ଗାଲିୟମ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା |

ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (ସିସି) ଏବଂ ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN) ଦ୍ୱାରା ପ୍ରତିନିଧିତ୍ wide ହୋଇଥିବା ବ୍ୟାପକ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ (ଡବ୍ଲୁବିଜି) ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟରଗୁଡ଼ିକ ବ୍ୟାପକ ଦୃଷ୍ଟି ଆକର୍ଷଣ କରିଛନ୍ତି | ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଯାନ ଏବଂ ପାୱାର୍ ଗ୍ରୀଡରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ର ପ୍ରୟୋଗ ଆଶା, ଏବଂ ଦ୍ରୁତ ଚାର୍ଜିଂରେ ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ର ପ୍ରୟୋଗ ଆଶା ପାଇଁ ଲୋକମାନେ ଅଧିକ ଆଶା କରନ୍ତି | ସାମ୍ପ୍ରତିକ ବର୍ଷଗୁଡିକରେ, Ga2O3, AlN ଏବଂ ହୀରା ସାମଗ୍ରୀ ଉପରେ ଗବେଷଣା ମହତ୍ progress ପୂର୍ଣ ଅଗ୍ରଗତି କରିଛି, ଯାହା ଅଲ୍ଟ୍ରା-ୱାଇଡ୍ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗାପ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀକୁ ଧ୍ୟାନର କେନ୍ଦ୍ରବିନ୍ଦୁ କରିଥାଏ | ସେଥିମଧ୍ୟରୁ, ଗାଲିୟମ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ (Ga2O3) ହେଉଛି ଏକ ଉଦୀୟମାନ ଅଲ୍ଟ୍ରା-ୱାଇଡ୍-ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଯାହା 4.8 eV ର ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଫାଙ୍କ ସହିତ, ପ୍ରାୟ 8 MV ସେମି -1 ର ଏକ ତତ୍ତ୍ୱଗତ ଗୁରୁତ୍ break ପୂର୍ଣ୍ଣ ଭାଙ୍ଗିବା କ୍ଷେତ୍ର ଶକ୍ତି, ପ୍ରାୟ 2E7cm s-1 ର ପରିପୃଷ୍ଟତା ବେଗ, ଏବଂ 3000 ର ଏକ ଉଚ୍ଚ ବାଲିଗା ଗୁଣବତ୍ତା କାରକ, ଉଚ୍ଚ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ଏବଂ ହାଇ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବ୍ୟାପକ ଧ୍ୟାନ ଗ୍ରହଣ କଲା |

