | କ None ଣସିଟି ଅନୁମତିପ୍ରାପ୍ତ ନୁହେଁ (ଲମ୍ବ ଏବଂ ମୋଟେଇ ≥0.5 ମିମି) | ||||
| ସୂଚାଇଥାଏ | | କିଛି ଅନୁମତି ନାହିଁ | | ||||
| ସ୍କ୍ରାଚ୍ (ସି-ଫେସ୍) | Qty.≤5, ସଂକଳନ | | Qty.≤5, ସଂକଳନ | | Qty.≤5, ସଂକଳନ | | ||
| ଫାଟଗୁଡିକ | | କିଛି ଅନୁମତି ନାହିଁ | | ||||
| ଧାର ବହିଷ୍କାର | | 3 ମିମି | ||||
