ଏକ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ କିପରି କରିବେ |

ଏକ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ କିପରି କରିବେ |

A ୱାଫର୍ସିଲିକନ୍ ର ଏକ ସ୍ଲାଇସ୍ ପ୍ରାୟ 1 ମିଲିମିଟର ମୋଟା ଅଟେ ଯାହା ପଦ୍ଧତିଗୁଡିକ ପାଇଁ ଅତ୍ୟଧିକ ସମତଳ ପୃଷ୍ଠ ଯାହା ଟେକ୍ନିକାଲ୍ ବହୁତ ଆବଶ୍ୟକ | ପରବର୍ତ୍ତୀ ବ୍ୟବହାର ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରେ କେଉଁ ସ୍ଫଟିକ୍ ବ growing ିବା ପ୍ରଣାଳୀ ନିୟୋଜିତ ହେବା ଉଚିତ୍ | Czochralski ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ତରଳାଯାଏ ଏବଂ ଏକ ପେନ୍ସିଲ୍-ପତଳା ମଞ୍ଜି ସ୍ଫଟିକ୍ ତରଳାଯାଇଥିବା ସିଲିକନ୍ରେ ବୁଡ଼ିଗଲା | ମଞ୍ଜି ସ୍ଫଟିକ ତା’ପରେ ଘୂର୍ଣ୍ଣିତ ହୁଏ ଏବଂ ଧୀରେ ଧୀରେ ଉପରକୁ ଟାଣି ହୁଏ | ଏକ ଅତ୍ୟଧିକ ଭାରୀ କୋଲୋସସ୍, ଏକ ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍, ଫଳାଫଳ | ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ଡୋପାଣ୍ଟଗୁଡିକର ଛୋଟ ୟୁନିଟ୍ ଯୋଗ କରି ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲର ବ electrical ଦୁତିକ ଗୁଣ ଚୟନ କରିବା ସମ୍ଭବ | ଗ୍ରାହକଙ୍କ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟତା ଅନୁଯାୟୀ ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକ ଡୋପ୍ କରାଯାଏ ଏବଂ ପରେ ପଲିସ୍ ହୋଇ ସ୍ଲାଇସରେ କାଟି ଦିଆଯାଏ | ବିଭିନ୍ନ ଅତିରିକ୍ତ ଉତ୍ପାଦନ ପଦକ୍ଷେପ ପରେ, ଗ୍ରାହକ ଏହାର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ୱାଫର୍ଗୁଡ଼ିକୁ ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ପ୍ୟାକେଜିଂରେ ଗ୍ରହଣ କରନ୍ତି, ଯାହା ଗ୍ରାହକଙ୍କୁ ତୁରନ୍ତ ଉତ୍ପାଦନ ଲାଇନରେ ୱେଫର୍ ବ୍ୟବହାର କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦେଇଥାଏ |

CZOCHRALSKI ପ୍ରକ୍ରିୟା |

ଆଜି, ସିଲିକନ୍ ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲଗୁଡିକର ଏକ ବଡ଼ ଅଂଶ Czochralski ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅନୁଯାୟୀ ବ grown ଼ିଥାଏ, ଯେଉଁଥିରେ ହାଇପରପର୍ କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ କ୍ରୁସିବଲ୍ ରେ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ସିଲିକନ୍ ତରଳିବା ଏବଂ ଡୋପାଣ୍ଟ (ସାଧାରଣତ B B, P, As, Sb) ଯୋଗ କରାଯାଇଥାଏ | ଏକ ପତଳା, ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ତରଳ ସିଲିକନରେ ବୁଡ଼ାଯାଏ | ଏହି ପତଳା ସ୍ଫଟିକରୁ ଏକ ବଡ଼ CZ ସ୍ଫଟିକ୍ ବିକଶିତ ହୁଏ | ତରଳାଯାଇଥିବା ସିଲିକନ୍ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ପ୍ରବାହର ସଠିକ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ, ସ୍ଫଟିକ୍ ଏବଂ କ୍ରୁସିବଲ୍ ଘୂର୍ଣ୍ଣନ, ଏବଂ ସ୍ଫଟିକ୍ ଟାଣିବା ବେଗ ଏକ ଉଚ୍ଚମାନର ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ଇଙ୍ଗୋଟ୍ ରେ ପରିଣତ ହୁଏ |

ଫ୍ଲୋଟ୍ ଜୋନ୍ ପଦ୍ଧତି |

ଫ୍ଲୋଟ୍ ଜୋନ୍ ପଦ୍ଧତି ଅନୁଯାୟୀ ଉତ୍ପାଦିତ ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲଗୁଡିକ IGBT ପରି ପାୱାର୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକରେ ବ୍ୟବହାର ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ | ଏକ ସିଲିଣ୍ଡ୍ରିକ୍ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ଇଙ୍ଗୋଟ୍ ଏକ ଇନଡକ୍ସନ୍ କୋଇଲ୍ ଉପରେ ସ୍ଥାପିତ | ଏକ ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ବ elect ଦ୍ୟୁତିକ ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ବାଡିର ତଳ ଭାଗରୁ ସିଲିକନ୍ ତରଳିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରେ | ବ elect ଦ୍ୟୁତିକ ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ସିଲିକନ୍ ପ୍ରବାହକୁ ଇନଡକ୍ସନ୍ କୋଇଲର ଏକ ଛୋଟ ଗର୍ତ୍ତ ଦେଇ ଏବଂ ତଳେ ଥିବା ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ଉପରେ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିଥାଏ (ଫ୍ଲୋଟ୍ ଜୋନ୍ ପଦ୍ଧତି) | ସାଧାରଣତ B B କିମ୍ବା P ସହିତ ଡୋପିଂ, ଗ୍ୟାସୀୟ ପଦାର୍ଥ ଯୋଗ କରି ହାସଲ ହୁଏ |