ଗାଲିୟମ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ପଦାର୍ଥ ଗୁଣ |
Ga2O3 ର ଏକ ବୃହତ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଫାଙ୍କ (4.8 ଇଭି) ଅଛି, ଉଭୟ ଉଚ୍ଚ ପ୍ରତିରୋଧକ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି କ୍ଷମତା ହାସଲ କରିବାକୁ ଆଶା କରାଯାଏ, ଏବଂ ଅପେକ୍ଷାକୃତ କମ୍ ପ୍ରତିରୋଧରେ ଉଚ୍ଚ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ଆଡାପ୍ଟାବିଲିଟି ପାଇଁ ସମ୍ଭାବନା ରହିପାରେ, ଯାହା ସେମାନଙ୍କୁ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଅନୁସନ୍ଧାନର କେନ୍ଦ୍ରବିନ୍ଦୁ କରିଥାଏ | ଏହା ସହିତ, Ga2O3 ରେ କେବଳ ଉତ୍ତମ ବସ୍ତୁ ଗୁଣ ନାହିଁ, ବରଂ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ସହଜରେ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ n- ପ୍ରକାରର ଡୋପିଂ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି, ଏବଂ ସ୍ୱଳ୍ପ ମୂଲ୍ୟର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସି ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ମଧ୍ୟ ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ | ବର୍ତ୍ତମାନ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ, Ga2O3 ରେ ପାଞ୍ଚୋଟି ଭିନ୍ନ ସ୍ଫଟିକ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଆବିଷ୍କୃତ ହୋଇଛି, ସେଥିରେ କରଣ୍ଡମ୍ (α), ମୋନୋକ୍ଲିନିକ୍ (β), ତ୍ରୁଟିଯୁକ୍ତ ସ୍ପିନେଲ୍ (γ), ଘନ (δ) ଏବଂ ଅର୍ଥୋରୋମ୍ବିକ୍ (ɛ) ପର୍ଯ୍ୟାୟ | ଥର୍ମୋଡାଇନାମିକ୍ ସ୍ଥିରତା, କ୍ରମରେ, γ, δ, α, ɛ, ଏବଂ β | ସୂଚନାଯୋଗ୍ୟ ଯେ ମୋନୋକଲିନିକ୍ β-Ga2O3 ସବୁଠାରୁ ସ୍ଥିର, ବିଶେଷତ high ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ, ଯେତେବେଳେ ଅନ୍ୟ ପର୍ଯ୍ୟାୟଗୁଡ଼ିକ କୋଠରୀ ତାପମାତ୍ରାଠାରୁ ଅଧିକ ମେଟାଷ୍ଟେବଲ୍ ଏବଂ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ତାପଜ ଅବସ୍ଥାରେ β ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ରୂପାନ୍ତରିତ ହୁଏ | ତେଣୁ, ନିକଟ ଅତୀତରେ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ କ୍ଷେତ୍ରରେ β-Ga2O3- ଆଧାରିତ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ବିକାଶ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ଧ୍ୟାନ ପାଲଟିଛି |

ସାରଣୀ 1 କିଛି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ପାରାମିଟରର ତୁଳନା

ମୋନୋକଲିନିକ୍ β-Ga2O3 ର ସ୍ଫଟିକ୍ ସଂରଚନା ସାରଣୀ 1 ରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି | ଏହାର ଲାଟାଇସ୍ ପାରାମିଟରରେ a = 12.21 Å, b = 3.04 Å, c = 5.8 Å, ଏବଂ β = 103.8 ° ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ | ୟୁନିଟ୍ ସେଲ୍ ଗ (I) ପରମାଣୁକୁ ମୋଡ଼ାଯାଇଥିବା ଟେଟ୍ରେଡ୍ରାଲ୍ ସମନ୍ୱୟ ସହିତ ଏବଂ ଅଷ୍ଟାଡ୍ରାଲ୍ ସମନ୍ୱୟ ସହିତ Ga (II) ପରମାଣୁକୁ ନେଇ ଗଠିତ | “ମୋଡ଼ାଯାଇଥିବା ଘନ” ଆରେରେ ଅମ୍ଳଜାନ ପରମାଣୁର ତିନୋଟି ଭିନ୍ନ ବ୍ୟବସ୍ଥା ଅଛି, ଦୁଇଟି ତ୍ରିକୋଣୀୟ ସମନ୍ୱିତ O (I) ଏବଂ O (II) ପରମାଣୁ ଏବଂ ଗୋଟିଏ ଟେଟ୍ରାହେଡ୍ରାଲ୍ ସମନ୍ୱିତ O (III) ପରମାଣୁ | ଏହି ଦୁଇ ପ୍ରକାରର ପରମାଣୁ ସମନ୍ୱୟର ମିଶ୍ରଣ ପଦାର୍ଥ ବିଜ୍ଞାନ, ରାସାୟନିକ କ୍ଷୟ, ଅପ୍ଟିକ୍ସ ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ବିଶେଷ ଗୁଣ ସହିତ β-Ga2O3 ର ଆନିସୋଟ୍ରପି ଆଡକୁ ଯାଏ |

