ର ପରିଚୟସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SIC) ର ଘନତା 3.2g / cm3 | ପ୍ରାକୃତିକ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ବହୁତ କ୍ୱଚିତ ଏବଂ ମୁଖ୍ୟତ artificial କୃତ୍ରିମ ପଦ୍ଧତି ଦ୍ୱାରା ସିନ୍ଥାଇଜ୍ ହୋଇଥାଏ | ସ୍ଫଟିକ୍ ସଂରଚନାର ବିଭିନ୍ନ ଶ୍ରେଣୀକରଣ ଅନୁଯାୟୀ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ କୁ ଦୁଇଟି ଶ୍ରେଣୀରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ: α SiC ଏବଂ β SiC | ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SIC) ଦ୍ୱାରା ପ୍ରତିନିଧିତ୍ third ହୋଇଥିବା ତୃତୀୟ ପି generation ଼ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟରରେ ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି, ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା, ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ ଚାପ ପ୍ରତିରୋଧ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଦୃ strong ବିକିରଣ ପ୍ରତିରୋଧ ରହିଛି | ଶକ୍ତି ସଂରକ୍ଷଣ ଏବଂ ନିର୍ଗମନ ହ୍ରାସ, ବୁଦ୍ଧିମାନ ଉତ୍ପାଦନ ଏବଂ ସୂଚନା ନିରାପତ୍ତାର ପ୍ରମୁଖ ରଣନ needs ତିକ ଆବଶ୍ୟକତା ପାଇଁ ଏହା ଉପଯୁକ୍ତ | ଏହା ହେଉଛି ନୂତନ ପି generation ଼ିର ମୋବାଇଲ୍ ଯୋଗାଯୋଗ, ନୂତନ ଶକ୍ତି ଯାନ, ହାଇ ସ୍ପିଡ୍ ରେଳ ଟ୍ରେନ୍, ଶକ୍ତି ଇଣ୍ଟରନେଟ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଶିଳ୍ପଗୁଡିକର ନିରପେକ୍ଷ ଉଦ୍ଭାବନ ଏବଂ ବିକାଶ ଏବଂ ପରିବର୍ତ୍ତନକୁ ସମର୍ଥନ କରିବା | । 2020 ରେ, ବିଶ୍ economic ର ଆର୍ଥିକ ଏବଂ ବାଣିଜ୍ୟ pattern ାଞ୍ଚା ପୁନ od ନିର୍ମାଣ ସମୟ ମଧ୍ୟରେ ଅଛି ଏବଂ ଚୀନ୍ ଅର୍ଥନୀତିର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ତଥା ବାହ୍ୟ ପରିବେଶ ଅଧିକ ଜଟିଳ ଏବଂ ଗୁରୁତର, କିନ୍ତୁ ବିଶ୍ third ର ତୃତୀୟ ପି generation ଼ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପ ଏହି ଧାରା ବିରୁଦ୍ଧରେ ବ growing ୁଛି। ଏହା ସ୍ recognized ୀକୃତ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ ଯେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଶିଳ୍ପ ଏକ ନୂତନ ବିକାଶ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ପ୍ରବେଶ କରିଛି |
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |ପ୍ରୟୋଗ
ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଇଣ୍ଡଷ୍ଟ୍ରିରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପ୍ରୟୋଗ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପ ଶୃଙ୍ଖଳରେ ମୁଖ୍ୟତ sil ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା ପାଉଡର, ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍, ପାୱାର୍ ଡିଭାଇସ୍, ମଡ୍ୟୁଲ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ ଏବଂ ଟର୍ମିନାଲ୍ ପ୍ରୟୋଗ ଇତ୍ୟାଦି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |
1। ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ହେଉଛି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟରର ସପୋର୍ଟ ସାମଗ୍ରୀ, କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ମ୍ୟାଟେରିଆଲ୍ ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି | ବର୍ତ୍ତମାନ, SiC ଏକକ ସ୍ଫଟିକର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରଣାଳୀରେ ଶାରୀରିକ ଗ୍ୟାସ୍ ସ୍ଥାନାନ୍ତର (PVT), ତରଳ ପର୍ଯ୍ୟାୟ (LPE), ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (htcvd) ଇତ୍ୟାଦି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ | Ep। ବ୍ୟବହାରିକ ପ୍ରୟୋଗରେ, ପ୍ରଶସ୍ତ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଫାଙ୍କା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପ୍ରାୟ ସବୁ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତରରେ ଥାଏ, ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଚିପ୍ସ ନିଜେ କେବଳ ଗାନ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ସହିତ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତାSiCପାଉଡର ହେଉଛି PVT ପଦ୍ଧତି ଦ୍ sil ାରା ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ଏକ କଞ୍ଚାମାଲ | ଏହାର ଉତ୍ପାଦ ଶୁଦ୍ଧତା ସିସି ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକର ବୃଦ୍ଧି ଗୁଣ ଏବଂ ବ electrical ଦୁତିକ ଗୁଣକୁ ସିଧାସଳଖ ପ୍ରଭାବିତ କରେ |
ପାୱାର୍ ଡିଭାଇସ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଦ୍ୱାରା ନିର୍ମିତ, ଯାହାର ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ, ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତାର ଗୁଣ ରହିଛି | ଉପକରଣର କାର୍ଯ୍ୟ ଫର୍ମ ଅନୁଯାୟୀ,SiCପାୱାର୍ ଡିଭାଇସ୍ ଗୁଡିକରେ ମୁଖ୍ୟତ power ପାୱାର୍ ଡାୟୋଡ୍ ଏବଂ ପାୱାର୍ ସୁଇଚ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |
ତୃତୀୟ ପି generation ଼ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପ୍ରୟୋଗରେ, ଶେଷ ପ୍ରୟୋଗର ସୁବିଧା ହେଉଛି ଯେ ସେମାନେ GaN ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟରକୁ ପୂର୍ଣ୍ଣ କରିପାରିବେ | ଉଚ୍ଚ ରୂପାନ୍ତର ଦକ୍ଷତା, କମ୍ ଗରମ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଏବଂ SiC ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ହାଲୁକା ଓଜନ ହେତୁ, ଡାଉନ୍ଷ୍ଟ୍ରିମ୍ ଇଣ୍ଡଷ୍ଟ୍ରିର ଚାହିଦା ବ continues ିବାରେ ଲାଗିଛି, ଯେଉଁଥିରେ SiO2 ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ବଦଳାଇବାର ଧାରା ଅଛି | ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ବଜାର ବିକାଶର ସାମ୍ପ୍ରତିକ ପରିସ୍ଥିତି କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ବିକାଶ କରୁଛି | ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ତୃତୀୟ ପି generation ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ବିକାଶ ବଜାର ପ୍ରୟୋଗକୁ ଆଗେଇ ନେଇଥାଏ | ତୃତୀୟ ପି generation ଼ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକ ଶୀଘ୍ର ଅନୁପ୍ରବେଶ କରାଯାଇଛି, ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ବିସ୍ତାର ହେଉଛି ଏବଂ ଅଟୋମୋବାଇଲ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ, 5g ଯୋଗାଯୋଗ, ଦ୍ରୁତ ଚାର୍ଜିଂ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଏବଂ ସାମରିକ ପ୍ରୟୋଗ ସହିତ ବଜାର ଦ୍ରୁତ ଗତିରେ ବ growing ୁଛି | ।
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ମାର୍ଚ -16-2021 |