आईसी एकल-क्रिस्टल सिलिकन एपिटेक्सी

उत्पादन विवरण

हाम्रो कम्पनीले ग्रेफाइट, सिरेमिक र अन्य सामग्रीको सतहमा CVD विधिद्वारा SiC कोटिंग प्रक्रिया सेवाहरू प्रदान गर्दछ, ताकि कार्बन र सिलिकन युक्त विशेष ग्यासहरूले उच्च तापक्रममा प्रतिक्रिया गर्दा उच्च शुद्धता SiC अणुहरू, लेपित सामग्रीको सतहमा जम्मा गरिएका अणुहरू, SIC सुरक्षात्मक तह गठन।

मुख्य विशेषताहरु:

1. उच्च तापमान ओक्सीकरण प्रतिरोध:

जब तापमान 1600 C को रूपमा उच्च छ भने ओक्सीकरण प्रतिरोध अझै धेरै राम्रो छ।

2. उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरिनेशन अवस्था अन्तर्गत रासायनिक वाष्प निक्षेप द्वारा बनाईएको।

3. कटाव प्रतिरोध: उच्च कठोरता, कम्प्याक्ट सतह, ठीक कणहरू।

4. जंग प्रतिरोध: एसिड, क्षार, नुन र जैविक अभिकर्मक।

CVD-SIC कोटिंग को मुख्य निर्दिष्टीकरण