ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (CVD), ପୂର୍ବବର୍ତ୍ତୀ ପରିବର୍ତ୍ତନ, ପ୍ଲାଜମା ସ୍ପ୍ରେ ଇତ୍ୟାଦି ଦ୍ Si ାରା SiC ଆବରଣ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରାଯାଇପାରିବ | ମିଥାଇଲ୍ ଟ୍ରାଇକ୍ଲୋସିଲାନ୍ ବ୍ୟବହାର କରିବା | ସିଲିକନ୍ ଉତ୍ସ ଭାବରେ (CHzSiCl3, MTS), CVD ପଦ୍ଧତି ଦ୍ୱାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ SiC ଆବରଣ ଏହି ଆବରଣର ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ପରିପକ୍ୱ ପଦ୍ଧତି |
SiC ଆବରଣ ଏବଂ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ର ଭଲ ରାସାୟନିକ ସୁସଙ୍ଗତତା ଅଛି, ସେମାନଙ୍କ ମଧ୍ୟରେ ଥର୍ମାଲ୍ ବିସ୍ତାର କୋଏଫିସିଣ୍ଟେଣ୍ଟର ପାର୍ଥକ୍ୟ ଛୋଟ, SiC ଆବରଣ ବ୍ୟବହାର କରି ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସାମଗ୍ରୀର ପୋଷାକ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ଫଳପ୍ରଦ ଭାବରେ ଉନ୍ନତ କରିପାରିବ | ସେଥିମଧ୍ୟରୁ ଷ୍ଟୋଇଚିଓମେଟ୍ରିକ୍ ଅନୁପାତ, ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ତାପମାତ୍ରା, ତରଳ ଗ୍ୟାସ୍, ଅପରିଷ୍କାର ଗ୍ୟାସ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଅବସ୍ଥା ପ୍ରତିକ୍ରିୟାରେ ବହୁତ ପ୍ରଭାବ ପକାଇଥାଏ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ସେପ୍ଟେମ୍ବର -14-2022 |