ପ୍ରଥମ ପି generation ଼ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ପାରମ୍ପାରିକ ସିଲିକନ୍ (ସି) ଏବଂ ଜର୍ମାନିୟମ୍ (ଜି) ଦ୍ୱାରା ଉପସ୍ଥାପିତ ହୋଇଛି, ଯାହା ଏକୀକୃତ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଆଧାର ଅଟେ | ସେଗୁଡିକ ଲୋ-ଭୋଲଟେଜ୍, ଲୋ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଲୋ-ପାୱାର ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଏବଂ ଡିଟେକ୍ଟରରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | 90% ରୁ ଅଧିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକ ସିଲିକନ୍ ଆଧାରିତ ସାମଗ୍ରୀରେ ନିର୍ମିତ;
ଦ୍ୱିତୀୟ ପି generation ଼ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଗ୍ୟାଲିୟମ୍ ଆର୍ସେନାଇଡ୍ (GaAs), ଇଣ୍ଡିଆମ୍ ଫସଫାଇଡ୍ (ଇନ୍ପି) ଏବଂ ଗାଲିୟମ୍ ଫସଫାଇଡ୍ (GaP) ଦ୍ୱାରା ପ୍ରତିନିଧିତ୍। | ସିଲିକନ୍-ଆଧାରିତ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ତୁଳନାରେ, ସେମାନଙ୍କର ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ହାଇ ସ୍ପିଡ୍ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଗୁଣ ରହିଛି ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ;
ତୃତୀୟ ପି generation ଼ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀଗୁଡିକ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (ସିସି), ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN), ଜିଙ୍କ ଅକ୍ସାଇଡ୍ (ZnO), ହୀରା (C), ଏବଂ ଆଲୁମିନିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (AlN) ପରି ଉଦୀୟମାନ ସାମଗ୍ରୀ ଦ୍ୱାରା ଉପସ୍ଥାପିତ ହୁଏ |
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |ତୃତୀୟ ପି generation ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପର ବିକାଶ ପାଇଁ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ମ basic ଳିକ ପଦାର୍ଥ | ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପାୱାର୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ସେମାନଙ୍କର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରତିରୋଧ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ, କମ୍ କ୍ଷତି ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଗୁଣ ସହିତ ପାୱାର୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସିଷ୍ଟମର ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା, କ୍ଷୁଦ୍ରକରଣ ଏବଂ ହାଲୁକା ଆବଶ୍ୟକତାକୁ ଫଳପ୍ରଦ ଭାବରେ ପୂରଣ କରିପାରିବ |
ଏହାର ଉନ୍ନତ ଶାରୀରିକ ଗୁଣଗୁଡିକ ହେତୁ: ଉଚ୍ଚ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଫାଙ୍କା (ଉଚ୍ଚ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଫିଲ୍ଡ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ସାନ୍ଧ୍ରତା ଅନୁରୂପ), ଉଚ୍ଚ ବ electrical ଦୁତିକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ଚାଳନା, ଭବିଷ୍ୟତରେ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଚିପ୍ସ ତିଆରି ପାଇଁ ଏହା ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ମ basic ଳିକ ପଦାର୍ଥ ହେବ ବୋଲି ଆଶା କରାଯାଏ | । ବିଶେଷକରି ନୂତନ ଶକ୍ତି ଯାନ, ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ଶକ୍ତି ଉତ୍ପାଦନ, ରେଳ ଗମନାଗମନ, ସ୍ମାର୍ଟ ଗ୍ରୀଡ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଏହାର ସ୍ପଷ୍ଟ ସୁବିଧା ଅଛି |
SiC ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ତିନୋଟି ମୁଖ୍ୟ ପଦକ୍ଷେପରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇଛି: ସିସି ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି, ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ବୃଦ୍ଧି ଏବଂ ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନ, ଯାହା ଶିଳ୍ପ ଶୃଙ୍ଖଳାର ଚାରୋଟି ପ୍ରମୁଖ ଲିଙ୍କ୍ ସହିତ ଅନୁରୂପ:ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ |, epitaxy, ଉପକରଣ ଏବଂ ମଡ୍ୟୁଲଗୁଡ଼ିକ
ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ କରିବାର ମୁଖ୍ୟ ସ୍ରୋତ ପ୍ରଣାଳୀ ପ୍ରଥମେ ଭ physical ତିକ ବାଷ୍ପ ସବ୍ଲିମିସନ୍ ପଦ୍ଧତିକୁ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍ ପରିବେଶରେ ପାଉଡରକୁ ସବ୍ଲିମିଟ୍ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହାର କରେ ଏବଂ ଏକ ତାପମାତ୍ରା କ୍ଷେତ୍ର ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ମାଧ୍ୟମରେ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ ଉପରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ବ grow ାଏ | ଏକ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫର୍ କୁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରି ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଡିପୋଜିଟେସନ୍ ଏକ ସ୍ଫଟିକର ଏକ ସ୍ତରକୁ ୱେଫର୍ ଉପରେ ଜମା କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ସେଥିମଧ୍ୟରୁ, ଏକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଏକ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ବ power ାଇବା ଶକ୍ତି ଉପକରଣରେ ତିଆରି କରାଯାଇପାରେ, ଯାହା ମୁଖ୍ୟତ electric ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ, ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ସ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏକ ସେମି-ଇନସୁଲେଟିଂ ଉପରେ ଏକ ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ବ growing ିବା |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ |5G ଯୋଗାଯୋଗ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବ୍ୟବହୃତ ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଡିଭାଇସରେ ଅଧିକ ତିଆରି କରାଯାଇପାରେ |
ବର୍ତ୍ତମାନ ପାଇଁ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଗୁଡିକରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଶିଳ୍ପ ଶୃଙ୍ଖଳରେ ସର୍ବାଧିକ ବ technical ଷୟିକ ପ୍ରତିବନ୍ଧକ ରହିଛି ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ କରିବା କଷ୍ଟକର |
SiC ର ଉତ୍ପାଦନ ବୋତଲ ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ରୂପେ ସମାଧାନ ହୋଇନାହିଁ, ଏବଂ କ raw ୍ଚାମାଲ କ୍ରିଷ୍ଟାଲ ସ୍ତମ୍ଭର ଗୁଣବତ୍ତା ଅସ୍ଥିର ଏବଂ ସେଠାରେ ଏକ ଉତ୍ପାଦନ ସମସ୍ୟା ଅଛି, ଯାହା ସିସି ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ଅଧିକ ମୂଲ୍ୟ ଦେଇଥାଏ | ସିଲିକନ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଏକ ସ୍ଫଟିକ୍ ରଡରେ ବ to ିବା ପାଇଁ ହାରାହାରି 3 ଦିନ ଲାଗେ, କିନ୍ତୁ ଏକ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ରଡ୍ ପାଇଁ ଏକ ସପ୍ତାହ ଲାଗେ | ଏକ ସାଧାରଣ ସିଲିକନ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ରଡ୍ 200 ସେମି ଲମ୍ବ ବ can ିପାରେ, କିନ୍ତୁ ଏକ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ରଡ୍ କେବଳ 2cm ଲମ୍ବ ବ grow ିପାରେ | ଅଧିକନ୍ତୁ, ସିସି ନିଜେ ଏକ କଠିନ ଏବଂ ଭଗ୍ନ ପଦାର୍ଥ, ଏବଂ ଏଥିରେ ତିଆରି ୱାଫର୍ ପାରମ୍ପାରିକ ଯାନ୍ତ୍ରିକ କଟିଙ୍ଗ୍ ୱେଫର୍ ଡାଇସିଂ ବ୍ୟବହାର କରିବା ସମୟରେ ଚିପିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରବୃତ୍ତି ଅଟେ, ଯାହା ଉତ୍ପାଦର ଅମଳ ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ଉପରେ ପ୍ରଭାବ ପକାଇଥାଏ | ପାରମ୍ପାରିକ ସିଲିକନ୍ ଇଙ୍ଗୋଟ୍ ଠାରୁ SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ବହୁତ ଭିନ୍ନ, ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପରିଚାଳନା କରିବା ପାଇଁ ଯନ୍ତ୍ରପାତି, ପ୍ରକ୍ରିୟା, ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ଠାରୁ ଆରମ୍ଭ କରି କାଟିବା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ସବୁକିଛି ବିକଶିତ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ |
