De gesinterdeSiliciumcarbide (SiC)Kristal/Wafelbootis ontworpen voor de strenge eisen van de halfgeleider- en micro-elektronica-industrie. Het biedt een veilig platform voor het hanteren van siliciumkristallen en wafers tijdens verwerking bij hoge temperaturen, waardoor hun integriteit en zuiverheid gedurende het gehele proces behouden blijft.
Belangrijkste kenmerken
- Uitstekende thermische stabiliteit: Bestand tegen temperaturen tot 1600°C, ideaal voor processen die nauwkeurige thermische controle vereisen.
- Superieure chemische bestendigheid: Bestand tegen de meeste corrosieve chemicaliën en gassen, waardoor duurzaamheid wordt geboden in zware verwerkingsomgevingen.
- Robuuste mechanische sterkte: Behoudt de structurele integriteit onder hoge spanning, waardoor de kans op vervorming of breuk wordt verminderd.
- Minimale thermische uitzetting: Ontworpen om het risico op thermische schokken en barsten te minimaliseren en betrouwbare prestaties te bieden bij langdurig gebruik.
- Precisieproductie: Vervaardigd met hoge precisie om te voldoen aan specifieke procesvereisten en geschikt te zijn voor verschillende kristal- en wafelformaten.
Toepassingen
• Verwerking van halfgeleiderwafels
• LED-productie
• Productie van fotovoltaïsche cellen
• Chemische dampdepositiesystemen (CVD).
• Onderzoek en ontwikkeling in de materiaalkunde
| 烧结碳化硅物理特性 Fysische eigenschappen vanSgeïntereseerdSsiliciumCArbide | |
| 性质 / Eigendom | 典型数值 / Typische waarde |
| 化学成分 / ChemischSamenstelling | SiC>95%, Si<5% |
| 体积密度 / Bulkdichtheid | >3,07 g/cm³ |
| Geen producten gevonden die aan je zoekcriteria voldoen/ Schijnbare porositeit Schijnbare porositeit | <0,1% |
| 常温抗弯强度/ Breukmodulus bij 20℃ | 270 MPa |
| Er zijn geen producten gevonden die aan je zoekcriteria voldoen/ Breukmodulus bij 1200℃ | 290MPa |
| 硬度/ Hardheid bij 20℃ | 2400 kg/mm² |
| 断裂韧性/ Breuktaaiheid bij 20% | 3.3MPa · m1/2 |
| 导热系数/ Thermische geleidbaarheid bij 1200℃ | 45w/m .K |
| 热膨胀系数/ Thermische uitzetting bij 20-1200℃ | 4.51 ×10-6/℃ |
| Geen probleem/ Max.werktemperatuur | 1400℃ |
| 热震稳定性/ Thermische schokbestendigheid bij 1200℃ | Goed |
Waarom kiezen voor onze gesinterde siliciumcarbide (SiC) kristal-/waferboot?
Kiezen voor onze SiC Crystal/Wafer Boat betekent kiezen voor betrouwbaarheid, efficiëntie en een lange levensduur. Elke boot ondergaat strikte kwaliteitscontrolemaatregelen om ervoor te zorgen dat deze voldoet aan de hoogste normen van de industrie. Dit product verbetert niet alleen de veiligheid en productiviteit van uw productieproces, maar garandeert ook de consistente kwaliteit van uw siliciumkristallen en wafers. Met onze SiC Crystal/Wafer Boat kunt u vertrouwen op een oplossing die uw operationele uitmuntendheid ondersteunt.
