Semiconductor အတွက် SiC Coating/Coated Graphite Substrate/Tray

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

Epitaxial Growth အတွက် VET Energy SiC Coated Graphite Susceptor သည် အချိန်ကြာမြင့်စွာ တသမတ်တည်းနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရသော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ထုတ်ကုန်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းတွင် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူခံနိုင်ရည်နှင့် အပူတူညီမှု၊ မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု၊ တိုက်စားမှုဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ၎င်းသည် wafer processing applications များအတွက် ပြီးပြည့်စုံသောဖြေရှင်းချက်ဖြစ်စေသည်။


ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

SiC coating/ Semiconductor အတွက် Graphite susceptor ၏ coated
 
ဟိSiC Coated Graphite Substrateဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ပြုပြင်ခြင်းလုပ်ငန်း၏ ပြင်းထန်သော တောင်းဆိုချက်များကို ဖြည့်ဆည်းရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော အလွန်တာရှည်ခံပြီး ထိရောက်သော ဖြေရှင်းချက်ဖြစ်သည်။ သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော အလွှာတစ်ခုပါရှိသည်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အပေါ်ယံပိုင်းဤအလွှာသည် ထူးခြားသောအပူတည်ငြိမ်မှု၊ ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်မှုနှင့် တာရှည်ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းတို့ကို ပေးစွမ်းပြီး ၎င်းသည် MOCVD လုပ်ငန်းစဉ်များ၊ ဂရပ်ဖိုက်ဝေဖာသယ်ဆောင်သူများနှင့် အခြားအပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် စံပြဖြစ်စေသည်။

 အင်္ဂါရပ်များ: 
· အထူးကောင်းမွန်သော အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
· အထူးကောင်းမွန်သော Physical Shock Resistance
· အထူးကောင်းမွန်သော ဓာတုခုခံမှု
· အလွန်မြင့်မားသော သန့်ရှင်းမှု
· ရှုပ်ထွေးသောပုံသဏ္ဍာန်တွင် ရရှိနိုင်မှု
· Oxidizing Atmosphere အောက်တွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။

လျှောက်လွှာ

၃

ထုတ်ကုန်အင်္ဂါရပ်များနှင့် အားသာချက်များ-

1. သာလွန်သော အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်:မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှုနှင့်အတူSiC အပေါ်ယံပိုင်းအလွှာသည် လွန်ကဲသောအပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး၊ epitaxy နှင့် semiconductor fabrication ကဲ့သို့သော တောင်းဆိုနေသော ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် တသမတ်တည်း စွမ်းဆောင်နိုင်စေရန် အာမခံပါသည်။

2. ပိုမိုကောင်းမွန်သောကြာရှည်ခံမှု:SiC coated graphite အစိတ်အပိုင်းများသည် chemical corrosion နှင့် oxidation ကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး standard graphite substrates များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက substrate ၏ သက်တမ်းကို တိုးမြင့်စေပါသည်။

3. Vitreous Coated Graphite:ထူးခြားသော ဝမ်းတွင်းဖွဲ့စည်းပုံ၊SiC အပေါ်ယံပိုင်းမျက်နှာပြင် မာကျောမှုကို အထူးကောင်းမွန်စေပြီး အပူချိန်မြင့်မားသော လုပ်ဆောင်မှုအတွင်း ယိုယွင်းပျက်စီးမှုကို လျှော့ချပေးသည်။

4. High Purity SiC Coating:ကျွန်ုပ်တို့၏ substrate သည် ထိလွယ်ရှလွယ် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် ညစ်ညမ်းမှုအနည်းဆုံးဖြစ်ကြောင်း သေချာစေပြီး တင်းကြပ်သောပစ္စည်း သန့်စင်မှုလိုအပ်သည့် လုပ်ငန်းများအတွက် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို ပေးဆောင်သည်။

5. ကျယ်ပြန့်စျေးကွက်လျှောက်လွှာ:ဟိSiC coated graphite suceptorတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် အဆင့်မြင့် SiC coated ထုတ်ကုန်များ ၀ယ်လိုအား တိုးလာသည်နှင့်အမျှ ဤအလွှာသည် ဂရပ်ဖိုက်ဝေဖာသယ်ဆောင်သူဈေးကွက်နှင့် ဆီလီကွန်ကာဘိုင်ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသော ဂရပ်ဖိုက်ဗန်းများ စျေးကွက်တွင် အဓိကကစားသမားအဖြစ် နေရာယူထားသည်။

Base Graphite Material ၏ ပုံမှန်ဂုဏ်သတ္တိများ

ထင်ရှားသိပ်သည်းမှု- 1.85 g/cm3
လျှပ်စစ်ခုခံနိုင်မှု- 11 μΩm
Flexural Strength- 49 MPa (500kgf/cm2)
ကမ်းခြေမာကျောမှု- 58
ပြာ <5ppm
အပူလျှပ်ကူးမှု- 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

 

CVD SiC薄膜基本物理性能

CVD SiC ၏ အခြေခံ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများအပေါ်ယံပိုင်း

性质 / အိမ်ခြံမြေ

典型数值 / ပုံမှန်တန်ဖိုး

晶体结构 / Crystal Structure

FCC ဘီတာအဆင့် 多晶,主要为 (111)取向

密度 / သိပ်သည်းဆ

3.21 g/cm³

硬度 / မာကျောမှု

2500维氏硬度 (500g load)

晶粒大小 / Grain SiZe

2~10μm

纯度 / ဓာတုသန့်စင်မှု

99.99995%

热内 / အပူစွမ်းရည်

640 J·kg-1·K-1

升华温度 / Sublimation အပူချိန်

2700 ℃

抗弯强度 / Flexural Strength

415 MPa RT 4 ပွိုင့်

杨氏模量 / Young's Modulus

430 Gpa 4pt ကွေး၊ 1300 ℃

导热系数 / အပူလျှပ်ကူးမှု

300W·m-1·K-1

热膨胀系数 / အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း(CTE)

4.5×10-6K-1

၁

၂

 

 

VET Energy သည် SiC coating၊ TaC coating၊ glassy carbon coating၊ pyrolytic carbon coating စသည်ဖြင့် စိတ်ကြိုက် coatings အမျိုးမျိုးဖြင့် စိတ်ကြိုက် ဂရပ်ဖိုက်နှင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ထုတ်ကုန်များကို ထုတ်လုပ်သူဖြစ်ပြီး၊ semiconductor နှင့် photovoltaic လုပ်ငန်းအတွက် စိတ်ကြိုက်အစိတ်အပိုင်းများကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်ပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့၏နည်းပညာအဖွဲ့သည် ထိပ်တန်းပြည်တွင်းသုတေသနအဖွဲ့အစည်းများမှ လာ၍ သင့်အတွက် ပိုမိုကျွမ်းကျင်သော ပစ္စည်းဖြေရှင်းချက်များကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်ပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့သည် ပိုမိုအဆင့်မြင့်သောပစ္စည်းများကိုပံ့ပိုးပေးရန်အတွက် အဆင့်မြင့်လုပ်ငန်းစဉ်များကို စဉ်ဆက်မပြတ်လုပ်ဆောင်နေပြီး၊ အပေါ်ယံနှင့်အလွှာကြားတွင် ပေါင်းစပ်မှုကို ပိုမိုတင်းကျပ်စေပြီး ကွဲထွက်နိုင်မှုနည်းပါးစေမည့် သီးသန့်မူပိုင်ခွင့်နည်းပညာကို တီထွင်လုပ်ဆောင်ထားပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့၏စက်ရုံသို့လာရောက်လည်ပတ်ရန် သင့်အား နွေးထွေးစွာ ကြိုဆိုပါသည်၊ နောက်ထပ် ဆွေးနွေးမှုများ ပြုလုပ်ကြပါစို့။

研发团队

 

生产设备

 

公司客户

 


  • ယခင်-
  • နောက်တစ်ခု:

  • WhatsApp အွန်လိုင်းစကားပြောခြင်း။