Mu njira yakukula kwa silicon carbide single crystal, kayendedwe ka nthunzi wakuthupi ndiye njira yayikulu yopangira mafakitale. Kwa njira ya kukula kwa PVT,silicon carbide ufaali ndi chikoka chachikulu pa kukula. Ma parameter onse asilicon carbide ufazimakhudza kwambiri khalidwe la kukula kwa kristalo limodzi ndi magetsi. M'mafakitale amakono, omwe amagwiritsidwa ntchito kwambirisilicon carbide ufakaphatikizidwe ndondomeko ndi kudzikonda kufalitsa mkulu-kutentha kaphatikizidwe njira.
Njira yodzipangira yokha ya kutentha kwapamwamba imagwiritsa ntchito kutentha kwakukulu kuti apereke kutentha koyambirira kwa reactants kuti ayambe kugwiritsira ntchito mankhwala, ndiyeno amagwiritsa ntchito kutentha kwake kwa mankhwala kuti alole zinthu zomwe sizinapangidwe kuti zipitirize kumaliza mankhwala. Komabe, popeza ma chemical reaction a Si ndi C amatulutsa kutentha pang'ono, zotulutsa zina ziyenera kuwonjezeredwa kuti zisungidwe. Chifukwa chake, akatswiri ambiri apereka njira yopititsira patsogolo yodzifalitsa yokha pamaziko awa, kuyambitsa choyambitsa. Njira yodzifalitsa ndiyosavuta kugwiritsa ntchito, ndipo magawo osiyanasiyana a kaphatikizidwe ndi osavuta kuwongolera mokhazikika. Kuphatikizika kwakukulu kumakwaniritsa zosowa zamafakitale.
Kumayambiriro kwa 1999, Bridgeport idagwiritsa ntchito njira yodzipangira yokha kutentha kwambiri kuti ipangike.SiC poda, koma inagwiritsa ntchito ethoxysilane ndi phenol resin monga zopangira, zomwe zinali zodula. Gao Pan ndi ena adagwiritsa ntchito ufa wapamwamba wa Si ndi ufa wa C ngati zida zopangiraSiC podachifukwa cha kutentha kwakukulu mumlengalenga wa argon. Ning Lina anakonza lalikulu tinthuSiC podandi synthesis yachiwiri.
Ng'anjo yotenthetsera yapakatikati yopangidwa ndi Second Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation imasakaniza mofanana ufa wa silicon ndi ufa wa carbon mu chiŵerengero cha stoichiometric ndi kuziyika mu crucible ya graphite. Thegraphite crucibleimayikidwa mu ng'anjo yotenthetsera yapakatikati kuti itenthetse, ndipo kusintha kwa kutentha kumagwiritsidwa ntchito popanga ndikusintha gawo lotsika komanso lotentha kwambiri la silicon carbide motsatana. Popeza kutentha kwa β-SiC kaphatikizidwe kaphatikizidwe kagawo kakang'ono ka kutentha kumakhala kochepa kuposa kutentha kwa kutentha kwa Si, kaphatikizidwe ka β-SiC pansi pa vacuum yapamwamba imatha kuonetsetsa kuti ikudzifalitsa. Njira yobweretsera mpweya wa argon, hydrogen ndi HCl mu kaphatikizidwe ka α-SiC imalepheretsa kuwonongeka kwaSiC podamu siteji ya kutentha kwambiri, ndipo akhoza kuchepetsa bwino nayitrogeni mu α-SiC ufa.
Shandong Tianyue adapanga ng'anjo yopangira ng'anjo, pogwiritsa ntchito mpweya wa silane ngati silicon yaiwisi ndi ufa wa kaboni ngati zida za carbon. Kuchuluka kwa gasi wakuthupi komwe kunayambika kudasinthidwa ndi njira yopangira masitepe awiri, ndipo kukula komaliza kwa tinthu ta silicon carbide kunali pakati pa 50 ndi 5 000 um.
1 Zinthu zowongolera za kaphatikizidwe ka ufa
1.1 Zotsatira za kukula kwa tinthu tating'ono pakukula kwa kristalo
Kukula kwa tinthu ta silicon carbide ufa kumakhudza kwambiri kukula kwa kristalo komwe kumatsatira. Kukula kwa SiC single crystal ndi njira ya PVT kumatheka makamaka posintha chiŵerengero cha molar cha silicon ndi carbon mu gawo la gawo la mpweya, ndipo chiŵerengero cha molar cha silicon ndi carbon mu gawo la gasi chikugwirizana ndi kukula kwa tinthu ta silicon carbide powder. . Kuthamanga kwathunthu ndi chiŵerengero cha silicon-carbon ya dongosolo la kukula kumawonjezeka ndi kuchepa kwa tinthu tating'ono. Pamene tinthu kukula amachepetsa kuchokera 2-3 mm kwa 0.06 mm, ndi pakachitsulo-carbon chiŵerengero amawonjezeka kuchokera 1.3 kuti 4.0. Pamene tinthu tating'onoting'ono pamlingo wina, mphamvu ya Si imawonjezeka, ndipo filimu ya Si imapangidwa pamwamba pa kristalo yomwe ikukula, imapangitsa kukula kwa gasi-lamadzi-olimba, zomwe zimakhudza polymorphism, zolakwika za mfundo ndi zolakwika za mzere. mu kristalo. Choncho, kukula kwa tinthu tating'onoting'ono ta silicon carbide ufa kuyenera kuyendetsedwa bwino.
Kuonjezera apo, pamene kukula kwa SiC powder particles kuli kochepa, ufawo umatha mofulumira, zomwe zimapangitsa kukula kwakukulu kwa SiC single crystals. Kumbali imodzi, m'malo otentha kwambiri a SiC single crystal kukula, njira ziwiri za kaphatikizidwe ndi kuwonongeka zimachitika nthawi imodzi. Silicon carbide powder idzawola ndi kupanga carbon mu gawo la gasi ndi gawo lolimba monga Si, Si2C, SiC2, zomwe zimapangitsa kuti carbonization iwonongeke kwambiri ya polycrystalline powder ndi mapangidwe a carbon inclusions mu kristalo; Komano, pamene kuchuluka kwa kuwonongeka kwa ufa kumakhala kofulumira, mawonekedwe a kristalo a SiC single crystal amatha kusintha, zomwe zimapangitsa kuti zikhale zovuta kulamulira khalidwe la SiC single crystal.
1.2 Zotsatira za mawonekedwe a kristalo wa ufa pakukula kwa kristalo
Kukula kwa SiC single crystal ndi PVT njira ndi sublimation-recrystallization process pa kutentha kwakukulu. Mtundu wa kristalo wa SiC zopangira zili ndi mphamvu yofunikira pakukula kwa kristalo. Pakaphatikizidwe ka ufa, gawo lotsika la kutentha (β-SiC) lomwe lili ndi mawonekedwe a cubic a cell cell ndi gawo la kutentha kwambiri (α-SiC) lomwe lili ndi hexagonal la cell cell lidzapangidwa makamaka. . Pali mitundu yambiri ya silicon carbide crystal ndi mtundu wocheperako wowongolera kutentha. Mwachitsanzo, 3C-SiC idzasintha kukhala hexagonal silicon carbide polymorph, mwachitsanzo 4H / 6H-SiC, pa kutentha pamwamba pa 1900 ° C.
Panthawi imodzi ya kukula kwa kristalo, pamene ufa wa β-SiC umagwiritsidwa ntchito kukula makristasi, chiwerengero cha silicon-carbon molar ndi chachikulu kuposa 5.5, pamene α-SiC ufa umagwiritsidwa ntchito kukula makristasi, silicon-carbon molar ratio ndi 1.2. Pamene kutentha kumakwera, kusintha kwa gawo kumachitika mu crucible. Panthawiyi, chiŵerengero cha molar mu gawo la mpweya chimakhala chachikulu, chomwe sichithandiza kukula kwa kristalo. Kuonjezera apo, zonyansa zina za gasi, kuphatikizapo carbon, silicon, ndi silicon dioxide, zimapangidwira mosavuta panthawi ya kusintha kwa gawo. Kukhalapo kwa zonyansazi kumapangitsa kuti kristaloyo ibereke ma microtubes ndi voids. Choncho, mawonekedwe a kristalo wa ufa ayenera kuyendetsedwa bwino.
1.3 Zotsatira za zodetsa za ufa pakukula kwa kristalo
Zonyansa zomwe zili mu ufa wa SiC zimakhudza phokoso lodzidzimutsa panthawi ya kukula kwa kristalo. Zinthu zonyansa zikakwera, m'pamenenso kristaloyo imakhala yochepa kwambiri. Kwa SiC, zonyansa zazikuluzikulu zachitsulo zimaphatikizapo B, Al, V, ndi Ni, zomwe zitha kuyambitsidwa ndi zida zopangira pokonza ufa wa silicon ndi ufa wa kaboni. Pakati pawo, B ndi Al ndizomwe zimalandirira mphamvu zosazama kwambiri mu SiC, zomwe zimapangitsa kuchepa kwa mphamvu ya SiC. Zonyansa zina zachitsulo zidzayambitsa milingo yambiri yamagetsi, zomwe zimapangitsa kuti magetsi azikhala osakhazikika a SiC single makhiristo pa kutentha kwambiri, ndipo amakhudza kwambiri mphamvu zamagetsi zamtundu wapamwamba wa semi-insulating single crystal substrates, makamaka resistivity. Choncho, ufa wapamwamba wa silicon carbide ufa uyenera kupangidwa momwe zingathere.
1.4 Zotsatira za nayitrogeni mu ufa pakukula kwa kristalo
Mulingo wa nayitrogeni umatsimikizira kusagwirizana kwa gawo limodzi la kristalo. Opanga akuluakulu amayenera kusintha ndende ya nayitrogeni ya doping muzinthu zopangidwa molingana ndi kukula kwa kristalo wokhwima panthawi ya ufa. High-purity semi-insulating silicon carbide single crystal substrates ndi zida zoyembekeza kwambiri zamagulu ankhondo apakompyuta. Kukulitsa chiyero chapamwamba cha semi-insulating single crystal substrates chokhala ndi resistivity yayikulu komanso zinthu zabwino kwambiri zamagetsi, zomwe zili mu nayitrogeni yayikulu mu gawo lapansi ziyenera kuyendetsedwa pang'onopang'ono. Ma conductive single crystal substrates amafuna kuti nayitrogeni aziwongoleredwa pamlingo wokwera kwambiri.
2 Ukadaulo wowongolera wofunikira pakuphatikiza ufa
Chifukwa cha madera osiyanasiyana ogwiritsira ntchito ma silicon carbide substrates, ukadaulo wa kaphatikizidwe wa ufa wakukula ulinso ndi njira zosiyanasiyana. Pakuti N-mtundu conductive single kristalo ufa ufa, mkulu zonyansa chiyero ndi limodzi gawo chofunika; pomwe pakupanga ma semi-insulating of single crystal kukula ufa, kuwongolera mwamphamvu kwa nayitrogeni kumafunika.
2.1 Kuwongolera kukula kwa tinthu taufa
2.1.1 Kaphatikizidwe kutentha
Kusunga zinthu zina za ndondomeko zosasinthika, ma ufa a SiC opangidwa pa kutentha kwa 1900 ℃, 2000 ℃, 2100 ℃, ndi 2200 ℃ adayesedwa ndikuwunikidwa. Monga momwe chithunzi 1, tingaone kuti tinthu kukula ndi 250 ~ 600 μm pa 1900 ℃, ndi tinthu kukula kumawonjezera 600 ~ 850 μm pa 2000 ℃, ndi tinthu kukula kusintha kwambiri. Kutentha kumapitirira kukwera mpaka 2100 ℃, kukula kwa tinthu ta SiC ufa ndi 850 ~ 2360 μm, ndipo kuwonjezeka kumakhala kofatsa. The tinthu kukula kwa SiC pa 2200 ℃ ndi khola pa za 2360 μm. Kuwonjezeka kwa kutentha kwa kaphatikizidwe kuchokera ku 1900 ℃ kumakhala ndi zotsatira zabwino pa kukula kwa tinthu ta SiC. Pamene kutentha kaphatikizidwe kumapitiriza kuwonjezeka kuchokera ku 2100 ℃, kukula kwa tinthu sikumasintha kwambiri. Choncho, pamene kutentha kaphatikizidwe wakhazikitsidwa 2100 ℃, ndi yaikulu tinthu kukula akhoza apanga pa mowa wotsika mphamvu.
