ତୃତୀୟ ପି generation ଼ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର, ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN) ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) ଦ୍ୱାରା ପ୍ରତିନିଧିତ୍, ହୋଇଛି, ସେମାନଙ୍କର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଗୁଣ ଯୋଗୁଁ ଶୀଘ୍ର ବିକଶିତ ହୋଇଛି | ତଥାପି, ଏହି ଉପକରଣଗୁଡିକର ପାରାମିଟର ଏବଂ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ କିପରି ସଠିକ୍ ଭାବରେ ମାପ କରାଯିବ, ସେମାନଙ୍କ ସାମର୍ଥ୍ୟକୁ ଟ୍ୟାପ୍ କରିବା ଏବଂ ସେମାନଙ୍କର ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତାକୁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରିବା ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ-ସଠିକତା ମାପ ଉପକରଣ ଏବଂ ବୃତ୍ତିଗତ ପଦ୍ଧତି ଆବଶ୍ୟକ କରେ |
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (ସିସି) ଏବଂ ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN) ଦ୍ୱାରା ପ୍ରତିନିଧିତ୍ wide ହୋଇଥିବା ନୂତନ ପି generation ଼ିର ପ୍ରଶସ୍ତ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଫାଙ୍କା (ଡବ୍ଲୁବିଜି) ସାମଗ୍ରୀ ଅଧିକରୁ ଅଧିକ ବ୍ୟବହୃତ ହେଉଛି | ବ Elect ଦୁତିକ ଭାବରେ, ଏହି ପଦାର୍ଥଗୁଡ଼ିକ ସିଲିକନ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସାଧାରଣ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଅପେକ୍ଷା ଇନସୁଲେଟରର ନିକଟତର | ଏହି ପଦାର୍ଥଗୁଡିକ ସିଲିକନ୍ ର ସୀମାକୁ ଦୂର କରିବା ପାଇଁ ଡିଜାଇନ୍ କରାଯାଇଛି କାରଣ ଏହା ଏକ ସଂକୀର୍ଣ୍ଣ ବ୍ୟାଣ୍ଡ-ଫାଙ୍କା ପଦାର୍ଥ ଅଟେ ଏବଂ ସେଥିପାଇଁ ବ electrical ଦୁତିକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟିର ଖରାପ ଲିକ୍ ହୁଏ, ଯାହା ତାପମାତ୍ରା, ଭୋଲଟେଜ୍ କିମ୍ବା ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ବ as ଼ିବା ସହିତ ଅଧିକ ସ୍ପଷ୍ଟ ହୁଏ | ଏହି ଲିକେଜ୍ ର ଲଜିକାଲ୍ ସୀମା ଅନିୟନ୍ତ୍ରିତ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି, ଏକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଅପରେଟିଂ ବିଫଳତା ସହିତ ସମାନ |
ଏହି ଦୁଇଟି ପ୍ରଶସ୍ତ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଫାଙ୍କା ସାମଗ୍ରୀ ମଧ୍ୟରୁ, GaN ମୁଖ୍ୟତ low ନିମ୍ନ ଏବଂ ମଧ୍ୟମ ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ ଯୋଜନା ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ, ପ୍ରାୟ 1 କେଭି ଏବଂ 100 ଏ ତଳେ | GaN ପାଇଁ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଅଭିବୃଦ୍ଧି କ୍ଷେତ୍ର ହେଉଛି ଏଲଇଡି ଆଲୋକରେ ଏହାର ବ୍ୟବହାର, କିନ୍ତୁ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାରରେ ମଧ୍ୟ ବୃଦ୍ଧି | ଯେପରିକି ଅଟୋମୋବାଇଲ୍ ଏବଂ ଆରଏଫ୍ ଯୋଗାଯୋଗ | ଏହାର ବିପରୀତରେ, SiC କୁ ଘେରି ରହିଥିବା ଟେକ୍ନୋଲୋଜିଗୁଡିକ GaN ଅପେକ୍ଷା ଉନ୍ନତମାନର ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ପ୍ରୟୋଗ ଯଥା ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଯାନ ଟ୍ରାକ୍ସନ୍ ଇନଭର୍ଟର, ପାୱାର୍ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍, ବୃହତ HVAC ଉପକରଣ ଏବଂ ଶିଳ୍ପ ପ୍ରଣାଳୀ ପାଇଁ ଅଧିକ ଉପଯୁକ୍ତ |