ଚିତ୍ର 1 ମୋନୋକଲିନିକ୍ β-Ga2O3 ସ୍ଫଟିକର ସ୍କିଜେଟିକ୍ ଗଠନମୂଳକ ଚିତ୍ର |

ଶକ୍ତି ବ୍ୟାଣ୍ଡ ସିଦ୍ଧାନ୍ତର ଦୃଷ୍ଟିକୋଣରୁ, β-Ga2O3 ର କଣ୍ଡକ୍ଟସନ୍ ବ୍ୟାଣ୍ଡର ସର୍ବନିମ୍ନ ମୂଲ୍ୟ ଗା ପରମାଣୁର 4s0 ହାଇବ୍ରିଡ୍ କକ୍ଷପଥ ସହିତ ଥିବା ଶକ୍ତି ସ୍ଥିତିରୁ ଉତ୍ପନ୍ନ | ଚାଳନା ବ୍ୟାଣ୍ଡର ସର୍ବନିମ୍ନ ମୂଲ୍ୟ ଏବଂ ଶୂନ୍ୟ ଶକ୍ତି ସ୍ତର (ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଆଫିନିଟି ଶକ୍ତି) ମଧ୍ୟରେ ଶକ୍ତି ପାର୍ଥକ୍ୟ ମାପ କରାଯାଏ | ହେଉଛି 4 eV | --Ga2O3 ର ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ମାସ ମୋତେ 0.28–0.33 ମାପ କରାଯାଏ ଏବଂ ଏହାର ଅନୁକୂଳ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି | ଅବଶ୍ୟ, ଭାଲେନ୍ସ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ସର୍ବାଧିକ ଅତି ନିମ୍ନ ବକ୍ରତା ଏବଂ ଦୃ strongly ଭାବରେ ଲୋକାଲାଇଜ୍ ହୋଇଥିବା O2p କକ୍ଷପଥ ସହିତ ଏକ ଅସ୍ଥାୟୀ ଏକ ବକ୍ର ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ, ଏହା ଦର୍ଶାଏ ଯେ ଗାତଗୁଡିକ ଗଭୀର ଭାବରେ ଲୋକାଲ୍ ହୋଇଛି | ଏହି ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ β-Ga2O3 ରେ p- ପ୍ରକାରର ଡୋପିଂ ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ବଡ଼ ଆହ୍ .ାନ | ଯଦିଓ ପି-ଟାଇପ୍ ଡୋପିଂ ହାସଲ କରାଯାଇପାରେ, ଛିଦ୍ର very ବହୁତ ନିମ୍ନ ସ୍ତରରେ ରହିଥାଏ | 2। ବଲ୍କ ଗାଲିୟମ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ, β-Ga2O3 ବଲ୍କ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପଦ୍ଧତି ମୁଖ୍ୟତ cry ସ୍ଫଟିକ୍ ଟାଣିବା ପ୍ରଣାଳୀ, ଯେପରିକି Czochralski (CZ), ଧାର-ପରିଭାଷିତ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଫିଡ୍ ପଦ୍ଧତି (ଏଜ୍-ଡିଫାଇନେଡ୍ ଫିଲ୍ମ-ଫିଡ୍) | , EFG), ବ୍ରିଜମ୍ୟାନ୍ (ରିଟିକାଲ୍ କିମ୍ବା ଭୂସମାନ୍ତର ବ୍ରିଜମ୍ୟାନ୍, HB କିମ୍ବା VB) ଏବଂ ଫ୍ଲୋଟିଂ ଜୋନ୍ (ଫ୍ଲୋଟିଂ ଜୋନ୍, FZ) ଟେକ୍ନୋଲୋଜି | ସମସ୍ତ ପଦ୍ଧତି ମଧ୍ୟରେ, Czochralski ଏବଂ ଧାର-ପରିଭାଷିତ ପତଳା-ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଫିଡିଂ ପ୍ରଣାଳୀ ଭବିଷ୍ୟତରେ β-Ga 2O3 ୱାଫର୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ସବୁଠାରୁ ପ୍ରତିଜ୍ଞାକାରୀ ଉପାୟ ହେବ ବୋଲି ଆଶା କରାଯାଏ, କାରଣ ସେମାନେ ଏକକାଳୀନ ବୃହତ ପରିମାଣ ଏବଂ ନିମ୍ନ ତ୍ରୁଟି ସାନ୍ଧ୍ରତା ହାସଲ କରିପାରନ୍ତି | ଅଦ୍ୟାବଧି, ଜାପାନର ନୋଭେଲ୍ କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ତରଳ ଅଭିବୃଦ୍ଧି β-Ga2O3 ପାଇଁ ଏକ ବ୍ୟବସାୟିକ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ହାସଲ କରିଛି |

2.1 Czochralski ପଦ୍ଧତି |
Czochralski ପଦ୍ଧତିର ନୀତି ହେଉଛି ମଞ୍ଜି ସ୍ତର ପ୍ରଥମେ ଆଚ୍ଛାଦିତ ହୁଏ, ଏବଂ ପରେ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଧୀରେ ଧୀରେ ତରଳିବା ସ୍ଥାନରୁ ଟାଣି ନିଆଯାଏ | ଏହାର ମୂଲ୍ୟ-ପ୍ରଭାବ, ବୃହତ ଆକାର କ୍ଷମତା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ସ୍ଫଟିକ୍ ଗୁଣବତ୍ତା ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ବୃଦ୍ଧି ହେତୁ Czochralski ପଦ୍ଧତି β-Ga2O3 ପାଇଁ ଅଧିକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ | ଅବଶ୍ୟ, Ga2O3 ର ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ବୃଦ୍ଧି ସମୟରେ ତାପଜ ଚାପ ହେତୁ ଏକକ ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକର ବାଷ୍ପୀକରଣ, ତରଳ ପଦାର୍ଥ ଏବଂ ଇର କ୍ରୁସିବଲ୍ କ୍ଷତି ଘଟିବ | Ga2O3 ରେ ନିମ୍ନ n- ପ୍ରକାରର ଡୋପିଂ ହାସଲ କରିବାରେ ଅସୁବିଧା ହେଉଛି ଏହା | ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପରିବେଶରେ ଉପଯୁକ୍ତ ପରିମାଣର ଅମ୍ଳଜାନ ଉପସ୍ଥାପନ କରିବା ଏହି ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନ ପାଇଁ ଗୋଟିଏ ଉପାୟ | ଅପ୍ଟିମାଇଜେସନ୍ ମାଧ୍ୟମରେ, ଉଚ୍ଚମାନର 2-ଇଞ୍ଚ β-Ga2O3 ସହିତ ଏକ ମାଗଣା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଏକାଗ୍ରତା ପରିସର 10 ^ 16 ~ 10 ^ 19 ସେମି -3 ଏବଂ ସର୍ବାଧିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସାନ୍ଦ୍ରତା 160 cm2 / Vs Czochralski ପଦ୍ଧତି ଦ୍ୱାରା ସଫଳତାର ସହିତ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଲା |

ଚିତ୍ର 2 Czochralski ପଦ୍ଧତି ଦ୍ grown ାରା ବୃଦ୍ଧି ହୋଇଥିବା β-Ga2O3 ର ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ |

2.2 ଧାର-ପରିଭାଷିତ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଖାଇବା ପଦ୍ଧତି |
ଧାର-ପରିଭାଷିତ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଫିଡିଂ ପଦ୍ଧତି ବୃହତ କ୍ଷେତ୍ର Ga2O3 ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସାମଗ୍ରୀର ବ୍ୟବସାୟିକ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଅଗ୍ରଣୀ ପ୍ରତିଯୋଗୀ ଭାବରେ ବିବେଚନା କରାଯାଏ | ଏହି ପଦ୍ଧତିର ନୀତି ହେଉଛି ତରଳିକୁ ଏକ କ୍ୟାପିଲାରୀ ସ୍ଲିଟ୍ ସହିତ ଏକ ଛାଞ୍ଚରେ ରଖିବା, ଏବଂ ତରଳିବା କ୍ୟାପିଲାରୀ ଆକ୍ସନ୍ ମାଧ୍ୟମରେ ଛାଞ୍ଚକୁ ଉଠେ | ଶୀର୍ଷରେ, ଏକ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ ଏବଂ ସମସ୍ତ ଦିଗରେ ବିସ୍ତାର ହୁଏ ଯେତେବେଳେ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ ଦ୍ୱାରା ସ୍ଫଟିକ୍ ହେବା ପାଇଁ ପ୍ରେରିତ ହୁଏ | ଅତିରିକ୍ତ ଭାବରେ, ଫ୍ଲେକ୍, ଟ୍ୟୁବ୍ କିମ୍ବା ଯେକ desired ଣସି ଇଚ୍ଛିତ ଜ୍ୟାମିତୀରେ ସ୍ଫଟିକ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଛାଞ୍ଚର ଧାରକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରାଯାଇପାରିବ | Ga2O3 ର ଧାର-ପରିଭାଷିତ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଫିଡିଂ ପଦ୍ଧତି ଦ୍ରୁତ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ହାର ଏବଂ ବୃହତ ବ୍ୟାସ ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ | ଚିତ୍ର 3 β-Ga2O3 ଏକକ ସ୍ଫଟିକର ଏକ ଚିତ୍ର ଦେଖାଏ | ଏଥିସହ, ସାଇଜ୍ ସ୍କେଲ୍ ଦୃଷ୍ଟିରୁ, 2-ଇଞ୍ଚ ଏବଂ 4-ଇଞ୍ଚ β-Ga2O3 ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଗୁଡିକ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ସ୍ୱଚ୍ଛତା ଏବଂ ସମାନତା ସହିତ ବାଣିଜ୍ୟିକ ହୋଇଥିବାବେଳେ ଭବିଷ୍ୟତରେ ବ୍ୟବସାୟିକୀକରଣ ପାଇଁ 6 ଇଞ୍ଚର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପ୍ରଦର୍ଶିତ ହୋଇଛି | ସମ୍ପ୍ରତି, ବୃହତ ବୃତ୍ତାକାର ଏକକ-ସ୍ଫଟିକ୍ ବଲ୍କ ସାମଗ୍ରୀ ମଧ୍ୟ (−201) ଆଭିମୁଖ୍ୟ ସହିତ ଉପଲବ୍ଧ ହୋଇଛି | ଏହା ସହିତ, β-Ga2O3 ଧାର-ପରିଭାଷିତ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଫିଡିଂ ପଦ୍ଧତି ମଧ୍ୟ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ଧାତୁ ଉପାଦାନଗୁଡିକର ଡୋପିଂକୁ ପ୍ରୋତ୍ସାହିତ କରିଥାଏ, ଯାହା Ga2O3 ର ଅନୁସନ୍ଧାନ ଏବଂ ପ୍ରସ୍ତୁତି ସମ୍ଭବ କରିଥାଏ |

ଚିତ୍ର 3 β-Ga2O3 ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଧାର-ପରିଭାଷିତ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଫିଡିଂ ପଦ୍ଧତି ଦ୍ୱାରା ବ grown ଼ିଥାଏ |

2.3 ବ୍ରିଜମ୍ୟାନ୍ ପଦ୍ଧତି |
ବ୍ରିଜମ୍ୟାନ୍ ପଦ୍ଧତିରେ ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ସ୍ଥାନରେ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ ଯାହା ଧୀରେ ଧୀରେ ଏକ ତାପମାତ୍ରା ଗ୍ରେଡିଏଣ୍ଟ୍ ମାଧ୍ୟମରେ ଗତି କରେ | ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏକ ଭୂସମାନ୍ତର କିମ୍ବା ଭୂଲମ୍ବ ଦିଗରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରାଯାଇପାରେ, ସାଧାରଣତ a ଏକ ଘୂର୍ଣ୍ଣନ କ୍ରୁସିବଲ୍ ବ୍ୟବହାର କରି | ସୂଚନାଯୋଗ୍ୟ ଯେ ଏହି ପଦ୍ଧତି ସ୍ଫଟିକ୍ ମଞ୍ଜି ବ୍ୟବହାର କରିପାରେ କିମ୍ବା ବ୍ୟବହାର କରିନପାରେ | ପାରମ୍ପାରିକ ବ୍ରିଜମ୍ୟାନ୍ ଅପରେଟରମାନେ ତରଳିବା ଏବଂ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟାର ପ୍ରତ୍ୟକ୍ଷ ଭିଜୁଆଲାଇଜେସନ୍ ଅଭାବ କରନ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ସଠିକତା ସହିତ ତାପମାତ୍ରାକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ | ଭୂଲମ୍ବ ବ୍ରିଜମ୍ୟାନ୍ ପଦ୍ଧତି ମୁଖ୍ୟତ β β-Ga2O3 ର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଏବଂ ବାୟୁ ପରିବେଶରେ ବ to ିବାର କ୍ଷମତା ପାଇଁ ଜଣାଶୁଣା | ଭର୍ଟିକାଲ୍ ବ୍ରିଜମ୍ୟାନ୍ ପଦ୍ଧତି ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ, ତରଳିବା ଏବଂ କ୍ରୁସିବଲ୍ ର ସମୁଦାୟ କ୍ଷତି 1% ତଳେ ରଖାଯାଇଥାଏ, ଯାହା ସର୍ବନିମ୍ନ କ୍ଷତି ସହିତ ବୃହତ β-Ga2O3 ଏକକ ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକର ବୃଦ୍ଧିକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ |

ଚିତ୍ର 4 ବ୍ରିଜମ୍ୟାନ୍ ପଦ୍ଧତି ଦ୍ୱାରା ବ grown ଼ାଯାଇଥିବା β-Ga2O3 ର ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ |

2.4 ଫ୍ଲୋଟିଂ ଜୋନ୍ ପଦ୍ଧତି |
ଫ୍ଲୋଟିଂ ଜୋନ୍ ପଦ୍ଧତି କ୍ରୁସିବଲ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଦ୍ cry ାରା ସ୍ଫଟିକ୍ ପ୍ରଦୂଷଣର ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନ କରିଥାଏ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧକ ଇନଫ୍ରାଡ୍ କ୍ରୁସିବଲ୍ ସହିତ ଜଡିତ ଅଧିକ ଖର୍ଚ୍ଚ ହ୍ରାସ କରିଥାଏ | ଏହି ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ, ତରଳିବା ଏକ RF ଉତ୍ସ ପରିବର୍ତ୍ତେ ଏକ ପ୍ରଦୀପ ଦ୍ୱାରା ଗରମ ହୋଇପାରେ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଉପକରଣର ଆବଶ୍ୟକତାକୁ ସରଳ କରିଥାଏ | ଯଦିଓ ଫ୍ଲୋଟିଂ ଜୋନ୍ ପଦ୍ଧତି ଦ୍ grown ାରା ବ grown ଼ାଯାଇଥିବା β-Ga2O3 ର ଆକୃତି ଏବଂ ସ୍ଫଟିକ୍ ଗୁଣ ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ସର୍ବୋତ୍ତମ ନୁହେଁ, ଏହି ପଦ୍ଧତି ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା β-Ga2O3 କୁ ବଜେଟ୍ ଅନୁକୂଳ ଏକକ ସ୍ଫଟିକରେ ବ growing ାଇବା ପାଇଁ ଏକ ପ୍ରତିଜ୍ଞାକାରୀ ପଦ୍ଧତି ଖୋଲିଥାଏ |

ଚିତ୍ର 5 β-Ga2O3 ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଭାସମାନ ଜୋନ୍ ପଦ୍ଧତି ଦ୍ୱାରା ବ grown ିଥାଏ |