ହଟ ବିକ୍ରୟ ଚାଇନା ଦର୍ପଣ ପୋଲାଣ୍ଡ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ସେରାମିକ୍ ରୋଡ୍ Si3n4 ସେରାମିକ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ |

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ରାସାୟନିକ ରଚନା: ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |

କଠିନତା: ≥110 HS

ଘନତା: 3.10-3.15 g / cm3 |

ନମ୍ର ଶକ୍ତି:> 350MPa |

ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି:> 120

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ | PDF ଭାବରେ ଡାଉନଲୋଡ୍ କରନ୍ତୁ |

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍ସ |

ଆମର କମ୍ପାନୀ ବିଶ୍ faith ସ୍ତ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବା, ଆମର ସମସ୍ତ ଗ୍ରାହକଙ୍କୁ ସେବା କରିବା ଏବଂ ହଟ ବିକ୍ରୟ ପାଇଁ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ନୂତନ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଏବଂ ନୂତନ ମେସିନରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବା ଚାଇନା ଦର୍ପଣ ପୋଲାଣ୍ଡ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ସେରାମିକ୍ ରୋଡ୍ Si3n4 ସେରାମିକ୍ ଟ୍ୟୁବ୍, ଆପଣ ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଏକ ଉଚ୍ଚମାନର ଉତ୍ପାଦ ଖୋଜୁଛନ୍ତି କି? ତୁମର ଉତ୍ତମ ନିଗମ ପ୍ରତିଛବି ସହିତ ତୁମର ଉତ୍ପାଦ କିମ୍ବା ସେବା ପରିସରକୁ ବିସ୍ତାର କରିବା ସହିତ?ଆମର ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ ସମାଧାନଗୁଡିକ ଚେଷ୍ଟା କରନ୍ତୁ |ବୁଦ୍ଧିମାନ ହେବା ପାଇଁ ତୁମର ପସନ୍ଦ ପ୍ରମାଣ କରିବ!
ଆମର କମ୍ପାନୀ ବିଶ୍ faith ସ୍ତ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାକୁ, ଆମର ସମସ୍ତ ଗ୍ରାହକଙ୍କୁ ସେବା କରିବାକୁ, ଏବଂ ନୂତନ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଏବଂ ନୂତନ ଯନ୍ତ୍ରରେ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାକୁ ଲକ୍ଷ୍ୟ ରଖିଛି |ଚାଇନା ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ |, Si3n4 ରୋଡ୍ |, ଆମେ ନିରନ୍ତର ସମାଧାନର ବିବର୍ତ୍ତନ ଉପରେ ଜିଦ୍ ଧରିଛୁ, ବ techn ଷୟିକ ନବୀକରଣରେ ଭଲ ପାଣ୍ଠି ଏବଂ ମାନବ ସମ୍ବଳ ଖର୍ଚ୍ଚ କରିଛୁ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନର ଉନ୍ନତିକୁ ସୁଗମ କରି ସମସ୍ତ ଦେଶ ଏବଂ ଅଞ୍ଚଳରୁ ଆଶା ପୂରଣ କରୁଛୁ |
ସିଣ୍ଟର୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସେରାମିକ୍ ବୁସିଙ୍ଗ୍ |

ଚାପହୀନ ସିଣ୍ଟ୍ରନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SSIC)ଅତ୍ୟଧିକ ସୂକ୍ଷ୍ମ SiC ପାଉଡର ବ୍ୟବହାର କରି ଉତ୍ପାଦିତ ହୁଏ |ଏହା ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସିରାମିକ୍ସ ପାଇଁ ସାଧାରଣ ଗଠନ ପ୍ରଣାଳୀ ବ୍ୟବହାର କରି ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ କରାଯାଏ ଏବଂ ଏକ ନିଷ୍କ୍ରିୟ ଗ୍ୟାସ୍ ବାତାବରଣରେ 2,000 ରୁ 2,200 ° C ରେ ସିଣ୍ଟର୍ କରାଯାଏ | mm ଉପଲବ୍ଧ |

SSIC ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଦ୍ୱାରା ପୃଥକ ହୋଇଥାଏ ଯାହାକି ପ୍ରାୟ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା (ପ୍ରାୟ 1,600 ° C) ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ସ୍ଥିର ରହିଥାଏ, ଦୀର୍ଘ ସମୟ ଧରି ସେହି ଶକ୍ତି ବଜାୟ ରଖେ!

ଉତ୍ପାଦର ସୁବିଧା:

ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ |

ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ |

ଭଲ ଆବ୍ରେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ |

ଉତ୍ତାପ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟିର ଉଚ୍ଚ କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ |
ଆତ୍ମ-ତେଲ, ନିମ୍ନ ଘନତା |
ଉଚ୍ଚ କଠିନତା |
କଷ୍ଟୋମାଇଜ୍ ଡିଜାଇନ୍ |

ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ:

ଆଇଟମ୍	ୟୁନିଟ୍	ତଥ୍ୟ
କଠିନତା \|	HS	≥110
ପୋରୋସିଟି ହାର	%	<0.3
ଘନତା	g / cm3	3.10-3.15
ସଙ୍କୋଚନକାରୀ \|	MPa	> 2200
ଭଗ୍ନ ଶକ୍ତି	MPa	> 350
ସମ୍ପ୍ରସାରଣର ଗୁଣବତ୍ତା \|	10 / ° C	4.0
ସିକ୍ ର ବିଷୟବସ୍ତୁ \|	%	≥99
ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି \|	W / mk	> 120
ଇଲେଷ୍ଟିକ୍ ମଡ୍ୟୁଲସ୍ \|	GPa	≥400
ତାପମାତ୍ରା	° C	1380