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଶିଳ୍ପ ଶୃଙ୍ଖଳା ମୁଖ୍ୟତ four ଚାରୋଟି ମୁଖ୍ୟ ଲିଙ୍କରେ ବିଭକ୍ତ: ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, ଏପିଟାକ୍ସି, ଉପକରଣ ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗ | ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ହେଉଛି ଶିଳ୍ପ ଶୃଙ୍ଖଳାର ମୂଳଦୁଆ, ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସାମଗ୍ରୀ ହେଉଛି ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନର ଚାବି, ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଶିଳ୍ପ ଶୃଙ୍ଖଳାର ମୂଳ ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ଶିଳ୍ପ ବିକାଶ ପାଇଁ ଏକ ପ୍ରେରଣା ଶକ୍ତି | ଅପଷ୍ଟ୍ରିମ୍ ଇଣ୍ଡଷ୍ଟ୍ରି ଶାରୀରିକ ବାଷ୍ପ ସବ୍ଲିମିସନ୍ ପଦ୍ଧତି ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପଦ୍ଧତି ମାଧ୍ୟମରେ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ତିଆରି କରିବା ପାଇଁ କଞ୍ଚାମାଲ ବ୍ୟବହାର କରେ, ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସାମଗ୍ରୀ ବ grow ାଇବା ପାଇଁ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ପ୍ରଣାଳୀ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପଦ୍ଧତି ବ୍ୟବହାର କରେ | ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଡିଭାଇସ୍, ପାୱାର୍ ଡିଭାଇସ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଡିଭାଇସ୍ ତିଆରି କରିବା ପାଇଁ ମଧ୍ୟମ ଷ୍ଟ୍ରିମ୍ ଇଣ୍ଡଷ୍ଟ୍ରି ଅପଷ୍ଟ୍ରିମ୍ ସାମଗ୍ରୀ ବ୍ୟବହାର କରେ, ଯାହା ଶେଷରେ ଡାଉନ୍ଷ୍ଟ୍ରିମ୍ 5G ଯୋଗାଯୋଗରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | , ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ, ରେଳ ଗମନାଗମନ ଇତ୍ୟାଦି ସେମାନଙ୍କ ମଧ୍ୟରେ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସି ଶିଳ୍ପ ଶୃଙ୍ଖଳାର ମୂଲ୍ୟର 60% ଅଟେ ଏବଂ ଶିଳ୍ପ ଶୃଙ୍ଖଳାର ମୁଖ୍ୟ ମୂଲ୍ୟ ଅଟେ |
SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍: SiC ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକ ସାଧାରଣତ Le ଲେଲି ପଦ୍ଧତି ବ୍ୟବହାର କରି ଉତ୍ପାଦିତ ହୁଏ | ଆନ୍ତର୍ଜାତୀୟ ମୁଖ୍ୟ ସ୍ରୋତ ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକ 4 ଇଞ୍ଚରୁ 6 ଇଞ୍ଚକୁ ଗତି କରୁଛି ଏବଂ 8-ଇଞ୍ଚ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକ ବିକଶିତ କରାଯାଇଛି | ଘରୋଇ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଗୁଡିକ ମୁଖ୍ୟତ 4 4 ଇଞ୍ଚ | ଯେହେତୁ ବିଦ୍ୟମାନ 6-ଇଞ୍ଚର ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଉତ୍ପାଦନ ଲାଇନଗୁଡିକ ନବୀକରଣ କରାଯାଇ SiC ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ରୂପାନ୍ତରିତ ହୋଇପାରିବ, 6-ଇଞ୍ଚ୍ SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଗୁଡିକର ଉଚ୍ଚ ବଜାର ଅଂଶ ଦୀର୍ଘ ସମୟ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ବଜାୟ ରହିବ |
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଜଟିଳ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ କରିବା କଷ୍ଟକର | ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ହେଉଛି ଏକ ଯ ound ଗିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ପଦାର୍ଥ ଯାହା ଦୁଇଟି ଉପାଦାନକୁ ନେଇ ଗଠିତ: ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ | ବର୍ତ୍ତମାନ, ଶିଳ୍ପ ମୁଖ୍ୟତ high ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧ କାର୍ବନ ପାଉଡର ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ସିଲିକନ୍ ପାଉଡରକୁ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପାଉଡରକୁ ସିନ୍ଥାଇଜ୍ କରିବା ପାଇଁ କଞ୍ଚାମାଲ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରେ | ଏକ ସ୍ temperature ତନ୍ତ୍ର ତାପମାତ୍ରା କ୍ଷେତ୍ରରେ, ପରିପକ୍ୱ ଶାରୀରିକ ବାଷ୍ପ ସଂକ୍ରମଣ ପ୍ରଣାଳୀ (PVT ପଦ୍ଧତି) ଏକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଚୁଲିରେ ବିଭିନ୍ନ ଆକାରର ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ବ grow ାଇବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏକ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ସ୍ଫଟିକ୍ ଇଙ୍ଗୋଟ୍ ଶେଷରେ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ, କଟା, ଭୂମି, ପଲିସ୍, ସଫା ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଏକାଧିକ ପ୍ରକ୍ରିୟା |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ମେ -22-2024 |