S1C ବିଚ୍ଛିନ୍ନ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକଠାରୁ ଭିନ୍ନ ଯାହା ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ୍, ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଅନୁସରଣ କରେ, SiC ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ର ଅନୁସନ୍ଧାନ ଲକ୍ଷ୍ୟ ମୁଖ୍ୟତ intelligent ବୁଦ୍ଧିମାନ ଶକ୍ତି ଆଇସି ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ସର୍କିଟ ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଡିଜିଟାଲ୍ ସର୍କିଟ୍ ପାଇବା | ଯେହେତୁ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ପାଇଁ SiC ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ବହୁତ କମ୍, ତେଣୁ ମାଇକ୍ରୋଟ୍ୟୁବୁଲ୍ ତ୍ରୁଟିର ପ୍ରଭାବ ବହୁ ମାତ୍ରାରେ ହ୍ରାସ ପାଇବ, ଏହା ହେଉଛି ମୋନୋଲିଥିକ୍ SiC ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ଅପରେସନ୍ ଏମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍ ଚିପ୍ ର ପ୍ରଥମ ଖଣ୍ଡ ଯାଞ୍ଚ କରାଯାଇଥିଲା, ପ୍ରକୃତ ସମାପ୍ତ ଉତ୍ପାଦ ଏବଂ ଅମଳ ଦ୍ determined ାରା ନିର୍ଣ୍ଣୟ ଅଧିକ | ମାଇକ୍ରୋଟ୍ୟୁବୁଲ୍ ତ୍ରୁଟି ଅପେକ୍ଷା, ତେଣୁ, SiC ଅମଳ ମଡେଲ୍ ଉପରେ ଆଧାର କରି ଏବଂ Si ଏବଂ CaAs ସାମଗ୍ରୀ ସ୍ପଷ୍ଟ ଭାବରେ ଭିନ୍ନ | ଚିପ୍ ହ୍ରାସ NMOSFET ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଉପରେ ଆଧାରିତ | ଏହାର ମୁଖ୍ୟ କାରଣ ହେଉଛି ରିଭର୍ସ ଚ୍ୟାନେଲ SiC MOSFET ର ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ବାହକ ଗତିଶୀଳତା ବହୁତ କମ୍ ଅଟେ | ସିକ୍ ର ଭୂପୃଷ୍ଠ ଗତିଶୀଳତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବାକୁ, ସିକ୍ ର ଥର୍ମାଲ୍ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଉନ୍ନତି ଏବଂ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ |
ପର୍ଡୁ ୟୁନିଭରସିଟି ସିସି ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉପରେ ବହୁତ କାମ କରିଛି | 1992 ରେ, ରିଭର୍ସ ଚ୍ୟାନେଲ 6H-SIC NMOSFETs ମୋନୋଲିଥିକ୍ ଡିଜିଟାଲ୍ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉପରେ ଆଧାର କରି କାରଖାନା ସଫଳତାର ସହିତ ବିକଶିତ ହେଲା | ଚିପ୍ ଗେଟ୍ କିମ୍ବା ଗେଟ୍ ନୁହେଁ, କିମ୍ବା ଗେଟ୍ ନୁହେଁ, ବାଇନାରୀ କାଉଣ୍ଟର, ଏବଂ ଅଧା ଆଡର୍ ସର୍କିଟ୍ ଧାରଣ କରିଥାଏ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା 25 ° C ରୁ 300 ° C ମଧ୍ୟରେ ସଠିକ୍ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିପାରିବ | 1995 ରେ, ପ୍ରଥମ SiC ବିମାନ MESFET Ics ଭାନାଡିୟମ୍ ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ୍ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ବ୍ୟବହାର କରି ତିଆରି କରାଯାଇଥିଲା | ଭାନେଡିୟମର ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ ପରିମାଣକୁ ସଠିକ୍ ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରି ଏକ ଇନସୁଲେଟିଂ ସିସି ମିଳିପାରିବ |
ଡିଜିଟାଲ୍ ଲଜିକ୍ ସର୍କିଟ୍ ଗୁଡିକରେ, NMOS ସର୍କିଟ୍ ଅପେକ୍ଷା CMOS ସର୍କିଟ୍ ଅଧିକ ଆକର୍ଷଣୀୟ | ସେପ୍ଟେମ୍ବର 1996 ରେ, ପ୍ରଥମ 6H-SIC CMOS ଡିଜିଟାଲ୍ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରାଯାଇଥିଲା | ଡିଭାଇସ୍ ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ୍ N- ଅର୍ଡର ଏବଂ ଡିପୋଜିଟେସନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ବ୍ୟବହାର କରେ, କିନ୍ତୁ ଅନ୍ୟ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମସ୍ୟା ହେତୁ, ଚିପ୍ PMOSFETs ଥ୍ରେଶୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍ ବହୁତ ଅଧିକ | ମାର୍ଚ୍ଚ 1997 ରେ ଯେତେବେଳେ ଦ୍ୱିତୀୟ ପି generation ଼ି SiC CMOS ସର୍କିଟ ଉତ୍ପାଦନ କଲା | P ଟ୍ରାପ ଏବଂ ଥର୍ମାଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତରକୁ ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ ଦେବାର ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଗ୍ରହଣ କରାଯାଇଛି | ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉନ୍ନତି ଦ୍ୱାରା ପ୍ରାପ୍ତ PMOSEFT ର ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍ ହେଉଛି -4.5V | ଚିପ୍ ଉପରେ ଥିବା ସମସ୍ତ ସର୍କିଟ୍ ରୁମ୍ ତାପମାତ୍ରାରେ 300 ° C ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଭଲ କାମ କରେ ଏବଂ ଗୋଟିଏ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଦ୍ୱାରା ଚାଳିତ, ଯାହା 5 ରୁ 15V ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଯେକ anywhere ଣସି ସ୍ଥାନରେ ହୋଇପାରେ |
ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ୱେଫର୍ ଗୁଣର ଉନ୍ନତି ସହିତ ଅଧିକ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ଏବଂ ଅଧିକ ଅମଳ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ତିଆରି ହେବ | ଅବଶ୍ୟ, ଯେତେବେଳେ SiC ସାମଗ୍ରୀ ଏବଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମସ୍ୟାଗୁଡ଼ିକ ମ ically ଳିକ ଭାବରେ ସମାଧାନ ହୁଏ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା SiC ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ପ୍ରଭାବିତ କରୁଥିବା ଉପକରଣ ଏବଂ ପ୍ୟାକେଜ୍ ର ବିଶ୍ୱସନୀୟତା ମୁଖ୍ୟ କାରଣ ହେବ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଅଗଷ୍ଟ -23-2022 |