ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏବଂ ଯନ୍ତ୍ରପାତି ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା

1। SiC ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ମାର୍ଗ |

PVT (ସବଲିମେସନ୍ ପଦ୍ଧତି),

HTCVD (ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା CVD),

LPE(ତରଳ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ପଦ୍ଧତି)

ତିନୋଟି ସାଧାରଣ ଅଟେ |SiC ସ୍ଫଟିକ୍ |ବୃଦ୍ଧି ପଦ୍ଧତି;

ଶିଳ୍ପରେ ସବୁଠାରୁ ସ୍ୱୀକୃତିପ୍ରାପ୍ତ ପଦ୍ଧତି ହେଉଛି PVT ପଦ୍ଧତି, ଏବଂ 95% ରୁ ଅଧିକ ସିସି ଏକକ ସ୍ଫଟିକ PVT ପଦ୍ଧତି ଦ୍ grown ାରା ବ are ିଥାଏ;

ଶିଳ୍ପାୟନSiC ସ୍ଫଟିକ୍ |ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଚୁଲା ଶିଳ୍ପର ମୁଖ୍ୟ ସ୍ରୋତ PVT ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ମାର୍ଗ ବ୍ୟବହାର କରେ |

2। SiC ସ୍ଫଟିକ୍ ବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟା |

ପାଉଡର ସିନ୍ଥେସିସ୍-ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚିକିତ୍ସା-ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି-ଇଙ୍ଗୋଟ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍-ୱାଫର୍ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ

ବ grow ିବାକୁ PVT ପଦ୍ଧତି |SiC ସ୍ଫଟିକ୍ |

SiC କଞ୍ଚାମାଲ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ କ୍ରୁସିବଲ୍ ତଳେ ରଖାଯାଇଛି, ଏବଂ SiC ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ କ୍ରୁସିବଲ୍ ଉପରେ ଅଛି | ଇନସୁଲେସନ୍ ଆଡଜଷ୍ଟ୍ କରି, ସିସି କଞ୍ଚାମାଲର ତାପମାତ୍ରା ଅଧିକ ଏବଂ ବିହନ ସ୍ଫଟିକରେ ତାପମାତ୍ରା କମ୍ ଥାଏ | ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ଥିବା ସିସି କଞ୍ଚାମାଲ ଗ୍ୟାସ୍ ଚରଣ ପଦାର୍ଥରେ କ୍ଷୟ ହୁଏ, ଯାହା ନିମ୍ନ ତାପମାତ୍ରା ସହିତ ବିହନ ସ୍ଫଟିକକୁ ପଠାଯାଏ ଏବଂ SiC ସ୍ଫଟିକ୍ ଗଠନ ପାଇଁ ସ୍ଫଟିକ୍ ହୋଇଯାଏ | ମ basic ଳିକ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ତିନୋଟି ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ: କଞ୍ଚାମାଲର କ୍ଷୟ ଏବଂ ସବଲିମିସନ୍, ବହୁଳ ସ୍ଥାନାନ୍ତର, ଏବଂ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ ଉପରେ ସ୍ଫଟିକୀକରଣ |

କଞ୍ଚାମାଲର କ୍ଷୟ ଏବଂ ସବଲିମିସନ୍:

SiC (S) = Si (g) + C (S)

2SiC (S) = Si (g) + SiC2 (g)

2SiC (S) = C (S) + SiC2 (g)

ବହୁଳ ସ୍ଥାନାନ୍ତର ସମୟରେ, Si ବାଷ୍ପ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ କ୍ରୁସିବଲ୍ କାନ୍ଥ ସହିତ SiC2 ଏବଂ Si2C ଗଠନ ପାଇଁ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରେ:

Si (g) + 2C (S) = SiC2 (g)

2Si (g) + C (S) = Si2C (g)

ମଞ୍ଜି ସ୍ଫଟିକର ପୃଷ୍ଠରେ, ତିନୋଟି ଗ୍ୟାସ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ନିମ୍ନଲିଖିତ ଦୁଇଟି ସୂତ୍ର ମାଧ୍ୟମରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ସୃଷ୍ଟି କରେ:

SiC2_(ଛ)+ Si2C_(ଛ)= 3SiC_{(ଗୁଡିକ)}

Si_(ଛ)+ SiC2_(ଛ)= 2SiC_(S)

SiC ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଉପକରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ମାର୍ଗ ବ grow ାଇବାକୁ PVT ପଦ୍ଧତି |

ବର୍ତ୍ତମାନ, PVT ପଦ୍ଧତି SiC ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଚୁଲା ପାଇଁ ଇନଡକ୍ସନ୍ ଗରମ ହେଉଛି ଏକ ସାଧାରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ମାର୍ଗ;

କୋଇଲ୍ ବାହ୍ୟ ଇନଡକ୍ସନ୍ ଗରମ ଏବଂ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଗରମ ହେଉଛି ବିକାଶର ଦିଗ |SiC ସ୍ଫଟିକ୍ |ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଚୁଲା |

5-ଇଞ୍ଚ୍ SiC ଇନଡକ୍ସନ୍ ଗରମ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଚୁଲା |

(1) ଉତ୍ତାପଗ୍ରାଫାଇଟ୍ କ୍ରୁସିବଲ୍ | ଗରମ ଉପାଦାନ |ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ଅନୁକରଣ ମାଧ୍ୟମରେ; ଉତ୍ତାପ ଶକ୍ତି, କୋଇଲ୍ ସ୍ଥିତି ଏବଂ ଇନସୁଲେସନ୍ ଗଠନକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରି ତାପମାତ୍ରା କ୍ଷେତ୍ରକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା;

(୨) ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଗରମ ଏବଂ ତାପଜ ବିକିରଣ କଣ୍ଡକ୍ଟେସନ୍ ମାଧ୍ୟମରେ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଗରମ କରିବା; ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହିଟରର କରେଣ୍ଟ୍, ହିଟରର ଗଠନ ଏବଂ ଜୋନ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରି ତାପମାତ୍ରା କ୍ଷେତ୍ରକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା;