ବ୍ରେକ୍ଥ୍ରୁ ସିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ମୁଖ୍ୟ ମୂଳ ପଦାର୍ଥ |

ଯେତେବେଳେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ବ ows େ, ସ୍ଫଟିକର ଅକ୍ଷୀୟ କେନ୍ଦ୍ର ଏବଂ ଧାର ମଧ୍ୟରେ ବୃଦ୍ଧି ଇଣ୍ଟରଫେସର “ପରିବେଶ” ଭିନ୍ନ ହୋଇଥାଏ, ଯାହାଫଳରେ ଧାରରେ ଥିବା ସ୍ଫଟିକ୍ ଚାପ ବ increases ିଯାଏ ଏବଂ ସ୍ଫଟିକ୍ ଧାର “ବ୍ୟାପକ ତ୍ରୁଟି” ଉତ୍ପାଦନ କରିବା ସହଜ ଅଟେ | ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଷ୍ଟପ୍ ରିଙ୍ଗ୍ “ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ” ର ପ୍ରଭାବରେ, ଧାର ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନ କିମ୍ବା କେନ୍ଦ୍ରର ପ୍ରଭାବଶାଳୀ କ୍ଷେତ୍ର (95% ରୁ ଅଧିକ) କିପରି ବୃଦ୍ଧି ହେବ ତାହା ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ବ technical ଷୟିକ ବିଷୟ |

ଯେହେତୁ ମାକ୍ରୋ ତ୍ରୁଟି ଯେପରିକି “ମାଇକ୍ରୋଟ୍ୟୁବୁଲ୍” ଏବଂ “ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ” ଧୀରେ ଧୀରେ ଶିଳ୍ପ ଦ୍ୱାରା ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହୁଏ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକକୁ “ଦ୍ରୁତ, ଲମ୍ବା ଏବଂ ମୋଟା ଏବଂ ବ grow ିବାକୁ” ଚ୍ୟାଲେଞ୍ଜ କରି, “ବ୍ୟାପକ ତ୍ରୁଟି” ଧାର ଅସ୍ୱାଭାବିକ ଭାବରେ ଦେଖାଯାଏ, ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକର ବ୍ୟାସ ଏବଂ ଘନତା ବୃଦ୍ଧି, ଧାର “ବିସ୍ତୃତ ତ୍ରୁଟି” ବ୍ୟାସ ବର୍ଗ ଏବଂ ଘନତା ଦ୍ୱାରା ବହୁଗୁଣିତ ହେବ |

ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ TaC ଆବରଣର ବ୍ୟବହାର ହେଉଛି ଧାର ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନ ଏବଂ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧିର ଗୁଣରେ ଉନ୍ନତି ଆଣିବା, ଯାହା “ଦ୍ରୁତ ଗତିରେ ବ growing ିବା, ମୋଟା ହେବା ଏବଂ ବ growing ିବା” ର ମୂଳ ବ technical ଷୟିକ ଦିଗ | ଶିଳ୍ପ ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ବିକାଶକୁ ପ୍ରୋତ୍ସାହିତ କରିବା ଏବଂ ପ୍ରମୁଖ ସାମଗ୍ରୀର “ଆମଦାନୀ” ନିର୍ଭରଶୀଳତାକୁ ସମାଧାନ କରିବା ପାଇଁ ହେଙ୍ଗପୁ ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା (CVD) ର ସମାଧାନ କରି ଆନ୍ତର୍ଜାତୀୟ ଉନ୍ନତ ସ୍ତରରେ ପହଞ୍ଚିଛି |

ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ TaC ଆବରଣ, ହୃଦୟଙ୍ଗମ ଦୃଷ୍ଟିକୋଣରୁ କଷ୍ଟସାଧ୍ୟ ନୁହେଁ, ସିଣ୍ଟରିଂ ସହିତ, ସିଭିଡି ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପଦ୍ଧତି ହାସଲ କରିବା ସହଜ | ସିଣ୍ଟରିଂ ପଦ୍ଧତି, ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପାଉଡର କିମ୍ବା ପୂର୍ବର ବ୍ୟବହାର, ସକ୍ରିୟ ଉପାଦାନ (ସାଧାରଣତ metal ଧାତୁ) ଏବଂ ବଣ୍ଡିଂ ଏଜେଣ୍ଟ (ସାଧାରଣତ long ଲମ୍ବା ଚେନ୍ ପଲିମର) ଯୋଗକରି, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ସିନ୍ ହୋଇଥିବା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଆବୃତ | CVD ପଦ୍ଧତି ଦ୍ Ta ାରା, TaCl5 + H2 + CH4 ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ପୃଷ୍ଠରେ 900-1500 at ରେ ଜମା କରାଯାଇଥିଲା |

ତଥାପି, ମ t ଳିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ଯେପରିକି ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଡିପୋଜିସନର ସ୍ଫଟିକ୍ ଆଭିଏଣ୍ଟେସନ୍, ୟୁନିଫର୍ମ ଫିଲ୍ମର ଘନତା, ଆବରଣ ଏବଂ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ମଧ୍ୟରେ ଚାପ ମୁକ୍ତ, ଭୂପୃଷ୍ଠ ଫାଟ ଇତ୍ୟାଦି ଅତ୍ୟନ୍ତ ଚ୍ୟାଲେଞ୍ଜ ଅଟେ | ବିଶେଷକରି ସିକ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପରିବେଶରେ, ଏକ ସ୍ଥିର ସେବା ଜୀବନ ହେଉଛି ମୂଳ ପାରାମିଟର, ସବୁଠାରୁ କଷ୍ଟକର |