ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଚୁଲା ହେଉଛି ମୂଳ ଉପକରଣ |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |ସ୍ଫଟିକ୍ ବୃଦ୍ଧି ଏହା ପାରମ୍ପାରିକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ଗ୍ରେଡ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଚୁଲା ସହିତ ସମାନ | ଚୁଲା ଗଠନ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଜଟିଳ ନୁହେଁ | ଏହା ମୁଖ୍ୟତ f ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଶରୀର, ଗରମ ପ୍ରଣାଳୀ, କୋଇଲ୍ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ମେକାନିଜିମ୍, ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଅଧିଗ୍ରହଣ ଏବଂ ମାପ ପ୍ରଣାଳୀ, ଗ୍ୟାସ୍ ପାଥ୍ ସିଷ୍ଟମ୍, କୁଲିଂ ସିଷ୍ଟମ୍, କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ଇତ୍ୟାଦିରେ ଗଠିତ | ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ଏବଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅବସ୍ଥା ଏହାର ମୁଖ୍ୟ ସୂଚକ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରେ |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ |ଯେପରି ଗୁଣବତ୍ତା, ଆକାର, କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଇତ୍ୟାଦି |
ଗୋଟିଏ ପଟେ, ଅଭିବୃଦ୍ଧି ସମୟରେ ତାପମାତ୍ରା |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ |ବହୁତ ଉଚ୍ଚ ଏବଂ ଏହାକୁ ତଦାରଖ କରାଯାଇପାରିବ ନାହିଁ | ତେଣୁ, ମୁଖ୍ୟ ଅସୁବିଧା ହେଉଛି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ | ମୁଖ୍ୟ ଅସୁବିଧାଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି:
(1) ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ନିୟନ୍ତ୍ରଣରେ ଅସୁବିଧା: ବନ୍ଦ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଗୁହାଳର ମନିଟରିଂ କଷ୍ଟସାଧ୍ୟ ଏବଂ ଅନିୟନ୍ତ୍ରିତ | ପାରମ୍ପାରିକ ସିଲିକନ୍-ଆଧାରିତ ସମାଧାନଠାରୁ ଭିନ୍ନ, ଏକ ଉଚ୍ଚ ଡିଗ୍ରୀ ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ଏବଂ ପର୍ଯ୍ୟବେକ୍ଷଣଯୋଗ୍ୟ ଏବଂ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟା ସହିତ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକ 2,000 above ରୁ ଅଧିକ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପରିବେଶରେ ଏକ ବନ୍ଦ ସ୍ଥାନରେ ବ grow ିଥାଏ ଏବଂ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ତାପମାତ୍ରା | ଉତ୍ପାଦନ ସମୟରେ ସଠିକ୍ ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ, ଯାହା ତାପମାତ୍ରା ନିୟନ୍ତ୍ରଣକୁ କଷ୍ଟକର କରିଥାଏ;
(୨) ସ୍ଫଟିକ୍ ଫର୍ମ ନିୟନ୍ତ୍ରଣରେ ଅସୁବିଧା: ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍, ପଲିମୋର୍ଫିକ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ, ସ୍ଥାନାନ୍ତର ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ତ୍ରୁଟି ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଘଟିଥାଏ, ଏବଂ ସେମାନେ ପରସ୍ପରକୁ ପ୍ରଭାବିତ କରନ୍ତି ଏବଂ ବିକଶିତ କରନ୍ତି | ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ (ସାଂସଦ) ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ମାଇକ୍ରନ୍ ଠାରୁ ଦଶ ମାଇକ୍ରନ୍ ଆକାର ବିଶିଷ୍ଟ ପ୍ରକାରର ତ୍ରୁଟି, ଯାହା ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ଘାତକ ତ୍ରୁଟି | ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକରେ 200 ରୁ ଅଧିକ ବିଭିନ୍ନ ସ୍ଫଟିକ୍ ଫର୍ମ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ, କିନ୍ତୁ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ଅଳ୍ପ କିଛି ସ୍ଫଟିକ୍ ସଂରଚନା (4H ପ୍ରକାର) ହେଉଛି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ | ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ସ୍ଫଟିକ୍ ଫର୍ମ ରୂପାନ୍ତର ସହଜ, ଫଳସ୍ୱରୂପ ପଲିମୋର୍ଫିକ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତିର ତ୍ରୁଟି ଦେଖାଦେଇଥାଏ | ତେଣୁ, ସିଲିକନ୍-କାର୍ବନ ଅନୁପାତ, ଅଭିବୃଦ୍ଧି ତାପମାତ୍ରା ଗ୍ରେଡିଏଣ୍ଟ୍, ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ହାର ଏବଂ ବାୟୁ ପ୍ରବାହ ଚାପ ପରି ପାରାମିଟରଗୁଡ଼ିକୁ ସଠିକ୍ ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ | ଏଥିସହ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧିର ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଏକ ତାପମାତ୍ରା ଗ୍ରେଡିଏଣ୍ଟ୍ ଅଛି, ଯାହା ସ୍ native ଚ୍ଛ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଦେଶୀ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ଚାପ ଏବଂ ଫଳାଫଳ ସ୍ଥାନାନ୍ତରଣ (ବେସାଲ୍ ପ୍ଲେନ ସ୍ଥାନାନ୍ତର BPD, ସ୍କ୍ରୁ ଡିସ୍ଲୋକେସନ୍ TSD, ଧାର ସ୍ଥାନାନ୍ତର TED) କୁ ନେଇଥାଏ | ପରବର୍ତ୍ତୀ ଏପିଟାକ୍ସି ଏବଂ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ଗୁଣବତ୍ତା ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ପ୍ରଭାବିତ କରେ |
()) କଷ୍ଟସାଧ୍ୟ ଡୋପିଂ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ: ଦିଗଦର୍ଶନ ଡୋପିଂ ସହିତ ଏକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ପାଇବା ପାଇଁ ବାହ୍ୟ ଅପରିଷ୍କାରର ପରିଚୟ ନିଶ୍ଚିତ ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ;
()) ଧୀର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ହାର: ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ହାର ବହୁତ ଧୀର | ପାରମ୍ପାରିକ ସିଲିକନ୍ ସାମଗ୍ରୀଗୁଡିକ ଏକ ସ୍ଫଟିକ୍ ରଡରେ ବ grow ିବା ପାଇଁ ମାତ୍ର 3 ଦିନ ଆବଶ୍ୟକ କରୁଥିବାବେଳେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ରଡଗୁଡିକ 7 ଦିନ ଆବଶ୍ୟକ କରେ | ଏହା ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ର ପ୍ରାକୃତିକ ଭାବରେ କମ୍ ଉତ୍ପାଦନ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ବହୁତ ସୀମିତ ଆଉଟପୁଟ୍ କୁ ନେଇଥାଏ |
ଅନ୍ୟ ପଟେ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧିର ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଆବଶ୍ୟକ, ଯନ୍ତ୍ରାଂଶଗୁଡ଼ିକର ବାୟୁ-ଦୃ ness ତା, ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ଗ୍ୟାସ୍ ଚାପର ସ୍ଥିରତା, ଗ୍ୟାସ୍ ପରିଚୟ ସମୟର ସଠିକ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ, ଗ୍ୟାସର ସଠିକତା | ଅନୁପାତ, ଏବଂ ଜମା ତାପମାତ୍ରାର କଠୋର ପରିଚାଳନା | ବିଶେଷ ଭାବରେ, ଡିଭାଇସର ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ସ୍ତରର ଉନ୍ନତି ସହିତ, ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ୱେଫର୍ ର ମୂଳ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବାରେ ଅସୁବିଧା ଯଥେଷ୍ଟ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଛି | ଏଥିସହ, ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତରର ଘନତା ବୃଦ୍ଧି ସହିତ, ପ୍ରତିରୋଧର ସମାନତାକୁ କିପରି ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରାଯାଇପାରିବ ଏବଂ ତ୍ରୁଟିର ଘନତାକୁ ହ୍ରାସ କରାଯାଇପାରିବ, ଘନତା ନିଶ୍ଚିତ କରିବା ଅନ୍ୟ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ଆହ୍ become ାନ ପାଲଟିଛି | ବିଦ୍ୟୁତକରଣ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପ୍ରଣାଳୀରେ, ବିଭିନ୍ନ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ସଠିକ୍ ଏବଂ ସ୍ଥିର ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହୋଇପାରିବ କି ନାହିଁ ନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ ଉଚ୍ଚ-ସଠିକତା ସେନ୍ସର ଏବଂ ଆକ୍ଟୁଏଟର୍ଗୁଡ଼ିକୁ ଏକତ୍ର କରିବା ଆବଶ୍ୟକ | ସେହି ସମୟରେ, କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଆଲଗୋରିଦମର ଅପ୍ଟିମାଇଜେସନ୍ ମଧ୍ୟ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ | ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବିଭିନ୍ନ ପରିବର୍ତ୍ତନ ସହିତ ଖାପ ଖୁଆଇବା ପାଇଁ ଫିଡବ୍ୟାକ୍ ସିଗନାଲ୍ ଅନୁଯାୟୀ ରିଅଲ୍ ସମୟରେ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଷ୍ଟ୍ରାଟେଜୀକୁ ସଜାଡିବାରେ ସକ୍ଷମ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ |
ଏଥିରେ ମୁଖ୍ୟ ଅସୁବିଧା |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ |ଉତ୍ପାଦନ:
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଜୁନ୍ -07-2024 |