Siliciumcarbide gecoate wafer-susceptorschijf

Korte beschrijving:

VET Energy siliciumcarbide gecoate wafer-susceptorschijf is een hoogwaardig product dat is ontworpen om consistente en betrouwbare prestaties te leveren gedurende een langere periode. Het heeft een supergoede hittebestendigheid en thermische uniformiteit, hoge zuiverheid en erosiebestendigheid, waardoor het de perfecte oplossing is voor waferverwerkingstoepassingen.

Stuur een e-mail naar ons Downloaden als PDF

Productdetail

Productlabels

Siliciumcarbide Wafer Disc is een sleutelcomponent die wordt gebruikt in verschillende productieprocessen van halfgeleiders. We gebruiken onze gepatenteerde technologie om de schijf van siliciumcarbide veiliger te maken met extreem hoge zuiverheid, goede uniformiteit van de coating en een uitstekende levensduur, evenals hoge chemische weerstand en thermische stabiliteitseigenschappen.

VET Energy is de echte fabrikant van op maat gemaakte grafiet- en siliciumcarbideproducten met verschillende coatings zoals SiC, TaC, pyrolytische koolstof, glasachtige koolstof, enz., Kan verschillende op maat gemaakte onderdelen leveren voor de halfgeleider- en fotovoltaïsche industrie. Ons technische team is afkomstig van de beste binnenlandse onderzoeksinstellingen en kan meer professionele materiaaloplossingen voor u bieden.

We ontwikkelen voortdurend geavanceerde processen om meer geavanceerde materialen te leveren, en hebben een exclusieve gepatenteerde technologie uitgewerkt die de hechting tussen de coating en het substraat strakker kan maken en minder snel loslaat.

Feigenschappen van onze producten:

1. Oxidatieweerstand bij hoge temperaturen tot 1700℃.
2. Hoge zuiverheid enthermische uniformiteit
3. Uitstekende corrosieweerstand: zuur, alkali, zout en organische reagentia.
4. Hoge hardheid, compact oppervlak, fijne deeltjes.
5. Langere levensduur en duurzamer

CVD SiC薄膜基本物理性能 Fysische basiseigenschappen van CVD SiCcoating
性质 / Eigendom	典型数值 / Typische waarde
Ik denk dat dit het geval is / Kristalstructuur	FCC β-fase多晶，主要为（111）取向
密度 / Dikte	3,21 g/cm³
硬度 / Hardheid	2500 维氏硬度(500g belasting)
晶粒大小 / Korrelgrootte	2~10μm
纯度 / Chemische zuiverheid	99,99995%
热容 / Warmtecapaciteit	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimatietemperatuur	2700℃
Geen probleem / Buigsterkte	415 MPa RT 4-punts
杨氏模量 / Young's Modulus	430 Gpa 4pt bocht, 1300℃
导热系数 / ThermalGeleidbaarheid	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Thermische uitzetting (CTE)	4,5×10^-6K^-1