କାର୍ବନ / ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ସାମଗ୍ରୀରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣର ପ୍ରୟୋଗ ଏବଂ ଅନୁସନ୍ଧାନ ଅଗ୍ରଗତି |
1.1 ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରସ୍ତୁତିରେ ପ୍ରୟୋଗ ଏବଂ ଅନୁସନ୍ଧାନ ଅଗ୍ରଗତି |
ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ରରେ ,।କାର୍ବନ / କାର୍ବନ କ୍ରୁସିବଲ୍ |ମୁଖ୍ୟତ sil ସିଲିକନ୍ ସାମଗ୍ରୀ ପାଇଁ ଏକ ପରିବହନକାରୀ ପାତ୍ର ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଏବଂ ଏହା ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗରେ |କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ କ୍ରୁସିବଲ୍ |ଚିତ୍ର 2 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ / ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳର କାର୍ଯ୍ୟର ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରାୟ 1450 ℃ ଅଟେ, ଯାହା କଠିନ ସିଲିକନ୍ (ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍) ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ବାଷ୍ପର ଦ୍ୱିଗୁଣ କ୍ଷୟକ୍ଷତିର ସମ୍ମୁଖୀନ ହୁଏ ଏବଂ ଶେଷରେ କ୍ରୁସିବଲ୍ ପତଳା ହୋଇଯାଏ କିମ୍ବା ଏକ ରିଙ୍ଗ୍ ଫାଟ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ | , ଫଳସ୍ୱରୂପ କ୍ରୁସିବଲ୍ ର ବିଫଳତା |
ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏବଂ ଇନ୍-ସିଟ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାରେ ଏକ ମିଶ୍ରିତ ଆବରଣ କାର୍ବନ / କାର୍ବନ କମ୍ପୋଜିଟ୍ କ୍ରୁସିବଲ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରାଯାଇଥିଲା | ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣ (100 ~ 300μm), ସିଲିକନ୍ ଆବରଣ (10 ~ 20μm) ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଆବରଣ (50 ~ 100μm) ଗଠିତ ହୋଇଥିଲା, ଯାହା ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ / ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳର ଭିତର ପୃଷ୍ଠରେ ସିଲିକନ୍ ବାଷ୍ପର କ୍ଷୟକୁ ପ୍ରଭାବିତ କରିପାରେ | କ୍ରୁଶବିଦ୍ଧ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଆବୃତ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ / କାର୍ବନ କମ୍ପୋଜିଟ୍ କ୍ରୁସିବଲ୍ କ୍ଷୟ ହେଉଛି ଚୁଲି ପ୍ରତି 0.04 ମିଲିମିଟର, ଏବଂ ସେବା ଜୀବନ 180 ଚୁଲା ସମୟ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପହଞ୍ଚିପାରେ |
ଅନୁସନ୍ଧାନକାରୀମାନେ ଏକ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରଣାଳୀ ବ୍ୟବହାର କରି କାର୍ବନ / କାର୍ବନ କମ୍ପୋସାଇଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ତାପମାତ୍ରା ଅବସ୍ଥାରେ କ୍ରୁସିବଲ୍ ଏବଂ ବାହକ ଗ୍ୟାସର ସୁରକ୍ଷା ପାଇଁ ଏକ ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ଧାତୁକୁ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ କଞ୍ଚାମାଲ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରିଥିଲେ | ଚୁଲି ଫଳାଫଳଗୁଡିକ ଦର୍ଶାଏ ଯେ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଚିକିତ୍ସା କେବଳ ସିକ୍ ଆବରଣର ଶୁଦ୍ଧତା ଏବଂ ଶକ୍ତିରେ ଉନ୍ନତି କରେ ନାହିଁ, ବରଂ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ / କାର୍ବନ କମ୍ପୋଜିଟ୍ ପୃଷ୍ଠର ପରିଧାନ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ମଧ୍ୟ ବହୁଗୁଣିତ କରିଥାଏ ଏବଂ SiO ବାଷ୍ପ ଦ୍ୱାରା କ୍ରୁସିବଲ୍ ପୃଷ୍ଠର କ୍ଷୟକୁ ରୋକିଥାଏ | ଏବଂ ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ସିଲିକନ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସରେ ଅସ୍ଥିର ଅମ୍ଳଜାନ ପରମାଣୁ | କ୍ରୁସିବଲ୍ ର ସେବା ଜୀବନ 20% ବୃଦ୍ଧି ହୋଇଛି ଯାହାକି ସିକ୍ ଆବରଣ ବିନା କ୍ରୁସିବଲ୍ ତୁଳନାରେ |
