CVD-SiCकोटिंगमा समान संरचना, कम्प्याक्ट सामग्री, उच्च तापमान प्रतिरोध, अक्सीकरण प्रतिरोध, उच्च शुद्धता, एसिड र क्षार प्रतिरोध र जैविक अभिकर्मक, स्थिर भौतिक र रासायनिक गुणहरू छन्।

उच्च-शुद्धता ग्रेफाइट सामग्रीको तुलनामा, ग्रेफाइटले 400C मा अक्सिडाइज गर्न थाल्छ, जसले अक्सीकरणको कारण पाउडरको क्षति निम्त्याउँछ, परिधीय उपकरणहरू र भ्याकुम चेम्बरहरूमा वातावरणीय प्रदूषणको कारण, र उच्च-शुद्धता वातावरणको अशुद्धता बढाउँछ।

यद्यपि, SiC कोटिंगले 1600 डिग्रीमा भौतिक र रासायनिक स्थिरता कायम राख्न सक्छ, यो आधुनिक उद्योगमा विशेष गरी सेमीकन्डक्टर उद्योगमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ।

हाम्रो कम्पनीले ग्रेफाइट, सिरेमिक र अन्य सामग्रीको सतहमा CVD विधिद्वारा SiC कोटिंग प्रक्रिया सेवाहरू प्रदान गर्दछ, ताकि कार्बन र सिलिकन युक्त विशेष ग्यासहरूले उच्च तापक्रममा प्रतिक्रिया गर्दा उच्च शुद्धता SiC अणुहरू, लेपित सामग्रीको सतहमा जम्मा गरिएका अणुहरू, SIC सुरक्षात्मक तह गठन।बनाइएको एसआईसी ग्रेफाइट आधारसँग दृढतापूर्वक बाँधिएको छ, ग्रेफाइट आधारलाई विशेष गुणहरू प्रदान गर्दै, यसरी ग्रेफाइटको सतह कम्प्याक्ट, पोरोसिटी-मुक्त, उच्च तापमान प्रतिरोध, जंग प्रतिरोध र अक्सीकरण प्रतिरोध बनाउँछ।

मुख्य विशेषताहरु:

1. उच्च तापमान ओक्सीकरण प्रतिरोध:

जब तापमान 1600 C को रूपमा उच्च छ भने ओक्सीकरण प्रतिरोध अझै धेरै राम्रो छ।

2. उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरिनेशन अवस्था अन्तर्गत रासायनिक वाष्प निक्षेप द्वारा बनाईएको।

3. कटाव प्रतिरोध: उच्च कठोरता, कम्प्याक्ट सतह, ठीक कणहरू।

4. जंग प्रतिरोध: एसिड, क्षार, नुन र जैविक अभिकर्मक।

CVD-SIC कोटिंग्सको मुख्य विनिर्देशहरू: