ସିଙ୍ଗଲ୍ କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ସିଲିକନ୍ ର ଥର୍ମାଲ୍ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ |

ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ଗଠନକୁ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ କୁହାଯାଏ ଏବଂ ସ୍ଥିର ଏବଂ ଦୃ strongly ଭାବରେ ଅନୁକରଣ କରୁଥିବା ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ସୃଷ୍ଟି ଦ୍ୱାରା ସିଲିକନ୍ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ପ୍ଲାନାର୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ଜନ୍ମ ହେଲା | ଯଦିଓ ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ବ grow ିବାର ଅନେକ ଉପାୟ ଅଛି, ଏହା ସାଧାରଣତ therm ଥର୍ମାଲ୍ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ଦ୍ୱାରା କରାଯାଇଥାଏ, ଯାହା ସିଲିକନ୍ କୁ ଏକ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଅକ୍ସିଡାଇଜ୍ ପରିବେଶ (ଅମ୍ଳଜାନ, ଜଳ) ରେ ପ୍ରକାଶ କରିଥାଏ | ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ପ୍ରସ୍ତୁତି ସମୟରେ ଥର୍ମାଲ୍ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପଦ୍ଧତିଗୁଡିକ ଫିଲ୍ମର ଘନତା ଏବଂ ସିଲିକନ୍ / ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ଇଣ୍ଟରଫେସ୍ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିପାରିବ | ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ବ growing ିବା ପାଇଁ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ କ ques ଶଳ ହେଉଛି ପ୍ଲାଜମା ଆନାଡାଇଜେସନ୍ ଏବଂ ଓଦା ଆନାଡାଇଜେସନ୍, କିନ୍ତୁ VLSI ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଏହି କ techni ଶଳଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟରୁ କ widely ଣସିଟି ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇନାହିଁ |

ସିଲିକନ୍ ସ୍ଥିର ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ଗଠନ କରିବାର ପ୍ରବୃତ୍ତି ଦେଖାଏ | ଯଦି ସତେଜ ହୋଇଥିବା ସିଲିକନ୍ ଏକ ଅକ୍ସିଡାଇଜ୍ ପରିବେଶ (ଯେପରିକି ଅମ୍ଳଜାନ, ଜଳ) ସଂସ୍ପର୍ଶରେ ଆସେ, ଏହା କୋଠରୀ ତାପମାତ୍ରାରେ ମଧ୍ୟ ଏକ ପତଳା ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର (<20Å) ସୃଷ୍ଟି କରିବ | ଯେତେବେଳେ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ସିଲିକନ୍ ଏକ ଅକ୍ସିଡାଇଜ୍ ପରିବେଶର ସମ୍ମୁଖୀନ ହୁଏ, ଏକ ଦ୍ରୁତ ଗତିରେ ଏକ ମୋଟା ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ସୃଷ୍ଟି ହେବ | ସିଲିକନ୍ ରୁ ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ଗଠନର ମ basic ଳିକ ଯନ୍ତ୍ର ଭଲ ଭାବରେ ବୁ understood ାପଡେ | ଡିଲ୍ ଏବଂ ଗ୍ରୋଭ୍ ଏକ ଗାଣିତିକ ମଡେଲ୍ ବିକଶିତ କରିଥିଲେ ଯାହା 300Å ରୁ ଅଧିକ ମୋଟା ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଗତିଶୀଳତାକୁ ସଠିକ୍ ଭାବରେ ବର୍ଣ୍ଣନା କରିଥାଏ | ସେମାନେ ପ୍ରସ୍ତାବ ଦେଇଛନ୍ତି ଯେ ନିମ୍ନଲିଖିତ ଉପାୟରେ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ କରାଯାଏ, ଅର୍ଥାତ୍ ଅକ୍ସିଡାଣ୍ଟ (ଜଳ ଅଣୁ ଏବଂ ଅମ୍ଳଜାନ ଅଣୁ) ବିଦ୍ୟମାନ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତରରୁ Si / SiO2 ଇଣ୍ଟରଫେସରେ ବିସ୍ତାର ହୁଏ, ଯେଉଁଠାରେ ଅକ୍ସିଡାଣ୍ଟ ସିଲିକନ୍ ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରି ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ସୃଷ୍ଟି କରେ | ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ସୃଷ୍ଟି କରିବାର ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାକୁ ନିମ୍ନଲିଖିତ ଭାବରେ ବର୍ଣ୍ଣନା କରାଯାଇଛି:

ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା Si / SiO2 ଇଣ୍ଟରଫେସରେ ଘଟିଥାଏ, ତେଣୁ ଯେତେବେଳେ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ବ ows େ, ସିଲିକନ୍ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ଖିଆଯାଏ ଏବଂ ଇଣ୍ଟରଫେସ୍ ଧୀରେ ଧୀରେ ସିଲିକନ୍ ଉପରେ ଆକ୍ରମଣ କରେ | ସିଲିକନ୍ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ର ଅନୁରୂପ ଘନତା ଏବଂ ମଲିକୁଲାର୍ ଓଜନ ଅନୁଯାୟୀ, ଏହା ମିଳିପାରିବ ଯେ ଅନ୍ତିମ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତରର ଘନତା ପାଇଁ ଖର୍ଚ୍ଚ ହୋଇଥିବା ସିଲିକନ୍ 44% ଅଟେ | ଏହିପରି, ଯଦି ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର 10,000Å ବ ows େ, 4400Å ସିଲିକନ୍ ଖାଇବ | ଉପରେ ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ପଦକ୍ଷେପର ଉଚ୍ଚତା ଗଣନା ପାଇଁ ଏହି ସମ୍ପର୍କ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ |। ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ବିଭିନ୍ନ ସ୍ଥାନରେ ବିଭିନ୍ନ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ହାରର ଫଳାଫଳ |

ଆମେ ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଉତ୍ପାଦ ମଧ୍ୟ ଯୋଗାଇଥାଉ, ଯାହା ଅକ୍ସିଡେସନ୍, ବିସ୍ତାର ଏବଂ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ପରି ୱେଫର୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |

ପରବର୍ତ୍ତୀ ଆଲୋଚନା ପାଇଁ ଆମକୁ ପରିଦର୍ଶନ କରିବାକୁ ବିଶ୍ world ର ବିଭିନ୍ନ ଗ୍ରାହକଙ୍କୁ ସ୍ୱାଗତ!

https://www.vet-china.com/