1.2 ଫ୍ଲୋ ଗାଇଡ୍ ଟ୍ୟୁବରେ ପ୍ରୟୋଗ ଏବଂ ଅନୁସନ୍ଧାନ ଅଗ୍ରଗତି |
ଗାଇଡ୍ ସିଲିଣ୍ଡର କ୍ରୁସିବଲ୍ ଉପରେ ଅବସ୍ଥିତ (ଚିତ୍ର 1 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି) | ସ୍ଫଟିକ୍ ଟାଣିବା ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, କ୍ଷେତ୍ର ଭିତରେ ଏବଂ ବାହାରେ ତାପମାତ୍ରା ପାର୍ଥକ୍ୟ ବଡ଼, ବିଶେଷତ the ତଳ ପୃଷ୍ଠଟି ତରଳାଯାଇଥିବା ସିଲିକନ୍ ପଦାର୍ଥର ନିକଟତମ, ତାପମାତ୍ରା ସର୍ବାଧିକ, ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ବାଷ୍ପ ଦ୍ୱାରା କ୍ଷୟ ସବୁଠାରୁ ଗୁରୁତର |
ଅନୁସନ୍ଧାନକାରୀମାନେ ଏକ ସରଳ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏବଂ ଗାଇଡ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ଆଣ୍ଟି-ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ଆବରଣ ଏବଂ ପ୍ରସ୍ତୁତି ପଦ୍ଧତିର ଭଲ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଉଦ୍ଭାବନ କରିଥିଲେ | ପ୍ରଥମେ, ଗାଇଡ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ର ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱିସ୍କର୍ ର ଏକ ସ୍ତର ବ grown ଼ିଲା, ଏବଂ ତା’ପରେ ଏକ ଘନ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ବାହ୍ୟ ସ୍ତର ପ୍ରସ୍ତୁତ ହେଲା, ଯାହାଫଳରେ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ଏବଂ ଘନ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ ସ୍ତର ମଧ୍ୟରେ ଏକ SiCw ପରିବର୍ତ୍ତନ ସ୍ତର ଗଠନ ହେଲା | ଚିତ୍ର 3 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି ଥର୍ମାଲ୍ ବିସ୍ତାରର କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ମଧ୍ୟରେ ଥିଲା | ଏହା ଥର୍ମାଲ୍ ବିସ୍ତାର କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ର ମେଳ ନହେବା ଦ୍ caused ାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ତାପଜ ଚାପକୁ ଫଳପ୍ରଦ ଭାବରେ ହ୍ରାସ କରିପାରେ |
ବିଶ୍ଳେଷଣ ଦର୍ଶାଏ ଯେ SiCw ବିଷୟବସ୍ତୁର ବୃଦ୍ଧି ସହିତ, ଆବରଣରେ ଫାଟଗୁଡିକର ଆକାର ଏବଂ ସଂଖ୍ୟା କମିଯାଏ | 1100 ℃ ବାୟୁରେ 10h ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପରେ, ଆବରଣ ନମୁନାର ଓଜନ ହ୍ରାସ ହାର ମାତ୍ର 0.87% ~ 8.87% ଅଟେ, ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣର ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ତାପଜ ଶକ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ବହୁତ ଉନ୍ନତ ହୋଇଛି | ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ଦ୍ୱାରା ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରସ୍ତୁତି ପ୍ରକ୍ରିୟା କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ସମାପ୍ତ ହୁଏ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣର ପ୍ରସ୍ତୁତି ବହୁତ ସରଳୀକୃତ ହୁଏ ଏବଂ ସମଗ୍ର ଅଗ୍ରଭାଗର ବ୍ୟାପକ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଦୃ strengthened ହୁଏ |
ଅନୁସନ୍ଧାନକାରୀମାନେ ସିଜୋହର ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲ ସିଲିକନ୍ ପାଇଁ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଗାଇଡ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ର ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ମଜବୁତ ଏବଂ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଆବରଣର ଏକ ପଦ୍ଧତି ପ୍ରସ୍ତାବ ଦେଇଥିଲେ | ପ୍ରାପ୍ତ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଲୁରିକୁ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଗାଇଡ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ସମାନ ଭାବରେ ଆବରଣ କରାଯାଇଥିଲା ଯାହାକି ବ୍ରଶ୍ ଆବରଣ କିମ୍ବା ସ୍ପ୍ରେ ଆବରଣ ପ୍ରଣାଳୀ ଦ୍ 30 ାରା 30 ~ 50 μ ମିଟରର ଆବରଣର ଘନତା ସହିତ ଆବୃତ ହୋଇଥିଲା, ଏବଂ ପରେ ଇନ୍-ସିଟ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା, ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ତାପମାତ୍ରା ପାଇଁ ଏକ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଚୁଲିରେ ରଖାଯାଇଥିଲା | ଥିଲା 1850 ~ 2300 and, ଏବଂ ଉତ୍ତାପ ସଂରକ୍ଷଣ 2 ~ 6h ଥିଲା | SiC ବାହ୍ୟ ସ୍ତରକୁ 24 ରେ (60.96 ସେମି) ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଚୁଲିରେ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ ଏବଂ ବ୍ୟବହାର ତାପମାତ୍ରା 1500 and ଅଟେ, ଏବଂ ଏହା ଦେଖାଯାଏ ଯେ 1500 ଘଣ୍ଟା ପରେ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଗାଇଡ୍ ସିଲିଣ୍ଡର ପୃଷ୍ଠରେ କ crack ଣସି ଫାଟିବା ଏବଂ ପାଉଡର ନାହିଁ | ।
1.3 ଇନସୁଲେସନ୍ ସିଲିଣ୍ଡରରେ ପ୍ରୟୋଗ ଏବଂ ଅନୁସନ୍ଧାନ ଅଗ୍ରଗତି |
ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ଥର୍ମାଲ୍ ଫିଲ୍ଡ ସିଷ୍ଟମର ଏକ ପ୍ରମୁଖ ଉପାଦାନ ଭାବରେ, ଇନସୁଲେସନ୍ ସିଲିଣ୍ଡର ମୁଖ୍ୟତ heat ଉତ୍ତାପ ହ୍ରାସ କରିବା ଏବଂ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ପରିବେଶର ତାପମାତ୍ରା ଗ୍ରେଡିଏଣ୍ଟକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚୁଲାର ଭିତର କାନ୍ଥ ଇନସୁଲେସନ୍ ସ୍ତରର ଏକ ସହାୟକ ଅଂଶ ଭାବରେ, ସିଲିକନ୍ ବାଷ୍ପ କ୍ଷୟ ଉତ୍ପାଦର ସ୍ଲାଗ୍ ଡ୍ରପ୍ ଏବଂ ଫାଟିଯାଏ, ଯାହା ଶେଷରେ ଉତ୍ପାଦ ବିଫଳତାକୁ ନେଇଥାଏ |
ସି / ସି-ସିକ୍ କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଇନସୁଲେସନ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ର ସିଲିକନ୍ ବାଷ୍ପ କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ଆହୁରି ବ enhance ାଇବାକୁ, ଅନୁସନ୍ଧାନକାରୀମାନେ ପ୍ରସ୍ତୁତ C / C-sic କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଇନସୁଲେସନ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ଉତ୍ପାଦକୁ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଚୁଲିରେ ରଖିଲେ ଏବଂ ଘନ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣ ପ୍ରସ୍ତୁତ କଲେ | ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦ୍ୱାରା C / C-sic କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଇନସୁଲେସନ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକର ପୃଷ୍ଠ | ଫଳାଫଳଗୁଡିକ ଦର୍ଶାଏ ଯେ, ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟା ସିଲିକନ୍ ବାଷ୍ପ ଦ୍ୱାରା C / C-sic କମ୍ପୋଜିଟ୍ ର ମୂଳରେ କାର୍ବନ ଫାଇବରର କ୍ଷୟକୁ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଭାବରେ ପ୍ରତିରୋଧ କରିପାରିବ ଏବଂ କାର୍ବନ / ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ତୁଳନାରେ ସିଲିକନ୍ ବାଷ୍ପର କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ 5 ରୁ 10 ଗୁଣ ବୃଦ୍ଧି ପାଇବ, ଏବଂ ଇନସୁଲେସନ୍ ସିଲିଣ୍ଡରର ସେବା ଜୀବନ ଏବଂ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ପରିବେଶର ନିରାପତ୍ତା ବହୁତ ଉନ୍ନତ ହୋଇଛି |
2. ସିଦ୍ଧାନ୍ତ ଏବଂ ଆଶା
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣ |ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ଏହାର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ହେତୁ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ / ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ସାମଗ୍ରୀରେ ଅଧିକରୁ ଅଧିକ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ ବ୍ୟବହୃତ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ / ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ସାମଗ୍ରୀର ବୃଦ୍ଧି ସହିତ, ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ସାମଗ୍ରୀ ପୃଷ୍ଠରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣର ସମାନତାକୁ କିପରି ଉନ୍ନତ କରାଯିବ ଏବଂ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ / କାର୍ବନ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ସାମଗ୍ରୀର ସେବା ଜୀବନକୁ ଉନ୍ନତ କରାଯିବ ତାହା ଏକ ଜରୁରୀ ସମସ୍ୟା ହୋଇଗଲାଣି | ସମାଧାନ ହେବାକୁ
ଅନ୍ୟପକ୍ଷରେ, ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ଇଣ୍ଡଷ୍ଟ୍ରିର ବିକାଶ ସହିତ ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା କାର୍ବନ / କାର୍ବନ ଥର୍ମାଲ ଫିଲ୍ଡ ସାମଗ୍ରୀର ଚାହିଦା ମଧ୍ୟ ବ is ୁଛି ଏବଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସମୟରେ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ କାର୍ବନ ଫାଇବର ଉପରେ ସିସି ନାନୋଫାଇବର ମଧ୍ୟ ବ are ୁଛି | ପରୀକ୍ଷଣ ଦ୍ prepared ାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ C / C-ZRC ଏବଂ C / C-sic ZrC କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଗୁଡିକର ମାସ ଆବ୍ଲେସନ୍ ଏବଂ ର line ଖ୍ୟ ଅବ୍ଲିସନ୍ ହାର ଯଥାକ୍ରମେ -0.32 ମିଗ୍ରା / s ଏବଂ 2.57 μm / s ଅଟେ | C / C-sic -ZrC କମ୍ପୋଜିଟ୍ ର ମାସ ଏବଂ ଲାଇନ ଆବଲେସନ ହାର ଯଥାକ୍ରମେ -0.24mg / s ଏବଂ 1.66 μm / s ଅଟେ | SiC ନାନୋଫାଇବର ସହିତ C / C-ZRC କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଗୁଡିକ ଭଲ ଅବ୍ଲିଟିଭ୍ ଗୁଣଗୁଡିକ | ପରେ, SiC ନାନୋଫାଇବରର ବୃଦ୍ଧି ଉପରେ ବିଭିନ୍ନ କାର୍ବନ ଉତ୍ସଗୁଡ଼ିକର ପ୍ରଭାବ ଏବଂ C / C-ZRC କମ୍ପୋଜିଟ୍ସର ଅବକ୍ଷୟ ଗୁଣକୁ ଦୃ rein କରୁଥିବା SiC ନାନୋଫାଇବରର ଯନ୍ତ୍ରକ .ଶଳ ଅଧ୍ୟୟନ କରାଯିବ |
ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏବଂ ଇନ୍-ସିଟ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାରେ ଏକ ମିଶ୍ରିତ ଆବରଣ କାର୍ବନ / କାର୍ବନ କମ୍ପୋଜିଟ୍ କ୍ରୁସିବଲ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରାଯାଇଥିଲା | ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣ (100 ~ 300μm), ସିଲିକନ୍ ଆବରଣ (10 ~ 20μm) ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଆବରଣ (50 ~ 100μm) ଗଠିତ ହୋଇଥିଲା, ଯାହା ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ / ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳର ଭିତର ପୃଷ୍ଠରେ ସିଲିକନ୍ ବାଷ୍ପର କ୍ଷୟକୁ ପ୍ରଭାବିତ କରିପାରେ | କ୍ରୁଶବିଦ୍ଧ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଆବୃତ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ / କାର୍ବନ କମ୍ପୋଜିଟ୍ କ୍ରୁସିବଲ୍ କ୍ଷୟ ହେଉଛି ଚୁଲି ପ୍ରତି 0.04 ମିଲିମିଟର, ଏବଂ ସେବା ଜୀବନ 180 ଚୁଲା ସମୟ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପହଞ୍ଚିପାରେ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଫେବୃଆରୀ -22-2024 |