Op silicium gebaseerde GaN-epitaxie

Productbeschrijving

Ons bedrijf levert SiC-coatingprocesdiensten via CVD-methode op het oppervlak van grafiet, keramiek en andere materialen, zodat speciale gassen die koolstof en silicium bevatten bij hoge temperatuur reageren om SiC-moleculen met een hoge zuiverheid te verkrijgen, moleculen die worden afgezet op het oppervlak van de gecoate materialen. vormende SIC-beschermlaag.

Belangrijkste kenmerken:

1. Oxidatieweerstand op hoge temperatuur:

de oxidatieweerstand is nog steeds erg goed bij een temperatuur tot 1600 C.

2. Hoge zuiverheid: gemaakt door chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden op hoge temperatuur.

3. Erosiebestendigheid: hoge hardheid, compact oppervlak, fijne deeltjes.

4. Corrosiebestendigheid: zuur, alkali, zout en organische reagentia.

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating