Moderne C, N, B en andere niet-oxide high-tech vuurvaste grondstoffen, atmosferische druk gesinterd siliciumcarbide is uitgebreid, economisch, kan worden gezegd dat het amaril of vuurvast zand is. Zuiver siliciumcarbide is een kleurloos transparant kristal. Dus wat is de materiaalstructuur en kenmerken van siliciumcarbide?
Gesinterd siliciumcarbide onder atmosferische druk
Materiaalstructuur van gesinterd siliciumcarbide onder atmosferische druk:
Het gesinterde siliciumcarbide onder atmosferische druk dat in de industrie wordt gebruikt, is lichtgeel, groen, blauw en zwart, afhankelijk van het type en de inhoud van de onzuiverheden, en de zuiverheid is anders en de transparantie is anders. De kristalstructuur van siliciumcarbide is verdeeld in zeswoordig of ruitvormig plutonium en kubisch plutonium-sic. Plutonium-sic vormt een verscheidenheid aan vervormingen als gevolg van de verschillende stapelvolgorde van koolstof- en siliciumatomen in de kristalstructuur, en er zijn meer dan 70 soorten vervormingen gevonden. bèta-SIC wordt boven de 2100 omgezet in alfa-SIC. Het industriële proces van siliciumcarbide wordt verfijnd met hoogwaardig kwartszand en petroleumcokes in een weerstandsoven. Geraffineerde siliciumcarbideblokken worden vermalen, zuur-base-reiniging, magnetische scheiding, screening of waterselectie om een verscheidenheid aan producten met deeltjesgrootte te produceren.
Materiaaleigenschappen van gesinterd siliciumcarbide onder atmosferische druk:
Siliciumcarbide heeft een goede chemische stabiliteit, thermische geleidbaarheid, thermische uitzettingscoëfficiënt en slijtvastheid, dus naast schurend gebruik zijn er veel toepassingen: het siliciumcarbidepoeder wordt bijvoorbeeld op de binnenwand van de turbinewaaier of het cilinderblok gecoat met een speciaal proces, dat de slijtvastheid kan verbeteren en de levensduur 1 tot 2 keer kan verlengen. Gemaakt van hittebestendig, klein formaat, licht van gewicht, hoge sterkte van hoogwaardige vuurvaste materialen, energie-efficiëntie is zeer goed. Laagwaardig siliciumcarbide (inclusief ongeveer 85% SiC) is een uitstekende deoxidatiemiddel voor het verhogen van de snelheid van de staalproductie en het gemakkelijk controleren van de chemische samenstelling om de staalkwaliteit te verbeteren. Bovendien wordt gesinterd siliciumcarbide onder atmosferische druk ook veel gebruikt bij de vervaardiging van elektrische onderdelen van siliciumkoolstofstaven.
Siliciumcarbide is erg hard. De morsehardheid is 9,5, de tweede alleen voor 's werelds harde diamant (10), is een halfgeleider met uitstekende thermische geleidbaarheid en is bestand tegen oxidatie bij hoge temperaturen. Siliciumcarbide heeft minstens 70 kristallijne typen. Plutonium-siliciumcarbide is een veel voorkomend isomeer dat ontstaat bij temperaturen boven 2000 en een hexagonale kristallijne structuur heeft (vergelijkbaar met wurtziet). Gesinterd siliciumcarbide onder atmosferische druk
Toepassing van siliciumcarbide in de halfgeleiderindustrie
De halfgeleiderindustrieketen van siliciumcarbide omvat voornamelijk siliciumcarbide-poeder met hoge zuiverheid, eenkristalsubstraat, epitaxiale platen, vermogenscomponenten, moduleverpakkingen en terminaltoepassingen.
1. Eenkristalsubstraat Eenkristalsubstraat is een halfgeleider ondersteunend materiaal, geleidend materiaal en epitaxiaal groeisubstraat. Momenteel omvatten de groeimethoden van SiC-enkelkristal de fysische dampoverdrachtmethode (PVT-methode), de vloeistoffasemethode (LPE-methode) en de chemische dampafzettingsmethode bij hoge temperatuur (HTCVD-methode). Gesinterd siliciumcarbide onder atmosferische druk
2. Epitaxiale plaat Epitaxiale plaat van siliciumcarbide, plaat van siliciumcarbide, eenkristalfilm (epitaxiale laag) met dezelfde richting als het substraatkristal dat bepaalde eisen stelt aan het siliciumcarbidesubstraat. In praktische toepassingen worden halfgeleiderapparaten met een brede bandafstand bijna allemaal vervaardigd in de epitaxiale laag, en wordt de siliciumchip zelf alleen als substraat gebruikt, inclusief het substraat van de GaN-epitaculaire laag.
3. Zeer zuiver siliciumcarbidepoeder Hoogzuiver siliciumcarbidepoeder is de grondstof voor de groei van eenkristal van siliciumcarbide volgens de PVT-methode, en de zuiverheid van het product heeft rechtstreeks invloed op de groeikwaliteit en elektrische kenmerken van eenkristal van siliciumcarbide.
4. Het voedingsapparaat is een breedbandvermogen gemaakt van siliciumcarbidemateriaal, dat de kenmerken heeft van hoge temperatuur, hoge frequentie en hoog rendement. Volgens de bedieningsvorm van het apparaat omvat het SiC-voedingsapparaat hoofdzakelijk een vermogensdiode en een stroomschakelaarbuis.
5. Terminal In halfgeleidertoepassingen van de derde generatie hebben siliciumcarbide-halfgeleiders het voordeel dat ze complementair zijn aan galliumnitride-halfgeleiders. Vanwege de hoge conversie-efficiëntie, de lage verwarmingseigenschappen, het lichte gewicht en andere voordelen van SiC-apparaten blijft de vraag van de downstream-industrie toenemen en is er een trend om SiO2-apparaten te vervangen.
Posttijd: 16 juni 2023