SiC gesinterde keramische bus van siliciumcarbide

Drukloos gesinterd siliciumcarbide (SSIC)wordt geproduceerd met behulp van zeer fijn SiC-poeder dat sinteradditieven bevat. Het wordt verwerkt met behulp van vormmethoden die typisch zijn voor andere keramiek en gesinterd bij 2.000 tot 2.200 ° C in een atmosfeer van inert gas. Naast fijnkorrelige versies, met korrelgroottes < 5 um, grofkorrelige versies met korrelgroottes tot 1,5 um mm zijn beschikbaar.

SSIC onderscheidt zich door een hoge sterkte die vrijwel constant blijft tot zeer hoge temperaturen (ongeveer 1.600° C), waardoor deze sterkte gedurende lange perioden behouden blijft!

Productvoordelen:

Oxidatieweerstand bij hoge temperaturen

Uitstekende corrosiebestendigheid

Goede slijtvastheid

Hoge warmtegeleidingscoëfficiënt
Zelfsmerend vermogen, lage dichtheid
Hoge hardheid
Aangepast ontwerp.

Technische eigenschappen: