କଷ୍ଟମ୍ ହାଇ ଶୁଦ୍ଧତା SiC ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହିଟର ଉତ୍ତାପ ଉପାଦାନ |

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହିଟର ହେଉଛି ଏକ ପ୍ରକାର ବ electric ଦୁତିକ ଗରମ ସାମଗ୍ରୀ ଯାହା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସାମଗ୍ରୀକୁ ବ r ଦୁତିକ ଭାବରେ ଗରମ କରି ଉତ୍ତାପ ସୃଷ୍ଟି କରେ, ସାଧାରଣତ graph ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଏବଂ ସେରାମିକ୍ ଦ୍ୱାରା ନିର୍ମିତ | ଏହାର ତରଙ୍ଗ ଗଠନ ଉତ୍ତାପକୁ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଭାବରେ ବିସ୍ତାର କରିପାରେ ଏବଂ ଶିଳ୍ପ, ନିର୍ମାଣ, କୃଷି ଏବଂ ଦ daily ନନ୍ଦିନ ଜୀବନରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏହାର ଭଲ ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ସ୍ଥିରତା ହେତୁ ଶିଳ୍ପରେ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଗରମ ଉପାଦାନ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ | PDF ଭାବରେ ଡାଉନଲୋଡ୍ କରନ୍ତୁ |

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍ସ |

ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହିଟରର ମୁଖ୍ୟ ବ features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ:

ଗରମ ଗଠନର ସମାନତା |

2। ଭଲ ବ electrical ଦୁତିକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ବ electrical ଦୁତିକ ଭାର |

3। କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ

4। ନିଷ୍କ୍ରିୟତା |

ଉଚ୍ଚ ରାସାୟନିକ ଶୁଦ୍ଧତା |

6। ଉଚ୍ଚ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଶକ୍ତି |

ଏହାର ଲାଭ ହେଉଛି ଶକ୍ତି ଦକ୍ଷ, ଉଚ୍ଚ ମୂଲ୍ୟ ଏବଂ କମ୍ ରକ୍ଷଣାବେକ୍ଷଣ | ଆମେ ଆଣ୍ଟି-ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ଏବଂ ଦୀର୍ଘ ଜୀବନ ସ୍ପାନ୍ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ କ୍ରୁସିବଲ୍, ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ମଡ୍ଡ ଏବଂ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହିଟରର ସମସ୍ତ ଅଂଶ ଉତ୍ପାଦନ କରିପାରିବା |

ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହିଟରର ମୁଖ୍ୟ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ |

ଯାନ୍ତ୍ରିକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ \|	ସେମିସେରା -3
ବଲ୍କ ଘନତା (g / cm3)	≥1.85
ପାଉଁଶ ବିଷୟବସ୍ତୁ (ପିପିଏମ୍)	≤500
ଶୋର କଠିନତା \|	≥45
ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପ୍ରତିରୋଧ (μ.Ω.m)	≤12
ଫ୍ଲେକ୍ସଚରାଲ୍ ଶକ୍ତି (Mpa)	≥40
ସଙ୍କୋଚନ ଶକ୍ତି (Mpa)	≥70
ସର୍ବାଧିକ ଶସ୍ୟ ଆକାର (μm)	≤43
ଥର୍ମାଲ୍ ବିସ୍ତାରର ଗୁଣବତ୍ତା Mm / ° C	≤4.4 * 10-6

VET ଶକ୍ତି ହେଉଛି | theCVD ଆବରଣ ସହିତ କଷ୍ଟୋମାଇଜଡ୍ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଉତ୍ପାଦର ପ୍ରକୃତ ଉତ୍ପାଦକ,ଯୋଗାଣ କରିପାରିବ |ବିଭିନ୍ନସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଏବଂ ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ଇଣ୍ଡଷ୍ଟ୍ରି ପାଇଁ କଷ୍ଟୋମାଇଜ୍ ଅଂଶ | Oତୁମର ବ technical ଷୟିକ ଦଳ ଶୀର୍ଷ ଘରୋଇ ଅନୁସନ୍ଧାନ ଅନୁଷ୍ଠାନରୁ ଆସିଥାଏ, ଅଧିକ ବୃତ୍ତିଗତ ସାମଗ୍ରୀ ସମାଧାନ ପ୍ରଦାନ କରିପାରିବ |ତୁମ ପାଇଁ

ଅଧିକ ଉନ୍ନତ ସାମଗ୍ରୀ ଯୋଗାଇବା ପାଇଁ ଆମେ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ଉନ୍ନତ ପ୍ରକ୍ରିୟାଗୁଡ଼ିକର ବିକାଶ କରୁ,ଏବଂଏକ ସ୍ lusive ତନ୍ତ୍ର ପେଟେଣ୍ଟେଡ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି କାମ କରିଛି, ଯାହା ଆବରଣ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମଧ୍ୟରେ ବନ୍ଧନକୁ ଅଧିକ କଠିନ ଏବଂ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ପାଇଁ କମ୍ କରିପାରେ |

Fଆମର ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକର ଭୋଜନ:

1700 ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ |℃.
2। ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା ଏବଂତାପଜ ସମାନତା |
3। ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ: ଏସିଡ୍, କ୍ଷାର, ଲୁଣ ଏବଂ ଜ organic ବ ପୁନ ag |
4। ଉଚ୍ଚ କଠିନତା, କମ୍ପାକ୍ଟ ଭୂପୃଷ୍ଠ, ସୂକ୍ଷ୍ମ କଣିକା |
5। ଦୀର୍ଘ ସେବା ଜୀବନ ଏବଂ ଅଧିକ ସ୍ଥାୟୀ |

CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC ର ମ Basic ଳିକ ଭ physical ତିକ ଗୁଣ \|ଆବରଣ
性质 / ସମ୍ପତ୍ତି	典型数值 / ସାଧାରଣ ମୂଲ୍ୟ
晶体结构 / କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ଗଠନ	FCC β ପର୍ଯ୍ୟାୟ \|多晶，主要为（111 ）取向
密度 / ଘନତା	3.21 g / cm³
硬度 / କଠିନତା \|	2500 维氏硬度（ 500g ଭାର）
晶粒大小 / ଶସ୍ୟ SiZe \|	2 ~ 10μm
纯度 / ରାସାୟନିକ ଶୁଦ୍ଧତା \|	99.99995%
热容 / ଉତ୍ତାପ କ୍ଷମତା \|	640 J · kg^-1· K।^-1
升华温度 / ସବ୍ଲିମେସନ୍ ତାପମାତ୍ରା \|	2700 ℃
抗弯强度 / ଫ୍ଲେକ୍ସଚରାଲ୍ ଶକ୍ତି \|	415 MPa RT 4-ପଏଣ୍ଟ \|
杨氏模量 / ୟଙ୍ଗ୍ ମଡ୍ୟୁଲସ୍ \|	430 Gpa 4pt ବଙ୍କା, 1300 ℃ \|
导热系数 / ଥର୍ମାlଚାଳନା	300W · ମି^-1· K।^-1
热膨胀系数 / ଥର୍ମାଲ୍ ବିସ୍ତାର (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1