2.1.2 Nthawi ya kaphatikizidwe
Mikhalidwe ina ya ndondomekoyi imakhalabe yosasinthika, ndipo nthawi ya kaphatikizidwe imayikidwa ku 4 h, 8 h, ndi 12 h motsatira. Kusanthula kwa zitsanzo za ufa wa SiC kukuwonetsedwa mu Chithunzi 2. Zimapezeka kuti nthawi ya kaphatikizidwe imakhudza kwambiri kukula kwa tinthu ta SiC. Pamene nthawi kaphatikizidwe ndi 4 h, tinthu kukula makamaka anagawira pa 200 μm; pamene kaphatikizidwe nthawi 8 h, kupanga tinthu kukula ukuwonjezeka kwambiri, makamaka anagawira pa za 1 000 μm; monga kaphatikizidwe nthawi akupitiriza kuwonjezeka, tinthu kukula ukuwonjezeka kwambiri, makamaka anagawira pafupifupi 2 000 μm.
2.1.3 Mphamvu ya kukula kwa tinthu tambiri
Pamene tcheni chopangira zinthu zapakhomo chikuwonjezeka pang'onopang'ono, chiyero cha zida za silicon chimapangidwanso bwino. Pakadali pano, zida za silicon zomwe zimagwiritsidwa ntchito pophatikizira zimagawidwa kukhala silicon ya granular ndi silicon yaufa, monga momwe tawonetsera pa Chithunzi 3.
Zida zosiyanasiyana za silicon zidagwiritsidwa ntchito poyesa kuyesa kwa silicon carbide synthesis. Kuyerekeza kwa zopangira zopangira zikuwonetsedwa mu Chithunzi 4. Kusanthula kukuwonetsa kuti mukamagwiritsa ntchito block silicon yaiwisi yaiwisi, kuchuluka kwa zinthu za Si kumakhalapo. Pambuyo pakuphwanyidwa kwa silicon block kachiwiri, gawo la Si muzopangazo limachepetsedwa kwambiri, koma likadalipo. Pomaliza, ufa wa silicon umagwiritsidwa ntchito popanga, ndipo SiC yokha ndiyomwe ilipo muzogulitsa. Izi ndichifukwa choti popanga, silicon yayikulu ya granular iyenera kuyambika koyamba, ndipo silicon carbide imapangidwa pamwamba, zomwe zimalepheretsa Si ufa wamkati kuti usagwirizanenso ndi ufa wa C. Choncho, ngati chipika pakachitsulo ntchito ngati zopangira, ayenera wophwanyidwa ndiyeno pansi yachiwiri kaphatikizidwe ndondomeko kupeza pakachitsulo carbide ufa kwa crystal kukula.
2.2 Kuwongolera mawonekedwe a ufa wa crystal
2.2.1 Chikoka cha kutentha kwa kaphatikizidwe
Kusunga zinthu zina ndondomeko osasintha, kaphatikizidwe kutentha ndi 1500 ℃, 1700 ℃, 1900 ℃, ndi 2100 ℃, ndi kwaiye SiC ufa ndi sampuli ndi kusanthula. Monga momwe chithunzi 5 chikusonyezera, β-SiC ndi yachikasu yapadziko lapansi, ndipo α-SiC ndi yopepuka mu mtundu. Powona mtundu ndi morphology ya ufa wopangidwa, zitha kudziwika kuti chopangidwacho ndi β-SiC pa kutentha kwa 1500 ℃ ndi 1700 ℃. Pa 1900 ℃, mtunduwo umakhala wopepuka, ndipo ma hexaloal tinthu tating'onoting'ono amawoneka, kuwonetsa kuti kutentha kukafika mpaka 1900 ℃, kusintha kwa gawo kumachitika, ndipo gawo la β-sic limasinthidwa kukhala α-sic. pamene kutentha kukupitiriza kukwera ku 2100 ℃, zimapezeka kuti particles apanga ndi mandala, ndipo α-SiC wakhala kwenikweni anatembenuka.
2.2.2 Zotsatira za nthawi ya kaphatikizidwe
Zinthu zina zamachitidwe zimakhalabe zosasinthika, ndipo nthawi ya kaphatikizidwe imayikidwa ku 4h, 8h, ndi 12h, motsatana. SiC ufa wopangidwa ndi sampuli ndikuwunikidwa ndi diffractometer (XRD). Zotsatira zikuwonetsedwa mu Chithunzi 6. Nthawi ya kaphatikizidwe imakhala ndi mphamvu inayake pa mankhwala opangidwa ndi SiC powder. Pamene nthawi kaphatikizidwe ndi 4 h ndi 8 h, kupanga mankhwala makamaka 6H-SiC; pamene nthawi kaphatikizidwe ndi 12 h, 15R-SiC imapezeka mu mankhwala.
