RTP / RTA ପାଇଁ SiC ଆବରଣ ବାହକ ହେଉଛି ରାପିଡ୍ ଥର୍ମାଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ଏବଂ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ନାମକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବ୍ୟବହୃତ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ଉପାଦାନ, ଆମେ ଅତ୍ୟଧିକ ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା, ଭଲ ଆବରଣର ସମାନତା ଏବଂ ଏକ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ସେବା ଜୀବନ ସହିତ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ବାହକ ତିଆରି କରିବା ପାଇଁ ଆମର ପେଟେଣ୍ଟେଡ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବ୍ୟବହାର କରୁ | ଉଚ୍ଚ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ତାପଜ ସ୍ଥିରତା ଗୁଣ |
ଆମର ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକର ବ Features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ:
1700 High ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ |
2। ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା ଏବଂ ତାପଜ ସମାନତା |
3। ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ: ଏସିଡ୍, କ୍ଷାର, ଲୁଣ ଏବଂ ଜ organic ବ ପୁନ ag |
4। ଉଚ୍ଚ କଠିନତା, କମ୍ପାକ୍ଟ ଭୂପୃଷ୍ଠ, ସୂକ୍ଷ୍ମ କଣିକା |
5। ଦୀର୍ଘ ସେବା ଜୀବନ ଏବଂ ଅଧିକ ସ୍ଥାୟୀ |
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC ର ମ Basic ଳିକ ଭ physical ତିକ ଗୁଣ |ଆବରଣ | |
| 性质 / ସମ୍ପତ୍ତି | 典型数值 / ସାଧାରଣ ମୂଲ୍ୟ |
| 晶体结构 / କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ଗଠନ | FCC β ପର୍ଯ୍ୟାୟ |多晶，主要为（111 ）取向 |
| 密度 / ଘନତା | 3.21 g / cm³ |
| 硬度 / କଠିନତା | | 2500 维氏硬度（ 500g ଭାର） |
| 晶粒大小 / ଶସ୍ୟ SiZe | | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / ରାସାୟନିକ ଶୁଦ୍ଧତା | | 99.99995% |
| 热容 / ଉତ୍ତାପ କ୍ଷମତା | | 640 J · kg-1· K।-1 |
| 升华温度 / ସବ୍ଲିମେସନ୍ ତାପମାତ୍ରା | | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / ଫ୍ଲେକ୍ସଚରାଲ୍ ଶକ୍ତି | | 415 MPa RT 4-ପଏଣ୍ଟ | |
| 杨氏模量 / ୟଙ୍ଗ୍ ମଡ୍ୟୁଲସ୍ | | 430 Gpa 4pt ବଙ୍କା, 1300 ℃ | |
| 导热系数 / ଥର୍ମାlଚାଳନା | 300W · ମି-1· K।-1 |
| 热膨胀系数 / ଥର୍ମାଲ୍ ବିସ୍ତାର (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
VET ଶକ୍ତି ହେଉଛି କଷ୍ଟୋମାଇଜଡ୍ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଉତ୍ପାଦର ପ୍ରକୃତ ଉତ୍ପାଦକ ଯାହାକି ସିସି ଆବରଣ, TaC ଆବରଣ, ଗ୍ଲାସୀ କାର୍ବନ ଆବରଣ, ପିରୋଲାଇଟିକ୍ କାର୍ବନ ଆବରଣ ଇତ୍ୟାଦି, ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଏବଂ ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ଶିଳ୍ପ ପାଇଁ ବିଭିନ୍ନ କଷ୍ଟୋମାଇଜ୍ ଅଂଶ ଯୋଗାଇପାରେ |
ଆମର ବ technical ଷୟିକ ଦଳ ଶୀର୍ଷ ଘରୋଇ ଅନୁସନ୍ଧାନ ଅନୁଷ୍ଠାନରୁ ଆସିଥାଏ, ଆପଣଙ୍କ ପାଇଁ ଅଧିକ ବୃତ୍ତିଗତ ସାମଗ୍ରୀ ସମାଧାନ ପ୍ରଦାନ କରିପାରିବ |
ଅଧିକ ଉନ୍ନତ ସାମଗ୍ରୀ ଯୋଗାଇବା ପାଇଁ ଆମେ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ଉନ୍ନତ ପ୍ରକ୍ରିୟାଗୁଡ଼ିକର ବିକାଶ କରୁ ଏବଂ ଏକ ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ପେଟେଣ୍ଟେଡ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି କାର୍ଯ୍ୟ କରିଛୁ, ଯାହା ଆବରଣ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମଧ୍ୟରେ ବନ୍ଧନକୁ ଅଧିକ କଠିନ ଏବଂ ପୃଥକ ପୃଥକ ପ୍ରବୃତ୍ତି କରିପାରେ |
ଆମ କାରଖାନା ପରିଦର୍ଶନ କରିବାକୁ ଆପଣଙ୍କୁ ସ୍ୱାଗତ, ଆସନ୍ତୁ ଅଧିକ ଆଲୋଚନା କରିବା!
