IC-epitaxie van één kristalsilicium

IC Single-Crystal Silicon Epitaxie Uitgelichte afbeelding

Korte beschrijving:

Plaats van herkomst:China

Kristalstructuur:FCCβ-fase

Dikte :3,21 g/cm3;

Hardheid:2500 vickers;

Korrelgrootte:2~10μm;

Chemische zuiverheid:99,99995%;

Warmtecapaciteit:640J·kg-1·K-1;

Sublimatietemperatuur:2700℃;

Flexurale sterkte:415 Mpa (RT 4-punts);

Young's-modulus:430 Gpa (4pt bocht, 1300℃);

Thermische uitzetting (CTE):4,5 10-6K-1;

Thermische geleidbaarheid:300（W/MK）;

Stuur een e-mail naar ons Downloaden als PDF

Productdetail

Productlabels

Productbeschrijving

Ons bedrijf levert SiC-coatingprocesdiensten via CVD-methode op het oppervlak van grafiet, keramiek en andere materialen, zodat speciale gassen die koolstof en silicium bevatten bij hoge temperatuur reageren om SiC-moleculen met een hoge zuiverheid te verkrijgen, moleculen die worden afgezet op het oppervlak van de gecoate materialen. vormende SIC-beschermlaag.

Belangrijkste kenmerken:

1. Oxidatieweerstand op hoge temperatuur:

de oxidatieweerstand is nog steeds erg goed bij een temperatuur tot 1600 C.

2. Hoge zuiverheid: gemaakt door chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden op hoge temperatuur.

3. Erosiebestendigheid: hoge hardheid, compact oppervlak, fijne deeltjes.

4. Corrosiebestendigheid: zuur, alkali, zout en organische reagentia.

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating

SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99,99995
Warmtecapaciteit	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300