2.2.3 Chikoka cha raw material ratio
Njira zina zimakhalabe zosasinthika, kuchuluka kwa zinthu za silicon-carbon kumawunikidwa, ndipo ma ratios ndi 1.00, 1.05, 1.10 ndi 1.15 motsatana pazoyeserera kaphatikizidwe. Zotsatira zikuwonetsedwa mu Chithunzi 7.
Kuchokera pamawonekedwe a XRD, zitha kuwoneka kuti chiŵerengero cha silicon-carbon chikuposa 1.05, Si owonjezera amawoneka muzogulitsa, ndipo pamene chiŵerengero cha silicon-carbon chili chochepera 1.05, C owonjezera amawonekera. Pamene chiŵerengero cha silicon-carbon ndi 1.05, mpweya waulere muzopangazo umachotsedwa, ndipo palibe silicon yaulere yomwe imawonekera. Choncho, kuchuluka kwa chiŵerengero cha silicon-carbon chiŵerengero chiyenera kukhala 1.05 kuti apange SiC yoyera kwambiri.
2.3 Kuwongolera kuchuluka kwa nayitrogeni mu ufa
2.3.1 Zopangira zopangira
Zida zomwe zimagwiritsidwa ntchito poyesera izi ndi ufa wapamwamba wa carbon powder ndi silicon ufa wapamwamba kwambiri wokhala ndi mainchesi apakati a 20 μm. Chifukwa cha tinthu tating'onoting'ono tating'ono komanso malo akuluakulu enieni, amatha kuyamwa N2 mumlengalenga. Mukapanga ufawo, umabweretsedwa mumtundu wa kristalo wa ufa. Pakukula kwa makhiristo amtundu wa N, doping yosagwirizana ya N2 mu ufa imatsogolera kukana kosagwirizana kwa kristalo komanso kusintha kwa mawonekedwe a kristalo. Mafuta a nayitrogeni a ufa wopangidwa ndi haidrojeni atayambitsidwa ndi otsika kwambiri. Izi zili choncho chifukwa kuchuluka kwa mamolekyu a haidrojeni ndi ochepa. Pamene N2 adsorbed mu mpweya ufa ndi pakachitsulo ufa ndi kutenthedwa ndi kuwola kuchokera pamwamba, H2 mokwanira diffuses mu kusiyana pakati ufa ndi voliyumu yake yaing'ono, m'malo udindo wa N2, ndi N2 kuthawa crucible pa ndondomeko vakuyumu, kukwaniritsa cholinga chochotsa nayitrogeni.
2.3.2 Ndondomeko ya kaphatikizidwe
Pa kaphatikizidwe wa pakachitsulo carbide ufa, popeza utali wozungulira wa maatomu mpweya ndi maatomu nayitrogeni ndi ofanana, nayitrogeni m'malo mpweya ntchito pakachitsulo carbide, potero kuonjezera nayitrogeni okhutira. Njira yoyeserayi imatengera njira yobweretsera H2, ndipo H2 imakhudzidwa ndi zinthu za kaboni ndi silicon mu kaphatikizidwe kamene kamapanga C2H2, C2H, ndi SiH mpweya. Zomwe zili mu carbon element zimachulukirachulukira kudzera pakupatsirana kwa gasi, potero zimachepetsa ntchito za kaboni. Cholinga chochotsa nayitrogeni chikukwaniritsidwa.
2.3.3 Njira yoyendetsera zinthu za nayitrogeni
Graphite crucibles ndi porosity lalikulu angagwiritsidwe ntchito ngati magwero owonjezera C kuyamwa Si nthunzi mu zigawo mpweya gawo, kuchepetsa Si mu zigawo mpweya gawo, motero kuonjezera C / Si. Nthawi yomweyo, ma graphite crucibles amathanso kuchitapo kanthu ndi Si atmosphere kuti apange Si2C, SiC2 ndi SiC, yomwe ili yofanana ndi Si atmosphere kubweretsa C gwero kuchokera ku graphite crucible kupita kumlengalenga, kukulitsa chiŵerengero cha C, komanso kuonjezera chiŵerengero cha carbon-silicon. . Choncho, chiŵerengero cha carbon-silicon chikhoza kuwonjezeka pogwiritsa ntchito graphite crucibles ndi porosity yaikulu, kuchepetsa mwayi wa carbon, ndi kukwaniritsa cholinga chochotsa nayitrogeni.
3 Kusanthula ndi kapangidwe ka njira imodzi yopangira ufa wa crystal
3.1 Mfundo ndi kapangidwe ka kaphatikizidwe kachitidwe
Kudzera tatchulawa mwatsatanetsatane kuphunzira pa ulamuliro wa tinthu kukula, galasi mawonekedwe ndi asafe zili mu kaphatikizidwe ufa, ndi kaphatikizidwe ndondomeko akufuna. Ufa wapamwamba kwambiri wa C ndi Si ufa amasankhidwa, ndipo amasakanizidwa mofanana ndikulowetsedwa mu graphite crucible malinga ndi silicon-carbon ratio ya 1.05. Njirayi imagawidwa m'magawo anayi:
1) Njira yochepetsera kutentha pang'ono, kupukuta ku 5 × 10-4 Pa, kenako ndikuyambitsa haidrojeni, kupangitsa kuti chipindacho chikhale cha 80 kPa, kusunga kwa mphindi 15, ndikubwereza kanayi. Izi zimatha kuchotsa zinthu za nayitrogeni pamwamba pa ufa wa kaboni ndi silicon ufa.
2) Kutentha kwambiri kwa denitrification process, vacuuming to 5 × 10-4 Pa, kenako kutenthetsa mpaka 950 ℃, kenako ndikuyambitsa haidrojeni, kupangitsa kuti chipindacho chikhale cha 80 kPa, kusunga kwa mphindi 15, ndikubwereza kanayi. Izi zimatha kuchotsa zinthu za nayitrogeni pamtunda wa ufa wa kaboni ndi silicon ufa, ndikuyendetsa nayitrogeni m'munda wotentha.
3) Kaphatikizidwe otsika kutentha gawo ndondomeko, tulukani ku 5 × 10-4 Pa, ndiye kutentha kwa 1350 ℃, kusunga kwa maola 12, ndiye kuyambitsa wa hydrogen kuti chipinda kuthamanga za 80 kPa, kusunga kwa 1 ora. Njirayi imatha kuchotsa nayitrogeni yomwe imalowa mkati mwa kaphatikizidwe.
4) Kuphatikizika kwa gawo la kutentha kwapamwamba, kudzaza ndi kuchuluka kwa mpweya wotuluka wa hydrogen ndi argon osakanikirana, onjezerani kutentha kwa 80 kPa, onjezerani kutentha kwa 2100 ℃, sungani kwa maola 10. Izi zimamaliza kusinthika kwa silicon carbide ufa kuchokera ku β-SiC kupita ku α-SiC ndikumaliza kukula kwa tinthu tating'ono ta kristalo.
Pomaliza, dikirani kuti kutentha kwa chipinda kuzizire mpaka kutentha kwa chipinda, kudzaza mphamvu ya mumlengalenga ndikuchotsa ufawo.
3.2 Ufa pambuyo pokonza
Pambuyo ufa apanga ndi ndondomeko pamwambapa, ayenera pambuyo kukonzedwa kuchotsa free carbon, pakachitsulo ndi zina zitsulo zosafunika ndi zenera kukula tinthu. Choyamba, ufa wopangidwa umayikidwa mu mphero ya mpira kuti uphwanye, ndipo ufa wophwanyidwa wa silicon carbide umayikidwa mu ng'anjo yamoto ndikutenthedwa mpaka 450 ° C ndi mpweya. Mpweya waulere mu ufa umapangidwa ndi oxidized ndi kutentha kuti upangitse mpweya wa carbon dioxide umene umatuluka m'chipindamo, motero kukwaniritsa kuchotsedwa kwa mpweya waulere. Pambuyo pake, madzi oyeretsera acidic amakonzedwa ndikuyikidwa mu makina otsuka a silicon carbide kuti ayeretse kuchotsa kaboni, silicon ndi zotsalira zazitsulo zomwe zimapangidwa panthawi ya kaphatikizidwe. Pambuyo pake, asidi otsalira amatsukidwa m'madzi oyera ndikuwuma. Ufa wouma umawunikidwa pawindo logwedezeka kuti musankhe kukula kwa kristalo.
Nthawi yotumiza: Aug-08-2024