ପ୍ଲାଜାର ବର୍ଦ୍ଧିତ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ସଂରକ୍ଷଣର ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରକ୍ରିୟା |
ଗ୍ଲୋ ଡିସଚାର୍ଜ ପ୍ଲାଜମା ସାହାଯ୍ୟରେ ଗ୍ୟାସୀୟ ପଦାର୍ଥର ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଦ୍ thin ାରା ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ପ୍ଲାଜମା ବର୍ଦ୍ଧିତ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (PECVD) ଏକ ନୂତନ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା | କାରଣ PECVD ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଗ୍ୟାସ୍ ଡିସଚାର୍ଜ ଦ୍ୱାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ, ଅସନ୍ତୁଳିତ ପ୍ଲାଜାର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ ଫଳପ୍ରଦ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଏବଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରଣାଳୀର ଶକ୍ତି ଯୋଗାଣ ଧାରା ମ ament ଳିକ ଭାବରେ ପରିବର୍ତ୍ତିତ ହୁଏ | ସାଧାରଣତ speaking କହିବାକୁ ଗଲେ, ଯେତେବେଳେ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବା ପାଇଁ PECVD ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ମୁଖ୍ୟତ the ନିମ୍ନଲିଖିତ ତିନୋଟି ମ basic ଳିକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ |
ପ୍ରଥମତ ,, ଅଣ-ସନ୍ତୁଳିତ ପ୍ଲାଜାମାରେ, ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଗ୍ୟାସ୍ ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଗ୍ୟାସ୍ କ୍ଷୟ କରି ଆୟନ ଏବଂ ସକ୍ରିୟ ଗୋଷ୍ଠୀର ମିଶ୍ରଣ ସୃଷ୍ଟି କରିବାକୁ ପ୍ରାଥମିକ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଗ୍ୟାସ୍ ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରନ୍ତି |
ଦ୍ୱିତୀୟତ ,, ସମସ୍ତ ପ୍ରକାରର ସକ୍ରିୟ ଗୋଷ୍ଠୀ ବିସ୍ତାର ହୁଏ ଏବଂ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର କାନ୍ଥ ଏବଂ କାନ୍ଥକୁ ପରିବହନ ହୁଏ, ଏବଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟରେ ଦ୍ secondary ିତୀୟ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଏକ ସମୟରେ ଘଟେ;
ପରିଶେଷରେ, ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପୃଷ୍ଠରେ ପହଞ୍ଚୁଥିବା ସମସ୍ତ ପ୍ରକାରର ପ୍ରାଥମିକ ଏବଂ ଦ୍ secondary ିତୀୟ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକ ଆଡର୍ସଡ୍ ହୋଇ ଭୂପୃଷ୍ଠ ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରେ, ଗ୍ୟାସ୍ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକର ପୁନ release ପ୍ରକାଶନ ସହିତ |
ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଭାବେ, ଗ୍ଲୋ ଡିସଚାର୍ଜ ପଦ୍ଧତି ଉପରେ ଆଧାରିତ PECVD ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବାହ୍ୟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋମ୍ୟାଗ୍ନେଟିକ୍ କ୍ଷେତ୍ରର ଉତ୍ତେଜନାରେ ପ୍ଲାଜ୍ମା ଗଠନ ପାଇଁ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଗ୍ୟାସ ଆୟୋନାଇଜ୍ କରିପାରେ | ଗ୍ଲୋ ଡିସଚାର୍ଜ ପ୍ଲାଜାମାରେ, ବାହ୍ୟ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ଦ୍ୱାରା ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡିକର ଗତିଜ ଶକ୍ତି ସାଧାରଣତ about ପ୍ରାୟ 10ev, କିମ୍ବା ଏହାଠାରୁ ଅଧିକ, ଯାହା ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଗ୍ୟାସ୍ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକର ରାସାୟନିକ ବନ୍ଧକୁ ନଷ୍ଟ କରିବା ପାଇଁ ଯଥେଷ୍ଟ | ତେଣୁ, ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଏବଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଗ୍ୟାସ୍ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକର ଇନଲେଷ୍ଟିକ୍ ଧକ୍କା ମାଧ୍ୟମରେ, ଗ୍ୟାସ୍ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ ଆୟନାଇଜ୍ ହୋଇ ବିଚ୍ଛିନ୍ନ ହୋଇ ନିରପେକ୍ଷ ପରମାଣୁ ଏବଂ ମଲିକୁଲାର୍ ଉତ୍ପାଦ ଉତ୍ପାଦନ କରିବେ | ସକରାତ୍ମକ ଆୟନଗୁଡିକ ଆୟନ ସ୍ତର ଦ୍ electric ାରା ବ electric ଦୁତିକ କ୍ଷେତ୍ରକୁ ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ କରେ ଏବଂ ଉପର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ସହିତ ଧକ୍କା ହୁଏ | ନିମ୍ନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ନିକଟରେ ଏକ ଛୋଟ ଆୟନ ସ୍ତରର ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ମଧ୍ୟ ଅଛି, ତେଣୁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମଧ୍ୟ କିଛି ପରିମାଣରେ ଆୟନ ଦ୍ bomb ାରା ବିସ୍ଫୋରଣ ହୁଏ | ଫଳସ୍ୱରୂପ, କ୍ଷୟ ଦ୍ୱାରା ଉତ୍ପନ୍ନ ନିରପେକ୍ଷ ପଦାର୍ଥ ଟ୍ୟୁବ୍ କାନ୍ଥ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ରେ ବିସ୍ତାର ହୁଏ | ଡ୍ରିଫ୍ଟ ଏବଂ ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଏହି କଣିକା ଏବଂ ଗୋଷ୍ଠୀଗୁଡିକ (ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ସକ୍ରିୟ ନିରପେକ୍ଷ ପରମାଣୁ ଏବଂ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକୁ ଗୋଷ୍ଠୀ କୁହାଯାଏ) ସ୍ୱଳ୍ପ ହାରାହାରି ମୁକ୍ତ ପଥ ହେତୁ ଆୟନ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଏବଂ ଗୋଷ୍ଠୀ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଅତିକ୍ରମ କରିବେ | ରାସାୟନିକ ସକ୍ରିୟ ପଦାର୍ଥର ରାସାୟନିକ ଗୁଣ (ମୁଖ୍ୟତ groups ଗୋଷ୍ଠୀ) ଯାହା ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପାଖରେ ପହଞ୍ଚେ ଏବଂ ଆଡର୍ସବେଡ୍ ହୁଏ, ସେମାନେ ଅତ୍ୟନ୍ତ ସକ୍ରିୟ ଅଟନ୍ତି, ଏବଂ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ସେମାନଙ୍କ ମଧ୍ୟରେ ପାରସ୍ପରିକ କ୍ରିୟା ଦ୍ୱାରା ଗଠିତ |
ପ୍ଲାଜାରେ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା |
କାରଣ ଗ୍ଲୋ ଡିସଚାର୍ଜ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଗ୍ୟାସର ଉତ୍ତେଜନା ମୁଖ୍ୟତ elect ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଧକ୍କା, ପ୍ଲାଜାରେ ପ୍ରାଥମିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ବିଭିନ୍ନ, ଏବଂ ପ୍ଲାଜମା ଏବଂ କଠିନ ପୃଷ୍ଠ ମଧ୍ୟରେ ପାରସ୍ପରିକ କ୍ରିୟା ମଧ୍ୟ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଜଟିଳ, ଯାହା ଏହି ଯନ୍ତ୍ରକ study ଶଳ ଅଧ୍ୟୟନ କରିବା ଅଧିକ କଷ୍ଟସାଧ୍ୟ କରିଥାଏ | PECVD ପ୍ରକ୍ରିୟାର | ଆଦର୍ଶ ଗୁଣ ସହିତ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ପାଇବା ପାଇଁ ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଅନେକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରଣାଳୀକୁ ପରୀକ୍ଷଣ ଦ୍ୱାରା ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରାଯାଇଛି | PECVD ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଉପରେ ଆଧାରିତ ସିଲିକନ୍-ଆଧାରିତ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରଗୁଡ଼ିକର ଜମା ପାଇଁ, ଯଦି ଡିପୋଜିଟେସନ୍ ମେକାନିଜିମ୍ ଗଭୀର ଭାବରେ ପ୍ରକାଶ କରାଯାଇପାରେ, ସାମଗ୍ରୀର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଭ physical ତିକ ଗୁଣ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ ସିଲିକନ୍-ଆଧାରିତ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରଗୁଡ଼ିକର ଜମା ହାର ବହୁଗୁଣିତ ହୋଇପାରେ |
ବର୍ତ୍ତମାନ, ସିଲିକନ୍ ଭିତ୍ତିକ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଅନୁସନ୍ଧାନରେ, ହାଇଡ୍ରୋଜେନ୍ ମିଶ୍ରିତ ସିଲାନ୍ (SiH4) ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଗ୍ୟାସ୍ ଭାବରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ କାରଣ ସିଲିକନ୍ ଭିତ୍ତିକ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରରେ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପରିମାଣର ହାଇଡ୍ରୋଜେନ୍ ଥାଏ | ସିଲିକନ୍ ଆଧାରିତ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରରେ H ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ | ଏହା ବସ୍ତୁ ଗଠନରେ ଡଙ୍ଗଲିଂ ବଣ୍ଡ ପୂରଣ କରିପାରିବ, ତ୍ରୁଟି ଶକ୍ତି ସ୍ତରକୁ ବହୁ ମାତ୍ରାରେ ହ୍ରାସ କରିପାରିବ ଏବଂ ବର୍ଚ୍ଛା ଇତ୍ୟାଦି ଠାରୁ ସାମଗ୍ରୀର ଭାଲେନ୍ସ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନ ନିୟନ୍ତ୍ରଣକୁ ସହଜରେ ହୃଦୟଙ୍ଗମ କରିପାରିବ | ପ୍ରଥମେ ସିଲିକନ୍ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଡୋପିଂ ପ୍ରଭାବ ହୃଦୟଙ୍ଗମ କଲା ଏବଂ ପ୍ରଥମ ପିଏନ୍ ଜଙ୍କସନ ପ୍ରସ୍ତୁତ କଲା, PECVD ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଉପରେ ଆଧାରିତ ସିଲିକନ୍ ଆଧାରିତ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ପ୍ରସ୍ତୁତି ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗ ଉପରେ ଗବେଷଣା ଲମ୍ଫ ଏବଂ ସୀମା ଦ୍ developed ାରା ବିକଶିତ ହୋଇଛି | ତେଣୁ, PECVD ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଦ୍ୱାରା ଜମା ହୋଇଥିବା ସିଲିକନ୍-ଆଧାରିତ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରଗୁଡ଼ିକରେ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ନିମ୍ନରେ ବର୍ଣ୍ଣନା କରାଯିବ ଏବଂ ଆଲୋଚନା କରାଯିବ |
