Op silicium gebaseerde GaN-epitaxie

Korte beschrijving:


  • Plaats van herkomst:China
  • Kristalstructuur:FCCβ-fase
  • Dikte:3,21 g/cm3
  • Hardheid:2500 Vickers
  • Korrelgrootte:2~10μm
  • Chemische zuiverheid:99,99995%
  • Warmtecapaciteit:640J·kg-1·K-1
  • Sublimatietemperatuur:2700℃
  • Flexurale sterkte:415 Mpa (RT 4-punts)
  • Young's-modulus:430 Gpa (4pt bocht, 1300℃)
  • Thermische uitzetting (CTE):4,5 10-6K-1
  • Thermische geleidbaarheid:300 (W/MK)
  • Productdetail

    Productlabels

    Productbeschrijving

    Ons bedrijf levert SiC-coatingprocesdiensten via CVD-methode op het oppervlak van grafiet, keramiek en andere materialen, zodat speciale gassen die koolstof en silicium bevatten bij hoge temperatuur reageren om SiC-moleculen met een hoge zuiverheid te verkrijgen, moleculen die worden afgezet op het oppervlak van de gecoate materialen. vormende SIC-beschermlaag.

    Belangrijkste kenmerken:

    1. Oxidatieweerstand op hoge temperatuur:

    de oxidatieweerstand is nog steeds erg goed bij een temperatuur tot 1600 C.

    2. Hoge zuiverheid: gemaakt door chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden op hoge temperatuur.

    3. Erosiebestendigheid: hoge hardheid, compact oppervlak, fijne deeltjes.

    4. Corrosiebestendigheid: zuur, alkali, zout en organische reagentia.

    Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating

    SiC-CVD-eigenschappen

    Kristalstructuur FCC β-fase
    Dikte g/cm³ 3.21
    Hardheid Vickers-hardheid 2500
    Korrelgrootte urn 2~10
    Chemische zuiverheid % 99,99995
    Warmtecapaciteit J·kg-1 ·K-1 640
    Sublimatietemperatuur 2700
    Flexurale kracht MPa (RT 4-punts) 415
    Young's Modulus Gpa (4pt bocht, 1300℃) 430
    Thermische uitzetting (CTE) 10-6K-1 4.5
    Thermische geleidbaarheid (W/mK) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Vorig:
  • Volgende:

  • WhatsApp Onlinechat!