Moderne C, N, B og andre ikke-oksid høyteknologiske ildfaste råvarer, atmosfærisk trykk sintret silisiumkarbid er omfattende, økonomisk, kan sies å være smergel eller ildfast sand. Ren silisiumkarbid er fargeløs gjennomsiktig krystall. Så hva er materialstrukturen og egenskapene til silisiumkarbid?
Sintret silisiumkarbid under atmosfærisk trykk
Materialstruktur av sintret silisiumkarbid med atmosfærisk trykk:
Atmosfærisk trykk sintret silisiumkarbid som brukes i industrien er lys gul, grønn, blå og svart i henhold til typen og innholdet av urenheter, og renheten er forskjellig og gjennomsiktigheten er forskjellig. Silisiumkarbidkrystallstrukturen er delt inn i seks-ord eller diamantformet plutonium og kubisk plutonium-sic. Plutonium-sic danner en rekke deformasjoner på grunn av den forskjellige stablingsrekkefølgen av karbon- og silisiumatomer i krystallstrukturen, og mer enn 70 typer deformasjoner er funnet. beta-SIC konverterer til alfa-SIC over 2100. Den industrielle prosessen med silisiumkarbid er raffinert med høykvalitets kvartssand og petroleumskoks i en motstandsovn. Raffinerte silisiumkarbidblokker knuses, syre-base-rengjøring, magnetisk separasjon, sikting eller vannvalg for å produsere en rekke partikkelstørrelsesprodukter.
Materialegenskaper for sintret silisiumkarbid ved atmosfærisk trykk:
Silisiumkarbid har god kjemisk stabilitet, termisk ledningsevne, termisk ekspansjonskoeffisient, slitestyrke, så i tillegg til abrasiv bruk er det mange bruksområder: For eksempel er silisiumkarbidpulveret belagt på den indre veggen av turbinhjulet eller sylinderblokken med en spesiell prosess, som kan forbedre slitestyrken og forlenge levetiden med 1 til 2 ganger. Laget av varmebestandig, liten størrelse, lett vekt, høy styrke av høyverdige ildfaste materialer, energieffektiviteten er veldig god. Lavkvalitets silisiumkarbid (inkludert ca. 85 % SiC) er et utmerket deoksideringsmiddel for å øke stålproduksjonshastigheten og enkelt kontrollere den kjemiske sammensetningen for å forbedre stålkvaliteten. I tillegg er atmosfærisk trykk sintret silisiumkarbid også mye brukt i produksjonen av elektriske deler av silisiumkarbonstaver.
Silisiumkarbid er veldig hardt. Morse-hardheten er 9,5, nest etter verdens harde diamant (10), er en halvleder med utmerket termisk ledningsevne, kan motstå oksidasjon ved høye temperaturer. Silisiumkarbid har minst 70 krystallinske typer. Plutonium-silisiumkarbid er en vanlig isomer som dannes ved temperaturer over 2000 og har en sekskantet krystallinsk struktur (lik wurtzitt). Sintret silisiumkarbid under atmosfærisk trykk
Anvendelse av silisiumkarbid i halvlederindustrien
Silisiumkarbidhalvlederindustrikjeden inkluderer hovedsakelig silisiumkarbidpulver med høy renhet, enkeltkrystallsubstrat, epitaksialplate, kraftkomponenter, modulpakning og terminalapplikasjoner.
1. Enkeltkrystallsubstrat Enkeltkrystallsubstrat er et halvlederbærende materiale, ledende materiale og epitaksielt vekstsubstrat. For tiden inkluderer vekstmetodene for SiC enkeltkrystaller fysisk dampoverføringsmetode (PVT-metode), væskefasemetode (LPE-metode) og høytemperatur kjemisk dampavsetningsmetode (HTCVD-metode). Sintret silisiumkarbid under atmosfærisk trykk
2. Epitaksial plate Silisiumkarbid epitaksial plate, silisiumkarbidplate, enkeltkrystallfilm (epitaksialt lag) med samme retning som substratkrystallen som har visse krav til silisiumkarbidsubstratet. I praktiske applikasjoner produseres nesten alle halvlederenheter med bredbåndsgap i det epitaksiale laget, og selve silisiumbrikken brukes bare som substrat, inkludert substratet til GaN epitaksiallag.
3. Høyrent silisiumkarbidpulver Høyrent silisiumkarbidpulver er råmaterialet for vekst av silisiumkarbid-enkelkrystall ved PVT-metoden, og renheten til produktet påvirker direkte vekstkvaliteten og de elektriske egenskapene til silisiumkarbidenkeltkrystaller.
4. Kraftenheten er en bredbåndskraft laget av silisiumkarbidmateriale, som har egenskapene til høy temperatur, høy frekvens og høy effektivitet. I henhold til driftsformen til enheten inkluderer SiC-strømforsyningsenheten hovedsakelig en strømdiode og et strømbryterrør.
5. Terminal I tredjegenerasjons halvlederapplikasjoner har silisiumkarbidhalvledere fordelen av å være komplementære til galliumnitridhalvledere. På grunn av den høye konverteringseffektiviteten, lave varmeegenskaper, lettvekt og andre fordeler ved SiC-enheter, fortsetter etterspørselen fra nedstrømsindustrien å øke, og det er en trend å erstatte SiO2-enheter.
Innleggstid: 16-jun-2023