ଗ୍ଲୋ ଡିସଚାର୍ଜ ଅବସ୍ଥାରେ, କାରଣ ସିଲାନ ପ୍ଲାଜାମାରେ ଥିବା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନଗୁଡିକରେ ଅନେକ ଇଭି ଶକ୍ତି ଥାଏ, H2 ଏବଂ SiH4 କ୍ଷୟ ହୋଇଯିବ ଯେତେବେଳେ ସେମାନେ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଦ୍ coll ାରା ଧକ୍କା ହୁଅନ୍ତି, ଯାହା ପ୍ରାଥମିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାରେ ରହିଥାଏ | ଯଦି ଆମେ ମଧ୍ୟବର୍ତ୍ତୀ ଉତ୍ତେଜିତ ସ୍ଥିତିକୁ ବିଚାର କରୁନାହୁଁ, ତେବେ ଆମେ H ସହିତ ସିହମ୍ (M = 0,1,2,3) ର ନିମ୍ନଲିଖିତ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପାଇପାରିବା |
e + SiH4 → SiH2 + H2 + e (2.1)
e + SiH4 → SiH3 + H + e (2.2)
e + SiH4 → Si + 2H2 + e (2.3)
e + SiH4 → SiH + H2 + H + e (2.4)
e + H2 → 2H + e (2.5)
ଭୂତଳ ରାଜ୍ୟ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକର ଉତ୍ପାଦନର ମାନକ ଉତ୍ତାପ ଅନୁଯାୟୀ, ଉପରୋକ୍ତ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ପ୍ରକ୍ରିୟା (2.1) ~ (2.5) ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ଶକ୍ତି ଯଥାକ୍ରମେ 2.1, 4.1, 4.4, 5.9 ଇଭି ଏବଂ 4.5 ଇଭି | ପ୍ଲାଜାମାରେ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ମଧ୍ୟ ନିମ୍ନ ଆୟନାଇଜେସନ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଦେଇପାରେ |
e + SiH4 → SiH2 ++ H2 + 2e (2.6)
e + SiH4 → SiH3 ++ H + 2e (2.7)
e + SiH4 → Si ++ 2H2 + 2e (2.8)
e + SiH4 → SiH ++ H2 + H + 2e (2.9)
(2.6) ~ (2.9) ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ଶକ୍ତି ଯଥାକ୍ରମେ 11.9, 12.3, 13.6 ଏବଂ 15.3 ଇଭି ଅଟେ | ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଶକ୍ତିର ପାର୍ଥକ୍ୟ ହେତୁ, (2.1) ~ (2.9) ପ୍ରତିକ୍ରିୟାର ସମ୍ଭାବନା ବହୁତ ଅସମାନ ଅଟେ | ଏହା ସହିତ, ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକ୍ରିୟା (2.1) ~ (2.5) ସହିତ ଗଠିତ ସିହମ୍ ଆୟନାଇଜ୍ ପାଇଁ ନିମ୍ନଲିଖିତ ଦ୍ secondary ିତୀୟ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଅତିକ୍ରମ କରିବ, ଯେପରିକି
SiH + e → SiH ++ 2e (2.10)
SiH2 + e → SiH2 ++ 2e (2.11)
SiH3 + e → SiH3 ++ 2e (2.12)
ଯଦି ଉପରୋକ୍ତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଏକକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦ୍ୱାରା କରାଯାଏ, ଆବଶ୍ୟକ ଶକ୍ତି ପ୍ରାୟ 12 ଇଭି କିମ୍ବା ଅଧିକ | ସିଲିକନ୍ ଭିତ୍ତିକ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ପ୍ରସ୍ତୁତି ପାଇଁ ବାୟୁମଣ୍ଡଳୀୟ ଚାପ (10-100pa) ଅଧୀନରେ ଦୁର୍ବଳ ଆୟନାଇଜଡ୍ ପ୍ଲାଜାରେ 10ev ରୁ ଅଧିକ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବିଶିଷ୍ଟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସଂଖ୍ୟା 1010cm-3 ର ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସାନ୍ଦ୍ରତା ସହିତ ଅପେକ୍ଷାକୃତ କମ୍ ଅଟେ | ଆୟନାଇଜେସନ୍ ସମ୍ଭାବନା ସାଧାରଣତ the ଉତ୍ତେଜନା ସମ୍ଭାବନାଠାରୁ ଛୋଟ | ତେଣୁ, ସିଲାନ ପ୍ଲାଜାମାରେ ଉପରୋକ୍ତ ଆୟନାଇଜଡ୍ ଯ ounds ଗିକର ଅନୁପାତ ବହୁତ କମ୍, ଏବଂ ସିହମର ନିରପେକ୍ଷ ଗୋଷ୍ଠୀ ପ୍ରାଧାନ୍ୟ ବିସ୍ତାର କରେ | ମାସ ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରମ୍ ବିଶ୍ଳେଷଣ ଫଳାଫଳ ମଧ୍ୟ ଏହି ସିଦ୍ଧାନ୍ତକୁ ପ୍ରମାଣ କରେ | Bourquard et al। ଆହୁରି ସୂଚାଇ ଦେଇଛନ୍ତି ଯେ sihm ର ଏକାଗ୍ରତା sih3, sih2, Si ଏବଂ SIH କ୍ରମରେ ହ୍ରାସ ପାଇଛି, କିନ୍ତୁ SiH3 ର ଏକାଗ୍ରତା SIH ର ତିନି ଗୁଣ ଅଧିକ | ରୋବର୍ଟସନ ଏବଂ ଅନ୍ୟମାନେ | ରିପୋର୍ଟ ହୋଇଛି ଯେ ସିହମର ନିରପେକ୍ଷ ଦ୍ରବ୍ୟରେ ଶୁଦ୍ଧ ସିଲାନ ମୁଖ୍ୟତ high ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ନିଷ୍କାସନ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇଥିବାବେଳେ sih3 ମୁଖ୍ୟତ low ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି ନିଷ୍କାସନ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇଥିଲା | ଉଚ୍ଚରୁ ନିମ୍ନକୁ ଏକାଗ୍ରତାର କ୍ରମ ଥିଲା SiH3, SiH, Si, SiH2 | ତେଣୁ, ପ୍ଲାଜ୍ମା ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ସିହମ୍ ନିରପେକ୍ଷ ଦ୍ରବ୍ୟର ଗଠନକୁ ଦୃ strongly ଭାବରେ ପ୍ରଭାବିତ କରିଥାଏ |
ଉପରୋକ୍ତ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ଏବଂ ଆୟନାଇଜେସନ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସହିତ, ଆୟନିକ୍ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟରେ ଦ୍ secondary ିତୀୟ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ମଧ୍ୟ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |
SiH2 ＋+ SiH4 → SiH3 ++ SiH3 (2.13)
ତେଣୁ, ଆୟନର ଏକାଗ୍ରତା ଦୃଷ୍ଟିରୁ, sih3 + sih2 + ଠାରୁ ଅଧିକ ଅଟେ | SiH4 ପ୍ଲାଜାରେ sih2 + ଆୟନ ଅପେକ୍ଷା କାହିଁକି ଅଧିକ sih3 + ଆୟନ ଅଛି ତାହା ଏହା ବ୍ୟାଖ୍ୟା କରିପାରିବ |
ଏଥିସହ, ଏକ ମଲିକୁଲାର ପରମାଣୁ ଧକ୍କା ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ହେବ ଯେଉଁଥିରେ ପ୍ଲାଜାରେ ଥିବା ହାଇଡ୍ରୋଜେନ ପରମାଣୁ SiH4 ରେ ହାଇଡ୍ରୋଜେନକୁ କାବୁ କରିବେ |
H + SiH4 → SiH3 + H2 (2.14)
ଏହା ଏକ ବାହ୍ୟ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଏବଂ si2h6 ଗଠନ ପାଇଁ ଏକ ପୂର୍ବବର୍ତ୍ତୀ | ଅବଶ୍ୟ, ଏହି ଗୋଷ୍ଠୀଗୁଡ଼ିକ କେବଳ ଭୂମି ସ୍ଥିତିରେ ନୁହଁନ୍ତି, ପ୍ଲାଜାରେ ଉତ୍ତେଜିତ ଅବସ୍ଥା ପାଇଁ ମଧ୍ୟ ଉତ୍ସାହିତ ଅଛନ୍ତି | ସିଲାନ ପ୍ଲାଜାର ନିର୍ଗମନ ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରା ଦର୍ଶାଏ ଯେ Si, SIH, h, ଏବଂ SiH2, SiH3 ର ସ୍ପନ୍ଦନ ଉତ୍ତେଜିତ ରାଜ୍ୟଗୁଡିକ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଆଡମିସନ୍ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ଉତ୍ତେଜିତ ରାଜ୍ୟଗୁଡିକ ଅଛି |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଏପ୍ରିଲ -07-2021 |