SiC ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଉଚ୍ଚ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍, ଅଧିକ ସୁଇଚ୍ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ Si MOSFET ଅପେକ୍ଷା ଅଧିକ ତାପମାତ୍ରାରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାକୁ ସକ୍ଷମ | ଏହି ସର୍ତ୍ତଗୁଡିକରେ, SiC ର ଉଚ୍ଚ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା, ଦକ୍ଷତା, ଶକ୍ତି ସାନ୍ଧ୍ରତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ଅଛି | ଏହି ସୁବିଧାଗୁଡ଼ିକ ଡିଜାଇନର୍ମାନଙ୍କୁ ପାୱାର କନଭର୍ଟରର ଆକାର, ଓଜନ ଏବଂ ମୂଲ୍ୟ ହ୍ରାସ କରିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରେ, ବିଶେଷକରି ବିମାନ, ସାମରିକ ଏବଂ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ ଭଳି ଲାଭଜନକ ବଜାର ବିଭାଗରେ |
ଛୋଟ ଉପାଦାନ ଉପରେ ଆଧାରିତ ଡିଜାଇନ୍ରେ ଅଧିକ ଶକ୍ତି ଦକ୍ଷତା ହାସଲ କରିବାର କ୍ଷମତା ହେତୁ SiC MOSFET ଗୁଡିକ ପରବର୍ତ୍ତୀ ପି generation ଼ିର ଶକ୍ତି ରୂପାନ୍ତର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ବିକାଶରେ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ | ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ସୃଷ୍ଟି ପାଇଁ ପାରମ୍ପାରିକ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ କେତେକ ଡିଜାଇନ୍ ଏବଂ ପରୀକ୍ଷଣ କ ques ଶଳକୁ ପୁନ isit ପରିଦର୍ଶନ କରିବାକୁ ଇଞ୍ଜିନିୟର୍ମାନେ ମଧ୍ୟ ଆବଶ୍ୟକ କରନ୍ତି |
କଠୋର ପରୀକ୍ଷଣର ଚାହିଦା ବ is ୁଛି |
SiC ଏବଂ GaN ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ସମ୍ଭାବ୍ୟତାକୁ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ରୂପେ ହୃଦୟଙ୍ଗମ କରିବାକୁ, ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତାକୁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରିବା ପାଇଁ ସୁଇଚ୍ ଅପରେସନ୍ ସମୟରେ ସଠିକ୍ ମାପ ଆବଶ୍ୟକ | SiC ଏବଂ GaN ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ପରୀକ୍ଷା ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏହି ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ଉଚ୍ଚ ଅପରେଟିଂ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଭୋଲଟେଜକୁ ଧ୍ୟାନରେ ରଖିବା ଆବଶ୍ୟକ |
ପରୀକ୍ଷଣ ଏବଂ ମାପ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ବିକାଶ, ଯେପରିକି ଇଚ୍ଛାଧୀନ ଫଙ୍କସନ୍ ଜେନେରେଟର (AFGs), ଓସିଲୋସ୍କୋପ୍, ଉତ୍ସ ମାପ ୟୁନିଟ୍ (SMU) ଯନ୍ତ୍ର ଏବଂ ପାରାମିଟର ଆନାଲିଜର୍, ପାୱାର୍ ଡିଜାଇନ୍ ଇଞ୍ଜିନିୟର୍ମାନଙ୍କୁ ଶୀଘ୍ର ଅଧିକ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଫଳାଫଳ ହାସଲ କରିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରେ | ଯନ୍ତ୍ରପାତିର ଏହି ନବୀକରଣ ସେମାନଙ୍କୁ ଦ daily ନନ୍ଦିନ ଆହ୍ with ାନର ମୁକାବିଲା କରିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରେ | ଟେକ୍ / ଗିଶିଲିରେ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ମାର୍କେଟିଂର ମୁଖ୍ୟ ଜୋନାଥନ୍ ଟକର୍ କହିଛନ୍ତି ଯେ, ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଉପକରଣ ଇଞ୍ଜିନିୟର୍ମାନଙ୍କ ପାଇଁ ସୁଇଚ୍ କ୍ଷତି ହ୍ରାସ କରିବା ଏକ ପ୍ରମୁଖ ଆହ୍ remains ାନ ଅଟେ। ସ୍ଥିରତା ନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ ଏହି ଡିଜାଇନ୍ଗୁଡ଼ିକୁ କଠୋର ଭାବରେ ମାପ କରାଯିବା ଆବଶ୍ୟକ | ଏକ ପ୍ରମୁଖ ମାପ କ techni ଶଳକୁ ଡବଲ୍ ପଲ୍ସ ଟେଷ୍ଟ (DPT) କୁହାଯାଏ, ଯାହାକି MOSFET କିମ୍ବା IGBT ପାୱାର୍ ଡିଭାଇସର ସୁଇଚ୍ ପାରାମିଟର ମାପିବା ପାଇଁ ମାନକ ପଦ୍ଧତି |
SiC ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଡବଲ୍ ପଲ୍ସ ପରୀକ୍ଷା କରିବାକୁ ସେଟଅପ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ କରେ: MOSFET ଗ୍ରୀଡ୍ ଚଲାଇବା ପାଇଁ ଫଙ୍କସନ୍ ଜେନେରେଟର | VDS ଏବଂ ID ମାପିବା ପାଇଁ ଓସିଲୋସ୍କୋପ୍ ଏବଂ ବିଶ୍ଳେଷଣ ସଫ୍ଟୱେର୍ | ଡବଲ୍-ପଲ୍ସ ପରୀକ୍ଷଣ ସହିତ, ଅର୍ଥାତ୍ ସର୍କିଟ୍ ସ୍ତରୀୟ ପରୀକ୍ଷଣ ସହିତ, ସାମଗ୍ରୀ ସ୍ତରୀୟ ପରୀକ୍ଷଣ, ଉପାଦାନ ସ୍ତରୀୟ ପରୀକ୍ଷଣ ଏବଂ ସିଷ୍ଟମ୍ ସ୍ତରୀୟ ପରୀକ୍ଷଣ ଅଛି | ପରୀକ୍ଷଣ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକରେ ଉଦ୍ଭାବନ, ଜୀବନଚକ୍ରର ସମସ୍ତ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ଡିଜାଇନ୍ ଇଞ୍ଜିନିୟର୍ମାନଙ୍କୁ ଶକ୍ତି ରୂପାନ୍ତର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଦିଗରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାକୁ ସକ୍ଷମ କରିଛି ଯାହା କଠିନ ଡିଜାଇନ୍ ଆବଶ୍ୟକତାକୁ ଖର୍ଚ୍ଚଦାୟକ ଭାବରେ ପୂରଣ କରିପାରିବ |
ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଉତ୍ପାଦନ ଠାରୁ ଆରମ୍ଭ କରି ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ନିୟାମକ ପରିବର୍ତ୍ତନ ଏବଂ ଶେଷ-ବ୍ୟବହାରକାରୀ ଯନ୍ତ୍ରପାତି ପାଇଁ ନୂତନ ବ techn ଷୟିକ ଆବଶ୍ୟକତା ପ୍ରତିକ୍ରିୟାରେ ଯନ୍ତ୍ରପାତି ସାର୍ଟିଫିକେଟ୍ କରିବାକୁ ପ୍ରସ୍ତୁତ ହେବା, ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରୁଥିବା କମ୍ପାନୀଗୁଡ଼ିକୁ ମୂଲ୍ୟଯୁକ୍ତ ନୂତନତ୍ୱ ଉପରେ ଧ୍ୟାନ ଦେବାକୁ ଏବଂ ଭବିଷ୍ୟତର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ମୂଳଦୁଆ ପକାଇବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ମାର୍ଚ -27-2023 |