PSS Etch वाहक

छोटो विवरण:

उत्पत्ति स्थान:चीन

क्रिस्टल संरचना:FCCβ चरण

घनत्व:3.21 ग्राम/सेमी;

कठोरता:2500 Vickers;

अनाज आकार:2~10μm;

रासायनिक शुद्धता:९९.९९९९५%;

गर्मी क्षमता:640J·kg-1·K-1;

उदात्तीकरण तापमान:2700 ℃;

फेलेक्सरल शक्ति:४१५ एमपीए (आरटी ४-बिन्दु);

युवाको मोडुलस:430 Gpa (4pt बेंड, 1300℃);

थर्मल विस्तार (CTE):4.5 10-6K-1;

थर्मल चालकता:300 (W/MK);

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

उत्पादन विवरण

हाम्रो कम्पनीले ग्रेफाइट, सिरेमिक र अन्य सामग्रीको सतहमा CVD विधिद्वारा SiC कोटिंग प्रक्रिया सेवाहरू प्रदान गर्दछ, ताकि कार्बन र सिलिकन युक्त विशेष ग्यासहरूले उच्च तापक्रममा प्रतिक्रिया गर्दा उच्च शुद्धता SiC अणुहरू, लेपित सामग्रीको सतहमा जम्मा गरिएका अणुहरू, SIC सुरक्षात्मक तह गठन।

मुख्य विशेषताहरु:

1. उच्च तापमान ओक्सीकरण प्रतिरोध:

जब तापमान 1600 C को रूपमा उच्च छ भने ओक्सीकरण प्रतिरोध अझै धेरै राम्रो छ।

2. उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरिनेशन अवस्था अन्तर्गत रासायनिक वाष्प निक्षेप द्वारा बनाईएको।

3. कटाव प्रतिरोध: उच्च कठोरता, कम्प्याक्ट सतह, ठीक कणहरू।

4. जंग प्रतिरोध: एसिड, क्षार, नुन र जैविक अभिकर्मक।

CVD-SIC कोटिंग को मुख्य निर्दिष्टीकरण

SiC-CVD गुणहरू
क्रिस्टल संरचना	FCC β चरण
घनत्व	g/cm ³	३.२१
कठोरता	Vickers कठोरता	२५००
अनाज आकार	μm	२~१०
रासायनिक शुद्धता	%	९९.९९९९५
गर्मी क्षमता	J·kg-1 · K-1	६४०
उदात्तीकरण तापमान	℃	२७००
फेलेक्सरल शक्ति	MPa (RT 4-बिन्दु)	४१५
युवाको मोडुलस	Gpa (4pt बेन्ड, 1300℃)	४३०
थर्मल विस्तार (CTE)	10-6K-1	४.५
थर्मल चालकता	(W/mK)	३००