को परिचयसिलिकन कार्बाइड
सिलिकन कार्बाइड (SIC) को 3.2g/cm3 को घनत्व छ। प्राकृतिक सिलिकन कार्बाइड धेरै दुर्लभ छ र मुख्यतया कृत्रिम विधि द्वारा संश्लेषित छ। क्रिस्टल संरचना को विभिन्न वर्गीकरण अनुसार, सिलिकन कार्बाइड दुई कोटिहरु मा विभाजित गर्न सकिन्छ: α SiC र β SiC। सिलिकन कार्बाइड (SIC) द्वारा प्रतिनिधित्व गरिएको तेस्रो पुस्ताको अर्धचालकमा उच्च आवृत्ति, उच्च दक्षता, उच्च शक्ति, उच्च दबाव प्रतिरोध, उच्च तापमान प्रतिरोध र बलियो विकिरण प्रतिरोध छ। यो ऊर्जा संरक्षण र उत्सर्जन न्यूनीकरण, बुद्धिमानी निर्माण र सूचना सुरक्षाको प्रमुख रणनीतिक आवश्यकताहरूको लागि उपयुक्त छ। यो स्वतन्त्र नवाचार र विकास र नयाँ पुस्ताको मोबाइल संचार, नयाँ ऊर्जा वाहनहरू, उच्च-गति रेल रेल, ऊर्जा इन्टरनेट र अन्य उद्योगहरूको रूपान्तरणलाई समर्थन गर्न हो। अपग्रेड गरिएको मूल सामग्री र इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्टहरू विश्वव्यापी अर्धचालक प्रविधि र उद्योग प्रतिस्पर्धाको केन्द्रबिन्दु बनेका छन्। । २०२० मा, विश्वव्यापी आर्थिक र व्यापार ढाँचा पुनर्निर्माणको अवधिमा छ, र चीनको अर्थतन्त्रको आन्तरिक र बाह्य वातावरण अझ जटिल र गम्भीर छ, तर विश्वको तेस्रो पुस्ताको अर्धचालक उद्योग प्रवृत्तिको विरुद्धमा बढिरहेको छ। यो मान्यता आवश्यक छ कि सिलिकन कार्बाइड उद्योग एक नयाँ विकास चरणमा प्रवेश गरेको छ।
सिलिकन कार्बाइडआवेदन
सेमीकन्डक्टर उद्योगमा सिलिकन कार्बाइड अनुप्रयोग सिलिकन कार्बाइड सेमीकन्डक्टर उद्योग श्रृंखलामा मुख्यतया सिलिकन कार्बाइड उच्च शुद्धता पाउडर, एकल क्रिस्टल सब्सट्रेट, एपिटेक्सियल, पावर उपकरण, मोड्युल प्याकेजि and र टर्मिनल अनुप्रयोग, आदि समावेश छन्।
1. एकल क्रिस्टल सब्सट्रेट अर्धचालक को समर्थन सामग्री, प्रवाहकीय सामग्री र epitaxial वृद्धि सब्सट्रेट हो। हाल, SiC एकल क्रिस्टलको वृद्धि विधिहरूमा भौतिक ग्यास स्थानान्तरण (PVT), तरल चरण (LPE), उच्च तापक्रम रासायनिक वाष्प निक्षेप (htcvd) र यस्तै अन्य समावेश छन्। 2. एपिटेक्सियल सिलिकन कार्बाइड एपिटेक्सियल पानाले निश्चित आवश्यकताहरू र सब्सट्रेटको रूपमा समान अभिविन्यासको साथ एकल क्रिस्टल फिल्म (एपिटेक्सियल तह) को वृद्धिलाई जनाउँछ। व्यावहारिक अनुप्रयोगमा, फराकिलो ब्यान्ड ग्याप सेमीकन्डक्टर उपकरणहरू लगभग सबै एपिटेक्सियल तहमा हुन्छन्, र सिलिकन कार्बाइड चिपहरू आफैं मात्र सब्सट्रेटको रूपमा प्रयोग गरिन्छ, ग्यान एपिटेक्सियल तहहरू सहित।
3. उच्च शुद्धताSiCपाउडर PVT विधि द्वारा सिलिकन कार्बाइड एकल क्रिस्टल को विकास को लागी एक कच्चा माल हो। यसको उत्पादन शुद्धताले SiC सिंगल क्रिस्टलको वृद्धि गुणस्तर र विद्युतीय गुणहरूलाई प्रत्यक्ष असर गर्छ।
4. पावर उपकरण सिलिकन कार्बाइडबाट बनेको छ, जसमा उच्च तापमान प्रतिरोध, उच्च आवृत्ति र उच्च दक्षताको विशेषताहरू छन्। उपकरण को काम फारम अनुसार,SiCपावर उपकरणहरूमा मुख्यतया पावर डायोडहरू र पावर स्विच ट्यूबहरू समावेश छन्।
5. तेस्रो जेनरेशन सेमीकन्डक्टर अनुप्रयोगमा, अन्तिम अनुप्रयोगका फाइदाहरू तिनीहरूले GaN अर्धचालकलाई पूरक बनाउन सक्छन्। उच्च रूपान्तरण दक्षता, कम तताउने विशेषताहरू र SiC उपकरणहरूको हल्का वजनका फाइदाहरूको कारण, डाउनस्ट्रीम उद्योगको माग बढ्दै गएको छ, जसमा SiO2 उपकरणहरू प्रतिस्थापन गर्ने प्रवृत्ति छ। सिलिकन कार्बाइड बजार विकास को वर्तमान स्थिति लगातार विकास भइरहेको छ। सिलिकन कार्बाइड तेस्रो पुस्ताको अर्धचालक विकास बजार अनुप्रयोगको नेतृत्व गर्दछ। तेस्रो पुस्ताको अर्धचालक उत्पादनहरू छिटो घुसपैठ गरिएको छ, अनुप्रयोग क्षेत्रहरू लगातार विस्तार हुँदैछन्, र बजार अटोमोबाइल इलेक्ट्रोनिक्स, 5 जी कम्युनिकेशन, द्रुत चार्जिंग पावर सप्लाई र सैन्य अनुप्रयोगको विकासको साथ द्रुत गतिमा बढिरहेको छ। ।
पोस्ट समय: मार्च-16-2021