ଏହାର ଆବିଷ୍କାର ପରଠାରୁ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ବ୍ୟାପକ ଦୃଷ୍ଟି ଆକର୍ଷଣ କରିଛି | ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଅଧା ସି ପରମାଣୁ ଏବଂ ଅଧା ସି ପରମାଣୁକୁ ନେଇ ଗଠିତ, ଯାହା sp3 ହାଇବ୍ରିଡ୍ ଅର୍ବିଟାଲ୍ ବାଣ୍ଟୁଥିବା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଯୋଡି ମାଧ୍ୟମରେ କୋଭାଲାଣ୍ଟ ବଣ୍ଡ ଦ୍ୱାରା ସଂଯୁକ୍ତ | ଏହାର ଏକକ ସ୍ଫଟିକର ମ basic ଳିକ ଗଠନମୂଳକ ୟୁନିଟରେ ଚାରୋଟି ସି ପରମାଣୁ ନିୟମିତ ଟେଟ୍ରେଡ୍ରାଲ୍ ଗଠନରେ ସଜାଯାଇଥାଏ ଏବଂ C ପରମାଣୁ ନିୟମିତ ଟେଟ୍ରେଡ୍ରନ୍ କେନ୍ଦ୍ରରେ ଅବସ୍ଥିତ | ଅପରପକ୍ଷେ, ସି ପରମାଣୁକୁ ଟେଟ୍ରେଡ୍ରନ୍ ର କେନ୍ଦ୍ର ଭାବରେ ମଧ୍ୟ ବିବେଚନା କରାଯାଇପାରେ, ଯାହାଦ୍ୱାରା SiC4 କିମ୍ବା CSi4 ଗଠନ ହୁଏ | ଟେଟ୍ରେଡ୍ରାଲ୍ ଗଠନ | SiC ରେ କୋଭାଲେଣ୍ଟ୍ ବଣ୍ଡ୍ ଅତ୍ୟଧିକ ଆୟନିକ୍, ଏବଂ ସିଲିକନ୍-କାର୍ବନ୍ ବଣ୍ଡ ଶକ୍ତି ବହୁତ ଉଚ୍ଚ, ପ୍ରାୟ 4.47eV | କମ୍ ଷ୍ଟାକିଂ ଫଲ୍ଟ ଶକ୍ତି ହେତୁ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ସହଜରେ ବିଭିନ୍ନ ପଲିଟାଇପ୍ ଗଠନ କରେ | 200 ରୁ ଅଧିକ ଜଣାଶୁଣା ପଲିଟାଇପ୍ ଅଛି, ଯାହାକୁ ତିନୋଟି ପ୍ରମୁଖ ଶ୍ରେଣୀରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ: ଘନ, ଷୋଡଶାଳିଆ ଏବଂ ଟ୍ରାଇଗୋନାଲ୍ |
ବର୍ତ୍ତମାନ, ସିସି ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକର ମୁଖ୍ୟ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପଦ୍ଧତିଗୁଡ଼ିକରେ ଶାରୀରିକ ବାଷ୍ପ ପରିବହନ ପଦ୍ଧତି (PVT ପଦ୍ଧତି), ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (HTCVD ପଦ୍ଧତି), ତରଳ ଚରଣ ପଦ୍ଧତି ଇତ୍ୟାଦି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ, ସେମାନଙ୍କ ମଧ୍ୟରେ PVT ପଦ୍ଧତି ଅଧିକ ପରିପକ୍ୱ ଏବଂ ଶିଳ୍ପ ପାଇଁ ଅଧିକ ଉପଯୁକ୍ତ | ବହୁ ଉତ୍ପାଦନ ?
ତଥାକଥିତ PVT ପଦ୍ଧତି କ୍ରୁସିବଲ୍ ଉପରେ SiC ବିହନ ସ୍ଫଟିକ ରଖିବା ଏବଂ SiC ପାଉଡରକୁ କଞ୍ଚାମାଲ ଭାବରେ କ୍ରୁସିବଲ୍ ତଳେ ରଖିବା କୁ ବୁ refers ାଏ | ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ନିମ୍ନ ଚାପର ଏକ ବନ୍ଦ ପରିବେଶରେ, ସିସି ପାଉଡର ତାପମାତ୍ରା ଗ୍ରେଡିଏଣ୍ଟ୍ ଏବଂ ଏକାଗ୍ରତା ପାର୍ଥକ୍ୟର କାର୍ଯ୍ୟ ଅଧୀନରେ ଉପରକୁ ଗତି କରେ | ଏହାକୁ ବିହନ ସ୍ଫଟିକକୁ ପରିବହନ କରିବାର ଏକ ପଦ୍ଧତି ଏବଂ ଏକ ସୁପରସାଟୁରେଟେଡ୍ ସ୍ଥିତିରେ ପହଞ୍ଚିବା ପରେ ଏହାକୁ ପୁନ ry ସ୍ଥାପନ କରିବା | ଏହି ପଦ୍ଧତି SiC ସ୍ଫଟିକ୍ ଆକାର ଏବଂ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ସ୍ଫଟିକ୍ ଫର୍ମଗୁଡିକର ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ହାସଲ କରିପାରିବ | ?
ଅବଶ୍ୟ, SiC ସ୍ଫଟିକ ବ grow ାଇବା ପାଇଁ PVT ପଦ୍ଧତି ବ୍ୟବହାର କରିବା ଦ୍ୱାରା ଦୀର୍ଘକାଳୀନ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ସର୍ବଦା ଉପଯୁକ୍ତ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ସ୍ଥିତିକୁ ବଜାୟ ରଖିବା ଆବଶ୍ୟକ ହୁଏ, ନଚେତ୍ ଏହା ଲାଟାଇଟ୍ ବ୍ୟାଧି ସୃଷ୍ଟି କରିବ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ସ୍ଫଟିକର ଗୁଣ ପ୍ରଭାବିତ ହେବ | ତଥାପି, ଏକ ବନ୍ଦ ସ୍ଥାନରେ SiC ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ସମାପ୍ତ ହୋଇଛି | ସେଠାରେ କିଛି ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ମନିଟରିଂ ପଦ୍ଧତି ଏବଂ ଅନେକ ଭେରିଏବଲ୍ ଅଛି, ତେଣୁ ପ୍ରକ୍ରିୟା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କଷ୍ଟକର |
PVT ପଦ୍ଧତି ଦ୍ Si ାରା SiC ସ୍ଫଟିକ୍ ବ growing ିବା ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଷ୍ଟେପ୍ ଫ୍ଲୋ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ମୋଡ୍ (ଷ୍ଟେପ୍ ଫ୍ଲୋ ଗ୍ରୋଥ୍) ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଫର୍ମର ସ୍ଥିର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ମୁଖ୍ୟ ଯନ୍ତ୍ର ଭାବରେ ବିବେଚନା କରାଯାଏ |
ବାଷ୍ପୀଭୂତ ସି ପରମାଣୁ ଏବଂ ସି ପରମାଣୁଗୁଡିକ କିଙ୍କ ପଏଣ୍ଟରେ ସ୍ଫଟିକ୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ ପରମାଣୁ ସହିତ ଅଧିକ ବାନ୍ଧିବେ, ଯେଉଁଠାରେ ସେମାନେ ନ୍ୟୁକ୍ଲିଏଟ୍ ହୋଇ ବ grow ିବେ, ଯାହା ଦ୍ each ାରା ପ୍ରତ୍ୟେକ ପଦକ୍ଷେପରେ ସମାନ୍ତରାଳ ଭାବରେ ପ୍ରବାହିତ ହେବ | ଯେତେବେଳେ ସ୍ଫଟିକ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଷ୍ଟେପ୍ ଓସାର ଆଡାଟୋମର ବିସ୍ତାର ମୁକ୍ତ ପଥଠାରୁ ବହୁଗୁଣିତ ହୁଏ, ବହୁ ସଂଖ୍ୟକ ଆଡାଟୋମ୍ ଏକତ୍ର ହୋଇପାରେ ଏବଂ ଗଠିତ ଦୁଇ-ଡାଇମେନ୍ସନାଲ୍ ଦ୍ୱୀପ ପରି ଅଭିବୃଦ୍ଧି ମୋଡ୍ ଷ୍ଟେପ୍ ଫ୍ଲୋ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଧାରାକୁ ନଷ୍ଟ କରିଦେବ, ଫଳସ୍ୱରୂପ 4H ନଷ୍ଟ ହେବ | ସ୍ଫଟିକ୍ ସଂରଚନା ସୂଚନା, ଫଳସ୍ୱରୂପ ଏକାଧିକ ତ୍ରୁଟି | ତେଣୁ, ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାରାମିଟରଗୁଡିକର ଆଡଜଷ୍ଟମେଣ୍ଟ୍ ନିଶ୍ଚିତ ଭାବରେ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଷ୍ଟେପ୍ ସଂରଚନାର ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ହାସଲ କରିବା ଉଚିତ, ଯାହା ଦ୍ pol ାରା ପଲିମୋର୍ଫିକ୍ ତ୍ରୁଟିର ଉତ୍ପାଦନକୁ ଦମନ କରାଯାଇପାରିବ, ଗୋଟିଏ ସ୍ଫଟିକ୍ ଫର୍ମ ପାଇବା ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ହାସଲ କରିବେ ଏବଂ ଶେଷରେ ଉଚ୍ଚମାନର ସ୍ଫଟିକ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବେ |
ସର୍ବପ୍ରଥମ ବିକଶିତ SiC ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପଦ୍ଧତି ଭାବରେ, ଭ physical ତିକ ବାଷ୍ପ ପରିବହନ ପଦ୍ଧତି ବର୍ତ୍ତମାନ SiC ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ସବୁଠାରୁ ମୁଖ୍ୟ ସ୍ରୋତ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପଦ୍ଧତି | ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପଦ୍ଧତି ତୁଳନାରେ, ଏହି ପଦ୍ଧତିରେ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଉପକରଣ, ଏକ ସରଳ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟା, ଦୃ strong ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଯୋଗ୍ୟତା, ଅପେକ୍ଷାକୃତ ପୁଙ୍ଖାନୁପୁଙ୍ଖ ବିକାଶ ଅନୁସନ୍ଧାନ ପାଇଁ କମ୍ ଆବଶ୍ୟକତା ରହିଛି ଏବଂ ଏହା ଶିଳ୍ପ ପ୍ରୟୋଗ ହାସଲ କରିସାରିଛି | HTCVD ପଦ୍ଧତିର ସୁବିଧା ହେଉଛି ଏହା କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ (n, p) ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ସେମି-ଇନସୁଲେଟିଂ ୱାଫର୍ ବ grow ାଇପାରେ ଏବଂ ଡୋପିଂ ଏକାଗ୍ରତାକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିପାରିବ ଯାହା ଦ୍ the ାରା ୱେଫର୍ରେ ବାହକ ଏକାଗ୍ରତା 3 × 1013 ~ 5 × 1019 ମଧ୍ୟରେ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହୋଇପାରିବ | / cm3 ଅସୁବିଧା ହେଉଛି ଉଚ୍ଚ ବ technical ଷୟିକ ସୀମା ଏବଂ ନିମ୍ନ ବଜାର ଅଂଶ | ଯେହେତୁ ତରଳ-ପର୍ଯ୍ୟାୟ SiC ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ପରିପକ୍ୱତା ଜାରି ରଖିଛି, ଏହା ଭବିଷ୍ୟତରେ ସମଗ୍ର SiC ଶିଳ୍ପକୁ ଅଗ୍ରଗତି କରିବାରେ ବଡ଼ ସମ୍ଭାବନା ଦେଖାଇବ ଏବଂ SiC ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧିରେ ଏକ ନୂତନ ସଫଳତା ହେବାର ସମ୍ଭାବନା ଅଛି |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଏପ୍ରିଲ -16-2024 |